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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 P-CH 60V 1.2A

SI2309CDS-T1-BE3
Vishay / Siliconix
1: ₡452,80
174 915En existencias

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SI2309CDS-T1-BE3

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78-SI2309CDS-T1-BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 P-CH 60V 1.2A

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100V (D-S) 175C MOSFET

SIJH112E-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: ₡3 273,73
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SIJH112E-T1-GE3

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Vishay / Siliconix

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 4.8mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET

SIR826DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: ₡2 019,41
12 125En existencias

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SIR826DP-T1-GE3

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78-SIR826DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S

SISS26LDN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: ₡1 072,16
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SISS26LDN-T1-GE3

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78-SISS26LDN-T1-GE3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

SQ4425EY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: ₡1 483,33
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SQ4425EY-T1_GE3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds TO-252 AEC-Q101 Qualified

SQD19P06-60L_T4GE3
Vishay Semiconductors
1: ₡1 217,89
56 018En existencias

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SQD19P06-60L_T4GE3

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78-SQD19P06-60LT4GE3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ423EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: ₡921,22
76 241En existencias

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SQJ423EP-T1_GE3

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78-SQJ423EP-T1_GE3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 8A 39W AEC-Q101 Qualified

SQS460EN-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: ₡1 020,11
67 672En existencias

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SQS460EN-T1_GE3

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Rectificadores 600V 8A SlimDPAK FRED

VS-8EVL06HM3/I
Vishay Semiconductors
1: ₡973,27
35 277En existencias

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VS-8EVL06HM3/I

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78-VS-8EVL06HM3/I

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs 1206-8 ChipFET

SI5403DC-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: ₡874,38
35 151En existencias

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SI5403DC-T1-GE3

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781-SI5403DC-T1-GE3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -150V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

SI7117DN-T1-E3
Vishay Semiconductors
1: ₡1 035,73
80 172En existencias

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SI7117DN-T1-E3

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781-SI7117DN-T1-E3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SI7465DP-T1-E3
Vishay Semiconductors
1: ₡1 035,73
122 796En existencias

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SI7465DP-T1-E3

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781-SI7465DP-T1-E3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SI7465DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: ₡1 035,73
29 939En existencias

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SI7465DP-T1-GE3

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781-SI7465DP-T1-GE3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 60A 55W AEC-Q101 Qualified

SQJ886EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: ₡1 176,25
48 655En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ886EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SQJ886EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 60A 55W AEC-Q101 Qualified

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 100V 4A P-CH MOSFET

IRF9510PBF
Vishay Semiconductors
1: ₡744,27
76 250En existencias

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IRF9510PBF

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844-IRF9510PBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 100V 4A P-CH MOSFET

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₡316,96

₡272,20

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MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V

NTH4L022N120M3S
onsemi
1: ₡9 592,18
1 476En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTH4L022N120M3S

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863-NTH4L022N120M3S

onsemi

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V

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₡9 592,18

₡6 563,07

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MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V

NTH4L040N120SC1
onsemi
1: ₡10 112,64
1 387En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTH4L040N120SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NTH4L040N120SC1

onsemi

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V

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₡10 112,64

₡7 760,14

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FRFET 650V 75A 27.4mOhm

NTHL027N65S3HF
onsemi
1: ₡11 840,59
1 256En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTHL027N65S3HF

N.º de artículo de Mouser
863-NTHL027N65S3HF

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FRFET 650V 75A 27.4mOhm

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₡11 840,59

₡8 348,27

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SF3 650V 50MOHM

NTHL050N65S3HF
onsemi
1: ₡8 337,86
1 907En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTHL050N65S3HF

N.º de artículo de Mouser
863-NTHL050N65S3HF

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SF3 650V 50MOHM

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₡8 337,86

₡5 329,57

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MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 160MOHM 1200V

NVHL160N120SC1
onsemi
1: ₡7 052,31
2 423En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVHL160N120SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NVHL160N120SC1

onsemi

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 160MOHM 1200V

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2 423En existencias

₡7 052,31

₡3 929,51

₡3 778,58

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V HEFET

NVMFS5C604NLWFAFT1G
onsemi
1: ₡3 481,91
6 381En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C604NLWFAFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C604NWFT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V HEFET

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₡3 481,91

₡2 201,57

₡1 842,45

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₡1 842,45

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: 1 500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 95A TO-220AB

IRFB7545PBF
Infineon Technologies
1: ₡884,79
52 877En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFB7545PBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFB7545PBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 95A TO-220AB

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₡884,79

₡436,15

₡376,82

₡327,89

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Rectificadores y diodos Schottky Schottky - SMA

VS-20MQ100HM3\5AT
Vishay Semiconductors
1: ₡468,42
7 090En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
VS-20MQ100HM3\5AT

N.º de artículo de Mouser
78-VS-20MQ100HM3\5AT

Nuevo producto

Vishay Semiconductors

Rectificadores y diodos Schottky Schottky - SMA

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₡322,69

₡204,54

₡126,47

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₡62,46

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Mult.: 1

: 7 500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IPB015N06NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: ₡2 628,35
2 097En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB015N06NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB015N06NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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2 097En existencias

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₡2 628,35

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₡1 202,28

Envase tipo carrete

₡1 202,28

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Mult.: 1

: 800

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPT022N10NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: ₡2 461,80
1 493En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT022N10NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT022N10NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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1 493En existencias

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₡2 461,80

₡1 269,94

₡1 129,41

₡978,47

₡926,43

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₡926,43

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Mult.: 1

: 1 800

Single Semiconductores

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