Single Semiconductores

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
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Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8
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Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 50A 136W AEC-Q101 Qualified
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onsemi IGBTs 650V40A FS4 IGBT TO-247LL
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onsemi Diodos Schottky de SiC 1200V 10A AUTO SIC SBD
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V LL NCH
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V P-Channel 2.5V PowerTrench MOSFET
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V NChannel UniFET
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel PowerTrench
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V/20V N-Ch PowerTrench SyncFET
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70 602En existencias
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onsemi IGBTs 600V/60A Field Stop IGBT ver. 2
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Analog Devices Detector de RF 50 MHz TO 9 GHz 65 dB TruPwr Detector
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Vishay Semiconductors Rectificadores 2.5 Amp 1500 Volt
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Infineon Technologies IGBTs 650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10 Amps 800V 1.1 Rds
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IXYS IGBTs XPT thin-wafer technology, 4th generation (Gen 4) Trench IGBT. Disc IGBT Gen 4 XPT PLUS247
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Toshiba Diodos de Conmutación de Señal Baja 0.1A 200V Switching High-Speed Diode
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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