Módulos IGBT IGBT 1700V 3600A
FZ3600R17HP4
Infineon Technologies
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641-FZ3600R17HP4
Infineon Technologies
Módulos IGBT IGBT 1700V 3600A
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Rectificadores y diodos Schottky 2A, 200V, SMP TRENCH SKY RECT.
V2P22LHM3_A/H
Vishay
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78-V2P22LHM3_A/H
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Vishay
Rectificadores y diodos Schottky 2A, 200V, SMP TRENCH SKY RECT.
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
IPB015N06NF2SATMA1
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726-IPB015N06NF2SATM
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
IPT022N10NF2SATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 165A N-CH MOSFET
R6055VNXC7G
ROHM Semiconductor
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ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 165A N-CH MOSFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 150V 25A N-CH
RH6R025BHTB1
ROHM Semiconductor
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 150V 25A N-CH
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HS0P8 100V 60A N CHAN
RS6P060BHTB1
ROHM Semiconductor
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HS0P8 100V 60A N CHAN
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 150V 35A N CHAN
RS6R035BHTB1
ROHM Semiconductor
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755-RS6R035BHTB1
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 150V 35A N CHAN
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Nch, 60V(Vdss), 70A(Id), (4.5V Drive)
RX3L07BBGC16
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ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Nch, 60V(Vdss), 70A(Id), (4.5V Drive)
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Nch, 150V(Vdss), 50A(Id), (6.0V, 10V Drive)
RX3R05BBHC16
ROHM Semiconductor
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ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Nch, 150V(Vdss), 50A(Id), (6.0V, 10V Drive)
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Rectificadores RECT 400V 3A SM GLASS
S3AFGHM3/I
Vishay Semiconductors
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Rectificadores RECT 400V 3A SM GLASS
12 597 En existencias
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Rectificadores RECT 400V 10A SM STD RCOVR
SE10DTG-M3/I
Vishay Semiconductors
1:
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3 970 En existencias
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78-SE10DTG-M3/I
Vishay Semiconductors
Rectificadores RECT 400V 10A SM STD RCOVR
3 970 En existencias
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Rectificadores RECT 400V 20A SM STD RCOVR
SE20DTLG-M3/I
Vishay Semiconductors
1:
₡1 545,78
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N.º de artículo de Mouser
78-SE20DTLG-M3/I
Vishay Semiconductors
Rectificadores RECT 400V 20A SM STD RCOVR
1 950 En existencias
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Diodos Schottky de SiC RECT 650V 16A SM POWER SIC
VS-3C16ET07S2L-M3
Vishay Semiconductors
1:
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78-VS-3C16ET07S2L-M3
Vishay Semiconductors
Diodos Schottky de SiC RECT 650V 16A SM POWER SIC
1 256 En existencias
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₡2 269,23
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Diodos Schottky de SiC RECT 650V 20A RDL POWER SIC
VS-3C20ET07T-M3
Vishay Semiconductors
1:
₡3 429,87
775 En existencias
N.º de artículo de Mouser
78-VS-3C20ET07T-M3
Vishay Semiconductors
Diodos Schottky de SiC RECT 650V 20A RDL POWER SIC
775 En existencias
1
₡3 429,87
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V 7L JEDEC GREEN EMC
FDB0165N807L
onsemi
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512-FDB0165N807L
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V 7L JEDEC GREEN EMC
2 980 En existencias
1
₡4 699,80
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₡2 966,65
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWM PFC COMBO
FDB86135
onsemi
1:
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13 608 En existencias
N.º de artículo de Mouser
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onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWM PFC COMBO
13 608 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V N-Channel Power Trench MOSFET
FDBL86062-F085
onsemi
1:
₡4 673,78
10 976 En existencias
N.º de artículo de Mouser
512-FDBL86062_F085
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V N-Channel Power Trench MOSFET
10 976 En existencias
1
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₡2 581,51
2 000
₡2 581,51
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
+1 imagen
FDD86326
onsemi
1:
₡1 353,21
26 572 En existencias
N.º de artículo de Mouser
512-FDD86326
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
26 572 En existencias
1
₡1 353,21
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2 500
₡863,97
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NCh 80V 120A 5.3mOhm PowerTrench MOSFET
FDMS030N06B
onsemi
1:
₡2 690,81
8 479 En existencias
N.º de artículo de Mouser
512-FDMS030N06B
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NCh 80V 120A 5.3mOhm PowerTrench MOSFET
8 479 En existencias
1
₡2 690,81
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100
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500
₡1 119,00
1 000
₡1 092,98
3 000
₡1 051,34
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trans MOS N-Ch 60V 1.7A
FDN5632N-F085
onsemi
1:
₡577,72
172 224 En existencias
N.º de artículo de Mouser
512-FDN5632N-F085
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trans MOS N-Ch 60V 1.7A
172 224 En existencias
1
₡577,72
10
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₡236,81
500
₡183,20
1 000
₡172,79
3 000
₡129,60
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3 000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET
FDP083N15A-F102
onsemi
1:
₡3 065,54
11 088 En existencias
N.º de artículo de Mouser
512-FDP083N15A_F102
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET
11 088 En existencias
1
₡3 065,54
10
₡1 623,85
100
₡1 478,12
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Si Transistor Epitaxial
FJL4315OTU
onsemi
1:
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6 176 En existencias
N.º de artículo de Mouser
512-FJL4315OTU
onsemi
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Si Transistor Epitaxial
6 176 En existencias
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IGBTs 500mJ, 450V EcoSPARK N-Chan Ignition IGBT
ISL9V5045S3ST-F085
onsemi
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₡3 174,84
6 071 En existencias
N.º de artículo de Mouser
512-ISL9V5045S3STF85
onsemi
IGBTs 500mJ, 450V EcoSPARK N-Chan Ignition IGBT
6 071 En existencias
1
₡3 174,84
10
₡2 123,50
800
₡2 123,50
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Máx.: 40
Carrete :
800
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET P-CHANNEL SOT-523
DMG1013T-7
Diodes Incorporated
1:
₡140,53
1 508 882 En existencias
N.º de artículo de Mouser
621-DMG1013T-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET P-CHANNEL SOT-523
1 508 882 En existencias
1
₡140,53
10
₡76,51
100
₡54,13
500
₡43,72
1 000
₡39,56
3 000
₡22,90
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Máx.: 3 000
Carrete :
3 000
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