190 A Semiconductores discretos

Tipos de Semiconductores discretos
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 41.6 A PMPAK-5x6
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2 995En existencias
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: 3 000

MOSFETs Si SMD/SMT PMPAK-8
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7S2R0-40H/SOT1235/LFPAK88
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6 000En existencias
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: 2 000

MOSFETs Si SMD/SMT LFPAK-88-4
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7Y1R4-40H/SOT669/LFPAK
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6 444En existencias
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: 1 500

MOSFETs Si SMD/SMT LFPAK-56-5
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y1R3-40H/SOT669/LFPAK
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1 253En existencias
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: 1 500

MOSFETs Si SMD/SMT LFPAK-56-5
Infineon Technologies Módulos de semiconductores discretos HybridPACK DSC S module with SiC MOSFET and NTC
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82En existencias
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Discrete Semiconductor Modules SiC Press Fit HybridPACK
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 7-pin package
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1 201En existencias
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: 1 000

MOSFETs Si SMD/SMT
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR SOP-ADVANCE(N) PD=210W F=1MHZ
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3 856En existencias
5 000Se espera el 27/1/2027
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: 5 000

MOSFETs Si SMD/SMT SOP-8
Infineon Technologies Módulos MOSFET CoolSiC MOSFET half bridge module 1200 V
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17En existencias
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MOSFET Modules SiC Screw Mount
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
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347En existencias
1 800Se espera el 31/8/2026
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: 1 800

MOSFETs Si SMD/SMT HDSOP-16
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
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2 615En existencias
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: 2 000

MOSFETs Si SMD/SMT HSOF-8
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR SOP8-ADV PD=170W F=1MHZ
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814En existencias
10 000Se espera el 16/11/2026
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: 5 000

MOSFETs Si SMD/SMT SOP-8
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 40V 190A 3.7mOhm 100nC Qg
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167En existencias
3 200Se espera el 11/2/2027
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: 800

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Renesas Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 150V 3.9mohm TOLL
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Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 2 000
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: 2 000

MOSFETs GaN SMD/SMT TOLL
Renesas Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 150V 3.9mohm TOLT
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Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
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: 1 300

MOSFETs GaN SMD/SMT TOLT
Renesas Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Ind. MOS REXFET-1 150V 3.9mohm TOLT
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Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 1 300
Mult.: 1 300
: 1 300

MOSFETs GaN SMD/SMT TOLT
Renesas Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Ind. MOS REXFET-1 150V 3.9mohm TOLL
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Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 2 000
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: 2 000

MOSFETs GaN SMD/SMT TOLL
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 3 000
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: 3 000

MOSFETs Si SMD/SMT TO-252AA-2
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
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Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

MOSFETs Si SMD/SMT DFN-5060-8
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 1 800
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: 1 800

MOSFETs Si SMD/SMT HSOG-8
IXYS Módulos MOSFET ISOPLUS 100V 190A 3-PH BRIDGE
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Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
Min.: 104
Mult.: 104
MOSFET Modules Si SMD/SMT ISOPLUS-DIL-17
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V 190A, HSOP8, Power MOSFET
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

MOSFETs Si SMD/SMT HSOP-8
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 190A 4 mOhm Automotive MOSFET
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Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas
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Mult.: 1
: 800

MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-7