48 A Semiconductores discretos

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
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Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS 5 300 V 70 mOhm TO-247
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148En existencias
663En pedido
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 48 Amp
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71En existencias
100Se espera el 29/1/2027
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MOSFETs Si SMD/SMT ISOTOP-4

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.058 Ohm typ., 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 packag
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598En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V N Chan Shielded Gate Power Trench
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4 118En existencias
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: 3 000

MOSFETs Si SMD/SMT Power-33-8

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch LL FET Enhancement Mode
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4 023En existencias
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Máx.: 200

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3

Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Chnl MOSFET A 595-CSD17578Q3A A 59 A 595-CSD17578Q3A
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23 064En existencias
7 500Se espera el 18/9/2026
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: 2 500

MOSFETs Si SMD/SMT VSONP-8
EPC GaN FETs EPC eGaN FET,60 V, 2.6 milliohm at 5 V, BGA 4.6 x 2.6
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500En existencias
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: 500

GaN FETs SMD/SMT BGA-24
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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2 993En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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1 255En existencias
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: 1 000

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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1 951En existencias
5 000Se espera el 25/2/2027
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 48A N-CH X2CLASS
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302En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel FET Enhancement Mode
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482En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V
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14En existencias
4 000Se espera el 16/7/2027
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Máx.: 2 000
: 2 000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerDI3333-8
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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18En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-4
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TenchP Power MOSFET
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278En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET
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326En existencias
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: 1 500
MOSFETs Si SMD/SMT WDFN-8
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET
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100En existencias
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: 1 500

MOSFETs Si SMD/SMT WDFN-8
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG NCH U8FL
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16En existencias
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: 1 500

MOSFETs Si SMD/SMT WDFN-8
Diotec Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 48A, 150C, N, AEC-Q101
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4 980En existencias
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: 5 000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerQFN 5x6
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 48A, Dual N-Channel Power MOSFET
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2 824En existencias
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: 2 500

MOSFETs Si SMD/SMT PDFN-56-8
GeneSiC Semiconductor MOSFETs de SiC 1700V 45mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
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117En existencias
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SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4
Diotec Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, PowerQFN 3x3, 40V, 48A, 150C, N, AEC-Q101
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4 621En existencias
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Min.: 1
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: 5 000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerQFN 3x3
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 48A, Dual N-Channel Power MOSFET
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1 804En existencias
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Min.: 1
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: 2 500

MOSFETs Si SMD/SMT PDFN-56
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -100V Vds 20V Vgs SO-8
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83 478En pedido
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Máx.: 6 000
: 3 000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8
EPC GaN FETs EPC eGaN FET,160 V, 8 milliohm at 5 V, BGA 4.6 x 2.6
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457En existencias
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Mult.: 1
: 500

GaN FETs GaN SMD/SMT BGA