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STMicroelectronics PowerMESH Semiconductores discretos

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Tipos de Semiconductores discretos

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tipo de producto	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta
IGBTs N-CH 7 A - 600V POWERMESH IGBT STGF7NB60SL STMicroelectronics 1: ₡1 290,75 2 872En existencias	N.º de artículo del Fabricante STGF7NB60SL N.º de artículo de Mouser 511-STGF7NB60SL	STMicroelectronics	IGBTs N-CH 7 A - 600V POWERMESH IGBT Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm stgxx igbt	Hoja de datos	2 872En existencias	₡1 290,75 ₡546,49 ₡500,69 ₡426,78 ₡387,75	Min.: 1 Mult.: 1	IGBTs	Si	Through Hole	TO-220-3 FP
IGBTs N-CHANNEL IGBT STGW30NC120HD STMicroelectronics 1: ₡3 304,96 2 395En existencias	N.º de artículo del Fabricante STGW30NC120HD N.º de artículo de Mouser 511-STGW30NC120HD	STMicroelectronics	IGBTs N-CHANNEL IGBT	Hoja de datos	2 395En existencias	₡3 304,96 ₡1 686,31 ₡1 389,64	Min.: 1 Mult.: 1	IGBTs	Si	Through Hole	TO-247-3
IGBTs N-Ch 600 Volt 7 Amp STGD7NB60ST4 STMicroelectronics 1: ₡1 660,28 4 997En existencias	N.º de artículo del Fabricante STGD7NB60ST4 N.º de artículo de Mouser 511-STGD7NB60ST4	STMicroelectronics	IGBTs N-Ch 600 Volt 7 Amp Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm standard products	Hoja de datos	4 997En existencias	Cinta cortada ₡1 660,28 ₡1 077,36 ₡744,27 ₡603,74 ₡588,13 Envase tipo carrete ₡551,69 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 500	IGBTs	Si	SMD/SMT	TO-252-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1500V 6Ohm 2.5A N-Channel STP3N150 STMicroelectronics 1: ₡3 393,43 1 211En existencias	N.º de artículo del Fabricante STP3N150 N.º de artículo de Mouser 511-STP3N150	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1500V 6Ohm 2.5A N-Channel	Hoja de datos	1 211En existencias	₡3 393,43 ₡1 852,86 ₡1 696,72 ₡1 566,60 Ver ₡1 441,69 Presupuesto	Min.: 1 Mult.: 1	MOSFETs	Si	Through Hole	TO-220-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1700 V, 7 Ohm typ., 2.6 A, PowerMESH Power MOSFET in TO-247 package STW3N170 STMicroelectronics 1: ₡3 471,50 707En existencias	N.º de artículo del Fabricante STW3N170 N.º de artículo de Mouser 511-STW3N170	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1700 V, 7 Ohm typ., 2.6 A, PowerMESH Power MOSFET in TO-247 package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm n channel powermesh mosfets	Hoja de datos	707En existencias	₡3 471,50 ₡1 800,81 ₡1 467,71	Min.: 1 Mult.: 1	MOSFETs	Si	Through Hole	TO-3PF-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V PowerMesh STW4N150 STMicroelectronics 1: ₡4 226,18 1 240En existencias	N.º de artículo del Fabricante STW4N150 N.º de artículo de Mouser 511-STW4N150	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V PowerMesh Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm n channel powermesh mosfets	Hoja de datos	1 240En existencias	₡4 226,18 ₡2 539,87 ₡2 274,43 ₡2 003,79 ₡1 806,01	Min.: 1 Mult.: 1	MOSFETs	Si	Through Hole	TO-247-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 40 Amp STE40NC60 STMicroelectronics 1: ₡22 109,37 30En existencias	N.º de artículo del Fabricante STE40NC60 N.º de artículo de Mouser 511-STE40NC60	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 40 Amp Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm standard products	Hoja de datos	30En existencias	₡22 109,37 ₡16 040,74 ₡15 707,65	Min.: 1 Mult.: 1	MOSFETs	Si	SMD/SMT	ISOTOP-4
IGBTs N-Ch Clamped 20 Amp STGB20NB41LZT4 STMicroelectronics 1: ₡2 388,94 446En existencias 1 000Se espera el 11/6/2027	N.º de artículo del Fabricante STGB20NB41LZT4 N.º de artículo de Mouser 511-STGB20NB41LZ	STMicroelectronics	IGBTs N-Ch Clamped 20 Amp	Hoja de datos	446En existencias 1 000Se espera el 11/6/2027	Cinta cortada ₡2 388,94 ₡1 566,60 ₡1 165,84 ₡978,47 Envase tipo carrete ₡905,61 ₡848,36 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1 000	IGBTs	Si	SMD/SMT	D2PAK-3
IGBTs N-channel 600 V, 7 A very fast IGBT STGD6NC60H-1 STMicroelectronics 1: ₡1 124,21 2 001En existencias	N.º de artículo del Fabricante STGD6NC60H-1 N.º de artículo de Mouser 511-STGD6NC60H-1	STMicroelectronics	IGBTs N-channel 600 V, 7 A very fast IGBT	Hoja de datos	2 001En existencias	₡1 124,21 ₡702,63 ₡465,30 ₡369,01 Ver ₡327,89 ₡299,79 ₡288,34 ₡277,93	Min.: 1 Mult.: 1	IGBTs	Si	Through Hole	IPAK-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 1500V 6Ohm 2.5A PowerMESH STH3N150-2 STMicroelectronics 1: ₡3 419,46 54En existencias 27 000En pedido	N.º de artículo del Fabricante STH3N150-2 N.º de artículo de Mouser 511-STH3N150-2	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 1500V 6Ohm 2.5A PowerMESH Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm n channel powermesh mosfets	Hoja de datos	54En existencias 27 000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: STH3N150-2 Existencias: 54 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 9 000 Se espera el 25/11/2026 18 000 Se espera el 26/2/2027 Plazo de entrega de fábrica: 32 Semanas	Cinta cortada ₡3 419,46 ₡2 128,70 ₡1 832,04 ₡1 748,76 Envase tipo carrete ₡1 400,05 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1 000	MOSFETs	Si	SMD/SMT	H2PAK-2
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PowerMESH MOSFET STP4N150 STMicroelectronics 1: ₡3 258,11 56En existencias 5 000Se espera el 13/8/2027	N.º de artículo del Fabricante STP4N150 N.º de artículo de Mouser 511-STP4N150	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PowerMESH MOSFET Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm n channel powermesh mosfets	Hoja de datos	56En existencias 5 000Se espera el 13/8/2027	₡3 258,11 ₡1 889,29 ₡1 582,21 ₡1 446,89 ₡1 358,41	Min.: 1 Mult.: 1	MOSFETs	Si	Through Hole	TO-220-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1500V 6Ohm 2.5A N-Channel STW3N150 STMicroelectronics 1: ₡2 893,79 7 200En pedido	N.º de artículo del Fabricante STW3N150 N.º de artículo de Mouser 511-STW3N150	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1500V 6Ohm 2.5A N-Channel	Hoja de datos	7 200En pedido	₡2 893,79 ₡1 472,92 ₡1 337,60 ₡1 207,48	Min.: 1 Mult.: 1	MOSFETs	Si	Through Hole	TO-247-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 53 Amp STE53NC50 STMicroelectronics 1: ₡22 348,78 395En pedido	N.º de artículo del Fabricante STE53NC50 N.º de artículo de Mouser 511-STE53NC50	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 53 Amp Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm standard products	Hoja de datos	395En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: STE53NC50 Existencias: 0 En pedido: 195 Se espera el 29/1/2027 200 Se espera el 5/2/2027 Plazo de entrega de fábrica: 32 Semanas	₡22 348,78 ₡16 394,66	Min.: 1 Mult.: 1	MOSFETs	Si	SMD/SMT	ISOTOP-4
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V 2.5 A PowerMESH STFW3N150 STMicroelectronics 1: ₡3 003,09 6 600En pedido	N.º de artículo del Fabricante STFW3N150 N.º de artículo de Mouser 511-STFW3N150	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V 2.5 A PowerMESH Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm n channel powermesh mosfets	Hoja de datos	6 600En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: STFW3N150 Existencias: 0 En pedido: 4 200 Se espera el 1/1/2027 2 400 A determinar Plazo de entrega de fábrica: 34 Semanas	₡3 003,09 ₡1 426,08 ₡1 191,87 ₡1 181,46	Min.: 1 Mult.: 1	MOSFETs	Si	Through Hole	TO-3PF-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1700 V, 7 Ohm typ., 2.6 A, PowerMESH Power MOSFET in TO-3PF package STFW3N170 STMicroelectronics 1: ₡3 721,33 1 760En pedido	N.º de artículo del Fabricante STFW3N170 N.º de artículo de Mouser 511-STFW3N170	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1700 V, 7 Ohm typ., 2.6 A, PowerMESH Power MOSFET in TO-3PF package	Hoja de datos	1 760En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: STFW3N170 Existencias: 0 En pedido: 860 Se espera el 2/4/2027 900 Se espera el 25/6/2027 Plazo de entrega de fábrica: 34 Semanas	₡3 721,33 ₡1 930,93 ₡1 644,67 ₡1 550,99	Min.: 1 Mult.: 1	MOSFETs	Si	Through Hole	TO-3PF-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V 4 A PowerMESH STFW4N150 STMicroelectronics 1: ₡3 757,76 900Se espera el 25/6/2027	N.º de artículo del Fabricante STFW4N150 N.º de artículo de Mouser 511-STFW4N150	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V 4 A PowerMESH Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm n channel powermesh mosfets	Hoja de datos	900Se espera el 25/6/2027	₡3 757,76 ₡1 962,15 ₡1 629,06	Min.: 1 Mult.: 1	MOSFETs	Si	Through Hole	TO-3PF-3
Módulos IGBT N-Ch 600 Volt 150Amp STGE200NB60S STMicroelectronics 1: ₡16 451,91 300En pedido	N.º de artículo del Fabricante STGE200NB60S N.º de artículo de Mouser 511-STGE200NB60S	STMicroelectronics	Módulos IGBT N-Ch 600 Volt 150Amp Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm stgxx igbt	Hoja de datos	300En pedido	₡16 451,91 ₡12 069,59 ₡10 659,13	Min.: 1 Mult.: 1	IGBT Modules	Si	Through Hole	ISOTOP-4
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 1500V HI-VOLT PWRMESH PWR MOSFET STW9N150 STMicroelectronics 1: ₡5 282,72 1 199En pedido	N.º de artículo del Fabricante STW9N150 N.º de artículo de Mouser 511-STW9N150	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 1500V HI-VOLT PWRMESH PWR MOSFET	Hoja de datos	1 199En pedido	₡5 282,72 ₡2 852,15 ₡2 555,49	Min.: 1 Mult.: 1	MOSFETs	Si	Through Hole	TO-247-3
IGBTs N Ch 10A 600V STGD10NC60HT4 STMicroelectronics 2 500: ₡354,96 Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas	N.º de artículo del Fabricante STGD10NC60HT4 N.º de artículo de Mouser 511-STGD10NC60HT4	STMicroelectronics	IGBTs N Ch 10A 600V	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas	Envase tipo carrete ₡354,96	Min.: 2 500 Mult.: 2 500 : 2 500	IGBTs	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)