TO-247-4 Semiconductores

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onsemi IGBTs FS3 TIGBT Excellent switching performan
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 75A TO247-4
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onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 1200V 160MOHM INDUSTRY PART
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Wolfspeed MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 75m, 1200V, TO-247-4, 175C capable, Industrial
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Infineon Technologies IGBTs IGBT PRODUCTS
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onsemi IGBTs 1200V 40A FSIII IGBT LOW VCESAT AND FAST FRD
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onsemi IGBTs FS4 MID SPEED IGBT 650V 75A TO247-4L WITH FULL RATED CURRENT DIODE
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onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 80MOHM 1200V
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onsemi MOSFETs de SiC 650V/80MOSICFETG3TO247-4
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onsemi MOSFETs de SiC 650V/7MOSICFETG3TO247-4
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onsemi MOSFETs de SiC 1200V/16MOSICFETG3TO24
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onsemi MOSFETs de SiC 1200V/70MOSICFETG4TO247-4
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Microchip Technology MOSFETs de SiC MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-247-4
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 45 mOhm typ., 52 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO247-4 package
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onsemi MOSFETs de SiC 1200V/40MOSICFETG3TO247-4
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V N-Channel SuperFET III MOSFET
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Infineon Technologies IGBTs 650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO247-4 package
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onsemi MOSFETs de SiC 1200V/23MOSICFETG4TO24
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onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 650V
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Infineon Technologies IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
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Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
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ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO247 650V 39A N-CH SIC
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Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V 76A NChn MOSFET SuperFET II, FRFET
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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