TO-247-4 Semiconductores

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 12MOHM 650V M3S
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423En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 44

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 16MOHM 650V M3S
Hoja de datos
381En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 42

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 12MOHM 650V M3S
Hoja de datos
439En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 44

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 16MOHM 650V M3S
Hoja de datos
450En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 45

Wolfspeed MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 47mohm, 1200V, TO-247-4, Automotive, Gen4
Hoja de datos
450En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC 1200V Nch SiC Trench MOSFET in 4pin Package - SCT3105KR is a trench gate structure SiC MOSFET ideal for server power supplies, solar inverters, and electric vehicle charging stations. A 4pin package that separates the power source terminal and driver
Hoja de datos
87En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies IGBTs High speed and low saturation voltage 750 V TRENCHSTOP IGBT7 technology
Hoja de datos
143En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
Hoja de datos
126En existencias
240Se espera el 5/11/2026
Min.: 1
Mult.: 1

onsemi Transistor de unión de efecto de campo (JFET) UF3N120007K4S
Hoja de datos
1 099En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 112

onsemi Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 750V/9MOCOMBO-FETG4TO2
Hoja de datos
540En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 54

Microchip Technology MOSFETs de SiC MOSFET SIC 700 V 15 mOhm TO-247-4 Notch
Hoja de datos
164En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
218En existencias
240Se espera el 3/9/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
240En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2
Hoja de datos
356En existencias
480En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2
Hoja de datos
493En existencias
240En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 22 mohm G2
Hoja de datos
1 377En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2
Hoja de datos
699En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 53 mohm G2
Hoja de datos
677En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 78 mohm G2
Hoja de datos
460En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IXYS MOSFETs de SiC TO247 1200V N CH 20A
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542En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 450

IXYS MOSFETs de SiC SiC MOSFET in TO247-4L HV
Hoja de datos
550En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IXYS MOSFETs de SiC SiC MOSFET in TO247-4L HV
Hoja de datos
550En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

ROHM Semiconductor IGBTs 10 s Short-Circuit Tolerance, 1200V 69A, FRD Built-in, TO-247-4L, Field Stop Trench IGBT for Automotive
Hoja de datos
894En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

ROHM Semiconductor IGBTs 10 s Short-Circuit Tolerance, 1200V 69A, TO-247-4L, Field Stop Trench IGBT for Automotive
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408En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

onsemi Transistor de unión de efecto de campo (JFET) UJ4N075005K4S
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326En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 35