SiC Semiconductores

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
Infineon Technologies Módulos MOSFET EasyPACK module with CoolSiC Trench MOSFET
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Infineon Technologies Módulos MOSFET EASY
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3En existencias
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Infineon Technologies Módulos de semiconductores discretos HYBRID PACK DRIVE G2 SIC
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5En existencias
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IXYS Integrated Circuits Controladores de puertas 9A Low Side SiC MOSFET & IGBT Driver, 16-Pin SOIC
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362En existencias
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ROHM Semiconductor Módulos MOSFET 1200V, 291A, Half bridge, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET
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1En existencias
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NXP Semiconductors Controladores de puerta con aislamiento galvánico IGBT & SiC GDIC for xEV traction inverters
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84En existencias
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NXP Semiconductors Controladores de puerta con aislamiento galvánico IGBT & SiC GDIC for xEV traction inverters
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84En existencias
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onsemi Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 750V/11MOCOMBO-FETG4TO
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549En existencias
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onsemi Módulos MOSFET 1200V 3M M3S SIC HALFBRIDGE WITH HPS DBC IN F2 MODULES
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5En existencias
80En pedido
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onsemi Módulos MOSFET 1200V 6MOHM M3S SIC HALFBRIDGE WITH HPS DBC IN F2 MODULES
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1En existencias
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onsemi Módulos MOSFET SIC A1HPM 1200 V
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1En existencias
36Se espera el 13/11/2026
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Máx.: 10

onsemi Módulos MOSFET APM32 SIC POWER MODULE
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27En existencias
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onsemi Módulos MOSFET 30M OHM 1200V 40A M3S SIC FULL BRIDGE MODULE
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8En existencias
Min.: 1
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onsemi Módulos MOSFET 30M 1200V 40A M3S SIC HALF BRIDGE MODULE
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14En existencias
Min.: 1
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Wolfspeed Módulos de semiconductores discretos SiC, Module, 16mohm, 1200V, 33.8 mm, FM3, Half-Bridge, Industrial, Gen 3, Pre-Applied TIM
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13En existencias
39Se espera el 16/10/2026
Min.: 1
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Wolfspeed Módulos de semiconductores discretos SiC, Module, 175A, 1200V, 62mm, BM3, Half-Bridge, Industrial, Harsh Environment
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3En existencias
Min.: 1
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onsemi Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 1700V/400MOSICJFETG3TO263-7
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1 199En existencias
1 600Se espera el 9/9/2026
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Máx.: 120
: 800

onsemi Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 650V/25MOSICJFETG3TO2
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130En existencias
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Mult.: 1

onsemi Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 650V/80MOSICJFETG3TO2
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285En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 20

onsemi Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 1200V/65MOSICJFETG3TO
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385En existencias
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Máx.: 30

onsemi Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 1200V/70MOSICJFETG3TO
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382En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 20

Microchip Technology Módulos de semiconductores discretos PM-MOSFET-SIC-SBD-SP3F
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10En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Microchip Technology Controladores de puertas 62mm Electrical Main-1200V
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10En existencias
Min.: 1
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Microchip Technology Módulos MOSFET MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm SOT-227
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50En existencias
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Mult.: 1

STMicroelectronics Controladores de puerta con aislamiento galvánico Galvanically isolated 4 A dual gate driver
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777En existencias
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: 1 000