GaN FETs Redesign of QPD1014
QPD1014ASR
Qorvo
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Qorvo
GaN FETs Redesign of QPD1014
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IGBTs FS4 70A HIGH SPEED CO-PACK WITH SIC DIODE 20A GEN1.5
AFGBG70T65SQDC
onsemi
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863-AFGBG70T65SQDC
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IGBTs FS4 70A HIGH SPEED CO-PACK WITH SIC DIODE 20A GEN1.5
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Módulos de semiconductores discretos PM-MOSFET-SIC-SBD-BL1
MSCSM120DAM31CTBL1NG
Microchip Technology
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579-M120DAM31CTBL1NG
Microchip Technology
Módulos de semiconductores discretos PM-MOSFET-SIC-SBD-BL1
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Módulos de semiconductores discretos PM-MOSFET-SIC-SBD-BL1
MSCSM120AM31CTBL1NG
Microchip Technology
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Módulos de semiconductores discretos PM-MOSFET-SIC-SBD-BL1
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Módulos de Diodos PM-DIODE-SIC-SBD-SOT227
MSC50DC70HJ
Microchip Technology
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494-MSC50DC70HJ
Microchip Technology
Módulos de Diodos PM-DIODE-SIC-SBD-SOT227
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Controladores de puertas Low-Side Driver with positive OCP and 12
UCC57132BDR
Texas Instruments
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595-UCC57132BDR
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Controladores de puertas Low-Side Driver with positive OCP and 12
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Controladores de puertas Automotive Low-Side Driver with positive
UCC57132BQDRQ1
Texas Instruments
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595-UCC57132BQDRQ1
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Controladores de puertas Automotive Low-Side Driver with positive
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Controladores de puertas Low-Side Driver with positive OCP and 8V
UCC57138CDR
Texas Instruments
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595-UCC57138CDR
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Controladores de puertas Low-Side Driver with positive OCP and 8V
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Módulos IGBT EasyPACK 1B module with Trench/Fieldstop IGBT H5 and CoolSiC Schottky diode and NTC
DF300R07W1H5FB20BPSA1
Infineon Technologies
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726-DF300R07W1H5FB20
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Infineon Technologies
Módulos IGBT EasyPACK 1B module with Trench/Fieldstop IGBT H5 and CoolSiC Schottky diode and NTC
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Módulos IGBT EasyPACK HD3 module with TRENCHSTOP H7 and CoolSiC Schottky diode and NTC
FC560R12D3H7FB78BPSA1
Infineon Technologies
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726-FC560R12D3H7FB78
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Módulos IGBT EasyPACK HD3 module with TRENCHSTOP H7 and CoolSiC Schottky diode and NTC
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Módulos de semiconductores discretos HybridPACK Drive G2 module
FS1150R08A8P3CHPSA1
Infineon Technologies
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726-FS1150R08A8P3CHP
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Infineon Technologies
Módulos de semiconductores discretos HybridPACK Drive G2 module
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Módulos de semiconductores discretos SiC, Module, 7.5m, 2300V, 48 mm, AlN GM4, Half-Bridge, Industrial, Pre-Applied TIM
CAB7R5A23GM4T
Wolfspeed
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941-CAB7R5A23GM4T
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Wolfspeed
Módulos de semiconductores discretos SiC, Module, 7.5m, 2300V, 48 mm, AlN GM4, Half-Bridge, Industrial, Pre-Applied TIM
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Controladores de puertas Automotive 20A rea l -time variable IGBT
UCC5881QDFCRQ1
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595-UCC5881QDFCRQ1
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Texas Instruments
Controladores de puertas Automotive 20A rea l -time variable IGBT
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
IMT44R011M2HXTMA2
Infineon Technologies
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726-IMT44R011M2HXTMA
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
1 670 En existencias
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₡5 803,19
2 000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
IMT44R015M2HXTMA2
Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser
726-IMT44R015M2HXTMA
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
1 980 En existencias
1
₡7 833,00
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1 000
₡4 330,27
2 000
₡4 330,27
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2 000
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Módulos MOSFET half-bridge module consisting of SiC-MOSFETs, suitable for Automotive application, Inverter, Converter, and (Hybrid) electrical vehicles EV/HEV.
BST400D12P4A101
ROHM Semiconductor
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₡271 594,46
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755-BST400D12P4A101
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ROHM Semiconductor
Módulos MOSFET half-bridge module consisting of SiC-MOSFETs, suitable for Automotive application, Inverter, Converter, and (Hybrid) electrical vehicles EV/HEV.
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Transistor de unión de efecto de campo (JFET) UF3N120007K4S
UF3N120007K4S
onsemi
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1 105 En existencias
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772-UF3N120007K4S
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onsemi
Transistor de unión de efecto de campo (JFET) UF3N120007K4S
1 105 En existencias
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₡33 429,49
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₡26 918,47
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Transistor de unión de efecto de campo (JFET) UG4SC075005L8S
UG4SC075005L8S
onsemi
1:
₡28 740,10
1 075 En existencias
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N.º de artículo de Mouser
772-UG4SC075005L8S
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onsemi
Transistor de unión de efecto de campo (JFET) UG4SC075005L8S
1 075 En existencias
1
₡28 740,10
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₡20 766,57
2 000
₡20 766,57
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Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 750V/9MOCOMBO-FETG4TO2
UG4SC075009K4S
onsemi
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₡12 574,44
540 En existencias
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N.º de artículo de Mouser
772-UG4SC075009K4S
Nuevo producto
onsemi
Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 750V/9MOCOMBO-FETG4TO2
540 En existencias
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₡12 574,44
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₡9 394,40
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Transistor de unión de efecto de campo (JFET) UJ4N075004L8S
UJ4N075004L8S
onsemi
1:
₡24 165,21
1 907 En existencias
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N.º de artículo de Mouser
772-UJ4N075004L8S
Nuevo producto
onsemi
Transistor de unión de efecto de campo (JFET) UJ4N075004L8S
1 907 En existencias
1
₡24 165,21
10
₡19 075,06
100
₡17 930,03
2 000
₡17 930,03
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 191
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2 000
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Módulos MOSFET MODULES MOSFETS - SOT-227 SIC MOSFET
VS-SF150SA120
Vishay Semiconductors
1:
₡38 956,84
298 En existencias
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N.º de artículo de Mouser
78-VS-SF150SA120
Nuevo producto
Vishay Semiconductors
Módulos MOSFET MODULES MOSFETS - SOT-227 SIC MOSFET
298 En existencias
1
₡38 956,84
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₡32 019,03
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Detalles
Módulos de Potencia Inteligentes - IPMs SIC M3 1200V 25MOHM SPM31
NFAM2512SCBUT
onsemi
1:
₡44 994,23
227 En existencias
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N.º de artículo de Mouser
863-NFAM2512SCBUT
Nuevo producto
onsemi
Módulos de Potencia Inteligentes - IPMs SIC M3 1200V 25MOHM SPM31
227 En existencias
1
₡44 994,23
10
₡33 934,34
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 23
Detalles
Módulos MOSFET SiC Module, 3.5m, 1200V, DM4, Half-Bridge, Industrial
CAB3R5M12DM4
Wolfspeed
1:
₡384 415,74
72 En existencias
49 En pedido
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N.º de artículo de Mouser
941-CAB3R5M12DM4
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Wolfspeed
Módulos MOSFET SiC Module, 3.5m, 1200V, DM4, Half-Bridge, Industrial
72 En existencias
49 En pedido
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Existencias:
72 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
36 Se espera el 11/12/2026
13 Se espera el 16/12/2026
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1
₡384 415,74
10
₡334 586,39
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Módulos de semiconductores discretos 1200V, 530A SiC
CAS530M12BM3
Wolfspeed
1:
₡320 669,14
24 En existencias
N.º de artículo de Mouser
941-CAS530M12BM3
Wolfspeed
Módulos de semiconductores discretos 1200V, 530A SiC
24 En existencias
1
₡320 669,14
10
₡316 989,45
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Mult.: 1
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Módulos MOSFET EasyPACK 2C CoolSiC MOSFET M2 .XT, 3-level module 1200 V, 8 mOhm with NTC temperature sensor and high current PressFIT contact technology
F3L8MXTR12C2M2H11BPSA1
Infineon Technologies
1:
₡92 465,88
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Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
726-F3L8MXTR12C2M2H1
Nuevo producto
Infineon Technologies
Módulos MOSFET EasyPACK 2C CoolSiC MOSFET M2 .XT, 3-level module 1200 V, 8 mOhm with NTC temperature sensor and high current PressFIT contact technology
33 En existencias
1
₡92 465,88
10
₡89 629,35
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Mult.: 1
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