STMicroelectronics Semiconductores discretos

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
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STMicroelectronics IGBTs N-Ch 600 Volt 10 Amp
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-220-3 FP
STMicroelectronics IGBTs N-Ch 1200 Volt 3 Amp
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-220-3 FP
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.002 Ohm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-6 pac
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3 650En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-7
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 2.9 mOhm typ., 55 A STripFET F6 Power MOSFET in
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MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 80 V, 4.0 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x
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MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.195 Ohm typ., 15 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
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MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-5
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 2.1Ohm typ 2.5A Zener-protecte
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MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 11 Amp
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 950V 0.41Ohm typ. 12A MDmesh K5
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.21 Ohm typ., 20 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.078Ohm typ. 34A MDmesh M2
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Rectificadores y diodos Schottky Pwr SCHOTTKY RECTIFIER
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Schottky Diodes & Rectifiers Si SMD/SMT SMB (DO-214AA)
STMicroelectronics Diodos Schottky de SiC 650 V 10A Schottky silicon carbid T2PAK
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SiC Schottky Diodes SMD/SMT D2PAK
STMicroelectronics Diodos Schottky de SiC Dual 650V Pwr Schtky Silicn Carbide Diode
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Diodos Schottky de SiC 650 V 8A Schottky silicon carbide DPAK
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SiC Schottky Diodes SMD/SMT DPAK
STMicroelectronics Rectificadores High Freq REC 2x10 300V 0.95V 26ns
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Rectifiers Through Hole TO-220AB-3
STMicroelectronics Rectificadores 5 Amp 600 Volt
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Rectifiers Through Hole TO-220FPAC
STMicroelectronics Rectificadores Automotive ultrafast rectifier 200V, dual 3A
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Rectifiers SMD/SMT TO-277A
STMicroelectronics Rectificadores Ultrafast Recovery 8A 1000V 1.30VF 47ns
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Rectifiers SMD/SMT D2PAK

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 14 Amp Zener SuperMESH
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820En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5
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570En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 30 Amp
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693En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 46 A MDmesh DM6 Power MOSFET
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3