GaN FETs

Resultados: 11
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Tecnología
STMicroelectronics GaN FETs 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor
Hoja de datos
374En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 800

SMD/SMT TO-LL-11 700 V 26 A 70 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 8.5 nC - 55 C + 150 C 231 W Enhancement GaN
STMicroelectronics GaN FETs 700 V, 60 mOhm typ., 29 A, e-mode PowerGaN transistor
Hoja de datos
728En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 29 A 80 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 6.2 nC - 55 C + 150 C 188 W Enhancement GaN
STMicroelectronics GaN FETs 700 V, 80 mOhm typ., 21.7 A, e-mode PowerGaN transistor
Hoja de datos
768En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 21.7 A 105 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 4.8 nC - 55 C + 150 C 158 W Enhancement GaN
STMicroelectronics GaN FETs 700 V, 106 mOhm typ., 17 A, e-mode PowerGaN transistor
Hoja de datos
637En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 17 A 140 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement GaN
STMicroelectronics GaN FETs 700 V, 138 mOhm typ., 11.5 A, e-mode PowerGaN transistor
Hoja de datos
790En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 11.5 A 190 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement GaN
STMicroelectronics GaN FETs 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor
Hoja de datos
693En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 100
: 3 000

SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 10 A 240 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 2 nC - 55 C + 150 C 76 W Enhancement GaN
STMicroelectronics GaN FETs 700 V, 270 mOhm typ., 6 A, e-mode PowerGaN transistor
Hoja de datos
552En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

SMD/SMT DPAK-3 700 V 6 A 350 mOhms - 1.4 V, + 7 V 2.5 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 47 W Enhancement GaN
STMicroelectronics GaN FETs 100 V, 1.1 mOhm typ., 474 A, e-mode PowerGaN transistor
Hoja de datos
349En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

SMD/SMT FCLGA-8 N-Channel 1 Channel 100 V 501 A 1.5 mOhms - 4 V to + 6 V 2.1 V 15.9 nC - 40 C + 150 C 735 W Enhancement GaN
STMicroelectronics SGT240R70ITK
STMicroelectronics GaN FETs 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor
Hoja de datos
2 500Se espera el 20/11/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

STMicroelectronics GaN FETs 100 V, 2.9 mOhm typ., 201 A, e-mode PowerGaN transistor
Hoja de datos
500En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

SMD/SMT FCLGA-8 N-Channel 1 Channel 100 V 201 A 3.5 mOhms - 4 V to + 6 V 2.1 V 6.3 nC - 40 C + 150 C 255 W Enhancement GaN
STMicroelectronics GaN FETs 650 V, 49 mOhm typ., 25 A, e-mode PowerGaN transistor
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

SMD/SMT PowerFLAT-4 N-Channel 1 Channel 650 V 25 A 65 mOhms + 6 V 1.8 V 5.4 nC - 55 C + 150 C 305 W GaN-on-Si