Features
- Low on-resistance
- Small surface mount package (SOP8)
- Pb-free plating; RoHS compliant
- Halogen-free
- Sn100% plating
- AEC-Q101 qualified
Applications
- Switching
- Motor drive
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| N.º de artículo | Hoja de datos | Descripción | Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente | Id - Corriente de drenaje continua | Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente |
|---|---|---|---|---|---|
| SP8K33HZGTB | ![]() |
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AECQ | 60 V | 5 A | 48 mOhms |
| SP8K24HZGTB | ![]() |
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AECQ | 45 V | 6 A | 25 mOhms |
| SP8K31HZGTB | ![]() |
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AECQ | 60 V | 3.5 A | 120 mOhms |
| SP8K41HZGTB | ![]() |
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AECQ | 80 V | 3.4 A | 130 mOhms |
| SP8K22HZGTB | ![]() |
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AECQ | 45 V | 4.5 A | 46 mOhms |
| SP8K52HZGTB | ![]() |
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AECQ | 100 V | 3 A | 170 mOhms |
| SP8K32HZGTB | ![]() |
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AECQ | 60 V | 4.5 A | 65 mOhms |
Publicado: 2022-02-08
| Actualizado: 2022-03-11

