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BIDW50N65T

Name: Bourns BIDW50N65T
Brand: Bourns
SKU: 652-BIDW50N65T
Price: 2929 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

652-BIDW50N65T

Fabricante N.º:

BIDW50N65T

Fabricante:

Bourns

Descripción:

IGBTs IGBT Discrete 650V, 50A in TO-247

Hoja de datos:

BIDW50N65T Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡2 929	₡2 929
	₡1 670	₡16 700
	₡1 456	₡145 600
	₡1 450	₡870 000
	₡1 444	₡1 732 800
10 200	Presupuesto

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Bourns
Categoría de producto:	IGBTs
RoHS:
Tecnología:	Si
Paquete / Cubierta:	TO-247-3
Estilo de montaje:	Through Hole
Configuración:	Single
Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	650 V
Voltaje de saturación colector-emisor:	1.65 V
Máximo voltaje puerta-emisor:	- 20 V, 20 V
Colector de Corriente Continua a 25 C:	100 A
Dp - Disipación de potencia :	416 W
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Serie:	BID
Empaquetado:	Tube
Marca:	Bourns
Máx. corriente continua Ic del colector:	100 A
Corriente de fuga puerta-emisor:	400 nA
Tipo de producto:	IGBT Transistors
Cantidad de empaque de fábrica:	600
Subcategoría:	IGBTs

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Electrification Solutions

Bourns Electrification Solutions feature a comprehensive range of transformers, chokes, diodes, resistors, fuses, transistors, and varistors. These products are designed for systems used in the process of electrification, which is the transition from traditional sources of energy, such as oil and gas, to cleaner and more sustainable forms of energy. Electrification affects how cars are refueled, homes are heated, and industries are powered, with the end goal being a reduction in air pollution and energy waste. One example is a heat pump, which is up to 3x more efficient than a boiler to save on heating bills.

Model BID Insulated Gate Bipolar Transistors

Bourns Model BID Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) combine technology from a MOSFET gate and a bipolar transistor and are designed for high voltage/high current applications. The Model BID IGBTs use advanced Trench-Gate Field-Stop technology to provide greater control of the dynamic characteristics, resulting in a lower Collector-Emitter Saturation Voltage and fewer switching losses. The IGBTs feature a -55°C to +150°C operating temperature range and are available in TO-252, TO-247, and TO-247N packages. These thermally efficient components provide a lower thermal resistance making them suitable IGBT solutions for Switch-Mode Power Supplies (SMPS), Uninterruptible Power Sources (UPS), and Power Factor Correction (PFC) applications.