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AIMDQ75R050M2HXTMA1

Name: Infineon AIMDQ75R050M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-AIMDQ75R050M2HXT
Price: 4611 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-AIMDQ75R050M2HXT

Fabricante N.º:

AIMDQ75R050M2HXTMA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

MOSFETs de SiC CoolSiC Automotive MOSFET 750 V G2 in Q-DPAK

Ciclo de vida:

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₡-

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Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡4 611	₡4 611
	₡3 358	₡33 580
	₡2 796	₡279 600
	₡2 453	₡1 226 500
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 750)
	₡2 210	₡1 657 500
	₡2 204	₡4 959 000
9 750	Presupuesto

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PG-HDSOP-22
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	750 V
Id - Corriente de drenaje continua:	36 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	65 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 7 V, + 23 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	5.6 V
Qg - Carga de puerta:	24 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	148 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	CoolSiC
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	5 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	11 S
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Producto:	SiC MOSFET
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	6 ns
Serie:	CoolSiC G2
Cantidad de empaque de fábrica:	750
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tipo:	Automotive MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:	13 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	7 ns
Alias de las piezas n.º:	AIMDQ75R050M2H SP006089210

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ECCN:: EAR99

CoolSiC™ Automotive 750V G2 MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ Automotive 750V G2 MOSFETs are engineered to meet the stringent demands of electric vehicle (EV) applications such as traction inverters, onboard chargers (OBC), and high-voltage DC/DC converters. These silicon carbide (SiC) MOSFETs deliver exceptional efficiency, power density, and thermal performance, enabling next-generation e-mobility systems. With a voltage rating of 750V and second-generation CoolSiC™ technology, these devices offer improved switching behavior and reduced losses compared to traditional silicon solutions. The portfolio includes a range of R_DS(on) values from 9mΩ to 78mΩ, providing flexibility for designers to optimize conduction and switching performance.