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MOSFETs de SiC

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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N.° de pieza

MOSFETs de SiC SiC MOSFET, 750 V

IMZA75R040M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: ₡5 938,51
348En existencias
240Se espera el 31/5/2027
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMZA75R040M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZA75R040M2HXKS

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SiC MOSFET, 750 V

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Hoja de datos

348En existencias

240Se espera el 31/5/2027

₡5 938,51

₡4 293,84

₡3 575,60

₡3 185,25

₡2 706,42

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PG-TO-247-4

N-Channel

1 Channel

750 V

40 A

80 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

142 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SiC MOSFET, 750V, G2, 16 m

IMBG75R016M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ₡10 107,44
35En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMBG75R016M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG75R016M2HXTM

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SiC MOSFET, 750V, G2, 16 m

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Hoja de datos

35En existencias

Cinta cortada

₡10 107,44

₡7 546,75

₡6 526,64

₡6 177,92

Envase tipo carrete

₡5 246,29

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

750 V

93 A

32 mOhms

- 7 V, + 23 V

4.5 V

74 nC

- 55 C

+ 175 C

318 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SiC MOSFET, 750V, G2, 11 m

IMBG75R011M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ₡13 422,80
28En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMBG75R011M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG75R011M2HXTM

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SiC MOSFET, 750V, G2, 11 m

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Hoja de datos

28En existencias

Cinta cortada

₡13 422,80

₡10 742,41

₡9 290,31

₡8 795,87

Envase tipo carrete

₡7 468,68

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

750 V

129 A

22 mOhms

- 7 V, + 23 V

4.5 V

106 nC

- 55 C

+ 175 C

416 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SiC MOSFET, 750V, G2, 20 m

IMBG75R020M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ₡9 186,21
35En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMBG75R020M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG75R020M2HXTM

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SiC MOSFET, 750V, G2, 20 m

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Hoja de datos

35En existencias

Cinta cortada

₡9 186,21

₡6 995,05

₡5 829,21

₡5 194,24

Envase tipo carrete

₡4 408,34

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

750 V

79 A

40 mOhms

- 7 V, + 23 V

4.5 V

59 nC

- 55 C

+ 175 C

282 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC Automotive MOSFET 750 V G2 in Q-DPAK

AIMDQ75R050M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ₡5 329,57
56En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
AIMDQ75R050M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-AIMDQ75R050M2HXT

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC Automotive MOSFET 750 V G2 in Q-DPAK

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Hoja de datos

56En existencias

Cinta cortada

₡5 329,57

₡3 638,05

₡3 003,09

₡2 675,19

Envase tipo carrete

₡2 503,44

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22

N-Channel

1 Channel

750 V

36 A

65 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

24 nC

- 55 C

+ 175 C

148 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC 1200V 75mR, TO-247-4L, Automotive Grade

AAR075V120H2
APC-E
1: ₡4 226,18
290En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
AAR075V120H2

N.º de artículo de Mouser
896-AAR075V120H2

Nuevo producto

APC-E

MOSFETs de SiC 1200V 75mR, TO-247-4L, Automotive Grade

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Hoja de datos

290En existencias

₡4 226,18

₡2 826,13

₡2 269,23

₡1 941,34

₡1 785,20

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4L

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

27 A

98 mOhms

- 10 V, 25 V

4.2 V

40 nC

- 55 C

+ 175 C

151 W

Enhancement

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMDQ75R050M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ₡4 939,22
264En existencias
750Se espera el 2/7/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMDQ75R050M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMDQ75R050M2HXTM

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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Hoja de datos

264En existencias

750Se espera el 2/7/2026

Cinta cortada

₡4 939,22

₡3 372,62

₡2 779,29

₡2 477,42

Envase tipo carrete

₡2 316,07

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22

N-Channel

1 Channel

750 V

36 A

65 mhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

24 nC

- 55 C

+ 175 C

148 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMDQ75R033M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ₡6 578,68
114En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMDQ75R033M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMDQ75R033M2HXTM

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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Hoja de datos

114En existencias

Cinta cortada

₡6 578,68

₡4 902,78

₡4 085,65

₡3 638,05

Envase tipo carrete

₡3 403,84

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22

N-Channel

1 Channel

750 V

53 A

41.3 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

37 nC

- 55 C

+ 175 C

217 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC 650V 50mR, TO-247-4L, Automotive Grade

AAR050V065H2
APC-E
1: ₡4 174,13
270En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
AAR050V065H2

N.º de artículo de Mouser
896-AAR050V065H2

Nuevo producto

APC-E

MOSFETs de SiC 650V 50mR, TO-247-4L, Automotive Grade

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Hoja de datos

270En existencias

₡4 174,13

₡2 940,63

₡2 373,32

₡1 998,59

₡1 868,47

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4L

N-Channel

1 Channel

650 V

44 A

65 mOhms

- 10 V, 25 V

4.2 V

45 nC

- 55 C

+ 175 C

198 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2

AIMDQ75R033M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ₡6 474,59
227En existencias
1 500Se espera el 31/5/2027
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
AIMDQ75R033M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-AIMDQ75R033M2HXT

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2

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Hoja de datos

227En existencias

1 500Se espera el 31/5/2027

Cinta cortada

₡6 474,59

₡4 684,19

₡3 903,49

₡3 481,91

Envase tipo carrete

₡3 289,34

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

SMD/SMT

HD-SOP-22

N-Channel

1 Channel

750 V

53 A

65.6 mOhms

- 7 V, 23 V

5.6 V

37 nC

- 55 C

+ 175 C

217 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC Automotive SiC MOSFET, 750 V

AIMZA75R016M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: ₡12 277,78
15En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
AIMZA75R016M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-AIMZA75R016M2HXK

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC Automotive SiC MOSFET, 750 V

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Hoja de datos

15En existencias

₡12 277,78

₡9 165,40

₡7 926,69

₡7 505,11

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

750 V

85 A

20 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

74 nC

- 55 C

+ 175 C

263 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC Automotive SiC MOSFET, 750 V

AIMZA75R060M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: ₡5 319,16
255En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
AIMZA75R060M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-AIMZA75R060M2HXK

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC Automotive SiC MOSFET, 750 V

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Hoja de datos

255En existencias

₡5 319,16

₡3 632,85

₡2 997,88

₡2 669,99

₡2 264,02

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PG-TO-247-4

N-Channel

1 Channel

750 V

28 A

78 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

20 nC

- 55 C

+ 175 C

108 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2

IMBG75R033M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ₡6 557,86
122En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMBG75R033M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG75R033M2HXTM

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2

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Hoja de datos

122En existencias

Cinta cortada

₡6 557,86

₡4 741,44

₡3 950,33

₡3 518,35

Envase tipo carrete

₡3 289,34

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

750 V

50 A

41.3 mOhms

- 7 V, 23 V

5.6 V

37 nC

- 55 C

+ 175 C

189 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2

IMBG75R060M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ₡4 408,34
148En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMBG75R060M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG75R060M2HXTM

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2

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Hoja de datos

148En existencias

Cinta cortada

₡4 408,34

₡3 101,97

₡2 508,64

₡2 227,59

Envase tipo carrete

₡1 977,77

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

750 V

29 A

78 mOhms

- 7 V, 23 V

5.6 V

20 nC

- 55 C

+ 175 C

116 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2

AIMDQ75R020M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ₡10 164,69
28En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
AIMDQ75R020M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-AIMDQ75R020M2HXT

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2

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Hoja de datos

28En existencias

Cinta cortada

₡10 164,69

₡7 739,32

₡6 448,57

₡5 745,94

Envase tipo carrete

₡4 876,76

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22

N-Channel

1 Channel

750 V

86 A

25 mOhms

-7 V to + 23 V

4.5 V

59 nC

- 55 C

+ 175 C

340 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2

IMBG75R025M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ₡7 572,77
128En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMBG75R025M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG75R025M2HXTM

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2

Obtenga más información

Hoja de datos

128En existencias

Cinta cortada

₡7 572,77

₡5 766,76

₡4 803,90

₡4 283,43

Envase tipo carrete

₡4 002,38

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

750 V

64 A

31 mOhms

- 7 V, 23 V

5.6 V

49 nC

- 55 C

+ 175 C

234 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2

IMBG75R040M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ₡5 366,00
144En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMBG75R040M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG75R040M2HXTM

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2

Obtenga más información

Hoja de datos

144En existencias

Cinta cortada

₡5 366,00

₡3 794,19

₡3 159,22

₡2 815,72

Envase tipo carrete

₡2 633,55

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

750 V

42 A

50 mOhms

- 7 V, 23 V

5.6 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

156 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMDQ75R040M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ₡5 548,16
80En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMDQ75R040M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMDQ75R040M2HXTM

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

80En existencias

Cinta cortada

₡5 548,16

₡3 919,10

₡3 268,52

₡2 909,40

Envase tipo carrete

₡2 722,03

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22

N-Channel

1 Channel

750 V

45 A

50 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

182 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC 750V/18MOSICFETG4TO263

UJ4SC075018B7S
onsemi
1: ₡12 735,79
1 098En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UJ4SC075018B7S

N.º de artículo de Mouser
431-UJ4SC075018B7S

onsemi

MOSFETs de SiC 750V/18MOSICFETG4TO263

Obtenga más información

Hoja de datos

1 098En existencias

Cinta cortada

₡12 735,79

₡9 514,11

₡8 228,56

₡7 942,30

Envase tipo carrete

₡7 276,11

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-7

N-Channel

1 Channel

750 V

72 A

18 mOhms

- 20 V, + 20 V

6 V

37.8 nC

- 55 C

+ 175 C

259 W

Enhancement

SiC FET

MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 650V

NTBG025N065SC1
onsemi
1: ₡11 445,03
1 285En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTBG025N065SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NTBG025N065SC1

onsemi

MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 650V

Obtenga más información

Hoja de datos

1 285En existencias

Cinta cortada

₡11 445,03

₡8 212,94

₡7 453,06

₡7 057,51

Envase tipo carrete

₡7 057,51

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-7

N-Channel

1 Channel

650 V

106 A

28.5 mOhms

- 8 V, + 22 V

4.3 V

164 nC

- 55 C

+ 175 C

395 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 14MOHM 1200V

NTBG014N120M3P
onsemi
1: ₡16 498,75
907En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTBG014N120M3P

N.º de artículo de Mouser
863-NTBG014N120M3P

onsemi

MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 14MOHM 1200V

Obtenga más información

Hoja de datos

907En existencias

Cinta cortada

₡16 498,75

₡12 095,62

₡11 851,00

₡11 221,23

Envase tipo carrete

₡11 221,23

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

104 A

20 mOhms

- 10 V, + 22 V

4.63 V

337 nC

- 55 C

+ 175 C

454 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC SIC MOSFET 900V TO247-4L 20MOHM

NTH4L020N090SC1
onsemi
1: ₡13 813,15
2 235En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTH4L020N090SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NTH4L020N090SC1

onsemi

MOSFETs de SiC SIC MOSFET 900V TO247-4L 20MOHM

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₡13 813,15

₡10 404,10

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

900 V

118 A

28 mOhms

- 8 V, + 22 V

4.3 V

196 nC

- 55 C

+ 175 C

484 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A

SCT019HU120G3AG
STMicroelectronics
1: ₡11 512,69
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600Se espera el 26/3/2027
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SCT019HU120G3AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT019HU120G3AG

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STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A

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Envase tipo carrete

₡6 573,48

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Mult.: 1

: 600

AEC-Q100

MOSFETs de SiC RECT 1.2KV 40A RDL SIC SKY

SCT2080KEGC11
ROHM Semiconductor
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N.º de artículo del Fabricante
SCT2080KEGC11

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755-SCT2080KEGC11

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC RECT 1.2KV 40A RDL SIC SKY

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₡13 859,99

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Through Hole

TO-247N-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

40 A

80 mOhms

- 6 V, + 22 V

4 V

106 nC

+ 175 C

262 W

Enhancement

MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V

NTBG040N120SC1
onsemi
1: ₡10 195,92
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N.º de artículo del Fabricante
NTBG040N120SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NTBG040N120SC1

onsemi

MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V

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₡10 195,92

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MouseReel Disponible

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: 800

SMD/SMT

D2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

60 A

56 mOhms

- 15 V, + 25 V

4.3 V

106 nC

- 55 C

+ 175 C

357 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

APC-E
Central Semiconductor
Coherent
Diodes Incorporated
Diotec Semiconductor
Infineon
IXYS
Littelfuse
Luminus Devices
Microchip
Micro Commercial Components (MCC)
Navitas Semiconductor
Nexperia
onsemi
ROHM Semiconductor
SanRex
SemiQ
STMicroelectronics
Toshiba
Vishay
WeEn Semiconductors
Wolfspeed

APM-16
D2PAK-3 (TO-263-3)
D2PAK-7
D2PAK-7 (TO-263-7)
D2PAK-7L
D3PAK-3
D3PAK-3 (TO-268-3)
DFN-5
Die
DPAK
H2PAK-2
H2PAK-7
HDSOP-16
HDSOP-22
HD-SOP-22
HiP247-3
HiP-247-3
HiP247-4
Hip247-4
HiP-247-4

100 uA
3.7 A
3.9 A
4.4 A
4.6 A
4.7 A
5 A
5.2 A
5.4 A
5.6 A
5.9 A
6 A
6.2 A
6.4 A
6.8 A
7 A
7.2 A
7.4 A
7.5 A
7.6 A

5 mOhms
5.9 mOhms
7 mOhms
7.7 mOhms
8 mOhms
8.5 mOhms
8.7 mOhms
9 mOhms
9.9 mOhms
10.4 mOhms
10.5 mOhms
10.7 mOhms
11 mOhms
12 mOhms
12.2 mOhms
13 mOhms
13.1 mOhms
13.6 mOhms
13.8 mOhms
14 mOhms

- 30 V, + 30 V
- 25 V, + 25 V
- 20 V, + 20 V
- 18 V, + 18 V
- 15 V, + 25 V
- 15 V, 25 V
- 12 V, + 12 V
- 12 V, + 25 V
- 11 V, + 25 V
- 10 V, + 19 V
- 10 V, + 20 V
- 10 V, + 21 V
- 10 V, + 22.6 V
- 10 V, + 22 V
- 10 V, + 23 V
- 10 V, + 23 V
- 10 V , + 23 V
- 10 V, + 25 C
- 10 V, + 25 V
- 10 V, + 25 V

1.6 V
1.7 V
1.8 V
1.9 V
2 V
2.1 V
2.3 V
2.4 V
2.5 V
2.6 V
2.65 V
2.7 V
2.8 V
2.9 V
2.97 V
3 V
3.1 V
3.13 V
3.2 V
3.22 V

5 nC
5.3 nC
5.5 nC
5.9 nC
7.9 nC
8 nC
8.1 nC
8.5 nC
9.4 nC
9.7 nC
10.1 nC
11 nC
11.7 nC
12 nC
13 nC
13.4 nC
14 nC
14.4 nC
14.9 nC
15 nC

150 mW
28 W
34 W
35 W
39 W
40.8 W
50 W
53 W
59 W
60 W
62 W
63 W
64 W
65 W
65.2 W
68 W
70 W
71 W
74 W
75 W