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STGP30M65DF2

Name: STMicroelectronics STGP30M65DF2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGP30M65DF2
Price: 1753.97 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

511-STGP30M65DF2

Fabricante N.º:

STGP30M65DF2

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss

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Hoja de datos:

STGP30M65DF2 Hoja de datos (PDF)

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡1 753,97	₡1 753,97
	₡879,59	₡8 795,90
	₡791,11	₡79 111,00
	₡645,38	₡322 690,00
	₡588,13	₡588 130,00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	IGBTs
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Configuración:	Single
Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	650 V
Voltaje de saturación colector-emisor:	1.55 V
Máximo voltaje puerta-emisor:	- 20 V, 20 V
Colector de Corriente Continua a 25 C:	60 A
Dp - Disipación de potencia :	258 W
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Serie:	STGP30M65DF2
Empaquetado:	Tube
Marca:	STMicroelectronics
Tipo de producto:	IGBT Transistors
Cantidad de empaque de fábrica:	1000
Subcategoría:	IGBTs
Peso de la unidad:	2 g

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PCN

Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

STM 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs are developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. STMicroelectronics 650V M series supply a 3A-150A maximum collector current for applications with up to 100kHz operating frequency. The IGBTs have an optimized design and are available in a tailored built-in anti-parallel diode. A positive V_CE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.