STGW30M65DF2

STMicroelectronics
511-STGW30M65DF2
STGW30M65DF2

Fabricante:

Descripción:
IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss

Ciclo de vida:
Fin de vida útil:
Se encuentra obsoleto y será discontinuado por el fabricante.
Modelo ECAD:
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En existencias: 177

Existencias:
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Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
₡-,--
Precio ext.:
₡-,--
Est. Tarifa:

Precio (CRC)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
₡2 087,07 ₡2 087,07
₡1 280,34 ₡12 803,40
₡1 035,73 ₡103 573,00
₡890,00 ₡534 000,00
₡853,56 ₡1 024 272,00
₡801,52 ₡2 404 560,00
₡728,65 ₡3 934 710,00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: IGBTs
RoHS:  
Si
TO-247-3
Through Hole
Single
650 V
1.55 V
- 20 V, 20 V
60 A
258 W
- 55 C
+ 175 C
STGW30M65DF2
Tube
Marca: STMicroelectronics
Máx. corriente continua Ic del colector: 60 A
Corriente de fuga puerta-emisor: 250 nA
Tipo de producto: IGBT Transistors
Cantidad de empaque de fábrica: 600
Subcategoría: IGBTs
Peso de la unidad: 4,430 g
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
China
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.