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STH290N4F6-2AG

Name: STMicroelectronics STH290N4F6-2AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STH290N4F6-2AG
Price: 940 CRC
Availability: Discontinued

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Mouser N.º:

511-STH290N4F6-2AG

Fabricante N.º:

STH290N4F6-2AG

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LGS LV MOSFET

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Ciclo de vida:

NRND:

No recomendado para nuevos diseños.

Hoja de datos:

STH290N4F6-2AG Hoja de datos (PDF)

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	H2PAK-2
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Id - Corriente de drenaje continua:	180 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	1.7 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2 V
Qg - Carga de puerta:	115 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	300 W
Modo canal:	Enhancement
Calificación:	AEC-Q101
Nombre comercial:	STripFET
Empaquetado:	Reel
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	48 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	116 ns
Serie:	STH290N4F6-2AG
Cantidad de empaque de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	105 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	20 ns
Peso de la unidad:	4 g

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Hoja de datos

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PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

STripFET Power MOSFETs

STMIcroelectronics STripFET™ Power MOSFETs are enhancement-mode MOSFETs that benefit from the latest refinement of the STMicroelectronics proprietary STripFET technology with a new gate structure. The resulting STripFET Power MOSFET exhibits the high current and low R_DS(on) required by automotive and industrial switching applications such as motor control, uninterruptible power supplies (UPS), DC/DC converters, induction heater vaporizers, and solar. STMicroelectronics STripFET Power MOSFETs have a very low switching gate charge, high avalanche ruggedness, low gate drive power losses, and high power density.