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STL8DN10LF3

Name: STMicroelectronics STL8DN10LF3
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STL8DN10LF3
Price: 1478.12 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

511-STL8DN10LF3

Fabricante N.º:

STL8DN10LF3

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 100V 7.8A 25mOhm STripFET III

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₡-,--

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₡-,--

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100,00)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡1 478,12	₡1 478,12
	₡957,66	₡9 576,60
	₡655,79	₡65 579,00
	₡530,87	₡265 435,00
	₡493,40	₡493 400,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	₡460,61	₡1 381 830,00

† ₡4 100,00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PowerFLAT-5x6-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	100 V
Id - Corriente de drenaje continua:	20 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	35 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1 V
Qg - Carga de puerta:	20.5 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	70 W
Modo canal:	Enhancement
Calificación:	AEC-Q100
Nombre comercial:	STripFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Dual
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	STL8DN10LF3
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	2 N-Channel
Peso de la unidad:	76 mg

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PCN

Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Singapur
País de origen del ensamblaje:: Singapur
País de difusión:: No disponible

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

STripFET Power MOSFETs

STMIcroelectronics STripFET™ Power MOSFETs are enhancement-mode MOSFETs that benefit from the latest refinement of the STMicroelectronics proprietary STripFET technology with a new gate structure. The resulting STripFET Power MOSFET exhibits the high current and low R_DS(on) required by automotive and industrial switching applications such as motor control, uninterruptible power supplies (UPS), DC/DC converters, induction heater vaporizers, and solar. STMicroelectronics STripFET Power MOSFETs have a very low switching gate charge, high avalanche ruggedness, low gate drive power losses, and high power density.

STripFET III™ Power MOSFETs

STMicroelectronics STripFET III™ Power MOSFETs are enhancement-mode MOSFETs that benefit from STMicroelectronics proprietary STripFET technology with a gate structure. The resulting STripFET Power MOSFET exhibits a high current and low R_DS(on). These STripFET Power MOSFETs have improved specific on-resistance for lower conduction losses. The planar technology used in these devices is ideal for high-efficiency, low-voltage systems.