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STP4NK80Z

Name: STMicroelectronics STP4NK80Z
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STP4NK80Z
Price: 1572 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

511-STP4NK80Z

Fabricante N.º:

STP4NK80Z

Fabricante:

STMicroelectronics

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-220-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	800 V
Id - Corriente de drenaje continua:	3 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	3.5 Ohms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3 V
Qg - Carga de puerta:	22.5 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	80 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Tube
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	32 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	2.9 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	12 ns
Serie:	STP4NK80Z
Cantidad de empaque de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:	35 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	13 ns
Peso de la unidad:	2 g