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STPSC406B-TR

Name: STMicroelectronics STPSC406B-TR
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STPSC406B-TR
Price: 1456 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

511-STPSC406B-TR

Fabricante N.º:

STPSC406B-TR

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

Diodos Schottky de SiC 600 V Power Schottky Diode

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Ciclo de vida:

NRND:

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Hoja de datos:

STPSC406B-TR Hoja de datos (PDF)

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₡-

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₡-

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡1 456	₡1 456
	₡928	₡9 280
	₡644	₡64 400
	₡514	₡257 000
	₡500	₡500 000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	₡429	₡1 072 500
	₡415	₡2 075 000

† ₡4 100 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Diodos Schottky de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DPAK
Configuración:	Single
If - Corriente directa:	4 A
Vrrm - Tensión inversa repetitiva:	600 V
Vf - Tensión directa:	1.9 V
Ifsm - Sobrecorriente en sentido directo:	14 A
Ir - Corriente inversa:	50 uA
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Serie:	STPSC
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	STMicroelectronics
Tipo de producto:	SiC Schottky Diodes
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Diodes & Rectifiers
Peso de la unidad:	1,700 g

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PCN

CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 8541100901
KRHTS:: 8541109000
TARIC:: 8542399000
MXHTS:: 85423999
ECCN:: EAR99

600V Power Schottky Silicon Carbide Diode

STMicroelectronics' 600V Power Schottky Silicon Carbide Diodes are ultra high performance power Schottky diodes. They are manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material of these allows the design of a Schottky diode structured with a 600V rating. Due to the Schottky construction of these diodes no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature. These Power Schottky Silicon Carbide Diodes will boost the performance of PFC operations in hard switching conditions.

STPSC Schottky Silicon-Carbide Diodes

STMicroelectronics Schottky Silicon-Carbide Diodes take advantage of SiC's superior physical characteristics over standard silicon, with four times better dynamic characteristics and 15% less forward voltage (VF). The low reverse recovery characteristics make ST's silicon-carbide diodes a key contributor to energy savings in SMPS applications and in emerging domains such as solar energy conversion, EV or HEV charging stations. They are also ideal for other applications such as welding equipment and air conditioners. STMicroelectronics SiC product portfolio includes a 20A, 600V diode, housed in a halogen-free TO-247 package, to extend its 4A to 12A, through-hole, and SMD package offer. The second generation, with a 6A, 1200V device, and a 650V series are also available.