STQ2HNK60ZR-AP

STMicroelectronics
511-STQ2HNK60ZR-AP
STQ2HNK60ZR-AP

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 3.5 Ohm typ., 500 mA SuperMESH Power MOSFET in a TO-92 package

Modelo ECAD:
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En existencias: 3 767

Existencias:
3 767 Se puede enviar inmediatamente
Plazo de entrega de fábrica:
13 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
₡-
Precio ext.:
₡-
Est. Tarifa:

Precio (CRC)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
₡771 ₡771
₡490 ₡4 900
₡324 ₡32 400
₡258 ₡129 000
₡230 ₡230 000
Envase tipo caja "Ammo Pack" completo (pedir en múltiplos de 2000)
₡199 ₡398 000
₡187 ₡748 000
₡179 ₡1 790 000
₡178 ₡4 272 000

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-92-3
N-Channel
1 Channel
600 V
500 mA
4.8 Ohms
- 30 V, 30 V
3 V
15 nC
- 55 C
+ 150 C
3 W
Enhancement
SuperMESH
Ammo Pack
Marca: STMicroelectronics
Configuración: Single
Tiempo de caída: 50 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 30 ns
Serie: STQ2HNK60ZR-AP
Cantidad de empaque de fábrica: 2000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 13 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 10 ns
Peso de la unidad: 453,600 mg
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99