STWA75N65DM6

STMicroelectronics
511-STWA75N65DM6
STWA75N65DM6

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 33 mOhm typ., 75 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea

Modelo ECAD:
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En existencias: 398

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Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
₡-
Precio ext.:
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Precio (CRC)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
₡8 178 ₡8 178
₡6 508 ₡65 080
₡5 313 ₡531 300
₡5 069 ₡3 041 400

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
Through Hole
N-Channel
1 Channel
650 V
75 A
36 mOhms
- 25 V, 25 V
4.75 V
118 nC
- 55 C
+ 150 C
480 W
Enhancement
Tube
Marca: STMicroelectronics
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: CN
Tipo de producto: MOSFETs
Cantidad de empaque de fábrica: 600
Subcategoría: Transistors
Peso de la unidad: 6,100 g
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Atributos seleccionados: 0

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USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

MDmesh DM6 N-channel Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh DM6 N-channel Power MOSFETs are part of the MDmesh™ DM6 fast-recovery diodes. These automotive-grade N-channel power MOSFETs offer very low recovery charge (Qrr) and recovery time (trr), combined with low RDS(on). The DM6 power MOSFETs feature low gate charge, low input capacitance, low on-resistance, high dv/dt ruggedness, and Zener-protection. These power MOSFETs are suitable for the most demanding high-efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.