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CSD17581Q3AT

Name: Texas Instruments CSD17581Q3AT
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD17581Q3AT
Price: 986 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

595-CSD17581Q3AT

Fabricante N.º:

CSD17581Q3AT

Fabricante:

Texas Instruments

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel NexFET A 595-CSD17581Q3A A A 595-CSD17581Q3A

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 250)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡986	₡986
	₡626	₡6 260
	₡364	₡36 400
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 250)
	₡364	₡91 000
	₡312	₡156 000
	₡281	₡281 000
	₡270	₡675 000
	₡246	₡1 230 000
	₡242	₡2 420 000

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Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:

CSD17581Q3A

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

₡713

Mín.:

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Fabricante:

Texas Instruments

Fabricante N.º:

CSD17581Q3A

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD17581Q3AT

Comparar con la parte actual

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	VSONP-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	30 V
Id - Corriente de drenaje continua:	60 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	3.9 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1 V
Qg - Carga de puerta:	54 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	63 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	NexFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Texas Instruments
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	10 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	78 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	23 ns
Serie:	CSD17581Q3A
Cantidad de empaque de fábrica:	250
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	23 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	12 ns
Peso de la unidad:	27,700 mg

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ECCN:: EAR99

NexFET N-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications. These N-channel devices feature ultra-low Qg and Qd and low thermal resistance. The Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are avalanche rated and come in a SON 5mm x 6mm plastic package.

NexFET™ Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFETs deliver half the gate charge for the same resistance so that designers can achieve 90% power-supply efficiencies with double the frequency. These NexFET power MOSFETs combine vertical current flow with a lateral power MOSFET. These devices provide a low on resistance and require an extremely low gate charge with industry-standard package outlines. Texas Instruments NexFET Power MOSFET technology improves energy efficiency in high-power computing, networking, server systems, and power supplies.

MOSFET de potencia NexFET™ CSD17581Q3A

El MOSFET de potencia NexFET™ CSD17581Q3A de Texas Instruments es un MOSFET de potencia de 3.2 mΩ y de canal N de 30 V. El dispositivo está diseñado para minimizar la pérdida en las aplicaciones de conversión de potencia. Este MOSFET ofrece bajos niveles de Qg, Qgd, R_DS(on) y baja resistencia térmica. Estas funciones hacen que estos dispositivos sean ideales para el convertidor reductor sincrónico de punto de carga para aplicaciones en los sistemas de redes, telecomunicaciones e informáticos. Este dispositivo también tiene un buen funcionamiento en las aplicaciones de control de motores, y está optimizado para las aplicaciones FET de control.
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