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TK10A50D(STA4,Q,M)

Name: Toshiba TK10A50D(STA4,Q,M)
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK10A50DSTA4QM
Price: 1479 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

757-TK10A50DSTA4QM

Fabricante N.º:

TK10A50D(STA4,Q,M)

Fabricante:

Toshiba

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 10A 500V 45W 1050pF 0.72

Hoja de datos:

TK10A50D(STA4,Q,M) Hoja de datos (PDF)

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡1 479	₡1 479
	₡731	₡7 310
	₡586	₡58 600
	₡504	₡252 000
	₡450	₡450 000
	₡444	₡2 220 000
25 000	Presupuesto

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Toshiba
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-220-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	500 V
Id - Corriente de drenaje continua:	10 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	620 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2 V
Qg - Carga de puerta:	20 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	45 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	MOSVII
Empaquetado:	Tube
Marca:	Toshiba
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	10 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	25 ns
Serie:	TK10A50D
Cantidad de empaque de fábrica:	50
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	75 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	60 ns
Peso de la unidad:	2 g

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Product Catalogs

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
TARIC:: 8542399000
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

π-MOS VII MOSFETs

Toshiba π-MOS VII MOSFETs are 10V Gate Drive, single N-channel devices, combining π-MOS technology with a planar process to provide a wide selection of voltage and R_DS(ON) ratings. These high-voltage MOSFETs offer a drain-source voltage range of 250V up to 650V and a drain current range from 2A to 20A. Vishay π-MOS VII MOSFETs are offered in TO-220-3 and TO-252 through-hole packages and compact DPAK-3 and PW-Mold-3 surface mount packages.