Toshiba MOSVII Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 2.5A 650V 35W 490pF 2.51
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240En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 650 V 2.5 A 2.51 Ohms 35 W MOSVII Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 70A 410W MOSVII 160nC .0029
Hoja de datos
90En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 200 V 70 A 27 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 160 nC - 55 C + 150 C 410 W Enhancement MOSVII
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=45W F=1MHZ
Hoja de datos
107En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 300 V 18 A 139 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 60 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement MOSVII Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 4A 525V 35W 490pF 1.7 Ohm
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300En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 525 V 4 A 1.7 Ohms 35 W MOSVII
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DP(OS) MOQ=2000 V=600 PD=80W F=1MHZ
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1 754En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 4 A 1.7 Ohms - 30 V, 30 V 2.4 V 12 nC - 55 C + 150 C 100 W Enhancement MOSVII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 10A 500V 45W 1050pF 0.72
Hoja de datos
83En existencias
200Se espera el 17/2/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 10 A 620 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 20 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement MOSVII Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 10A 40V 25W 410pF 0.029
Hoja de datos
103En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 450 V 11 A 500 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 20 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement MOSVII Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 12A 600V 45W 1800pF 0.55
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72En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 550 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 38 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement MOSVII Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 13A 500V 45W 1550pF 0.47
Hoja de datos
136En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 12.5 A 390 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 28 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement MOSVII Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK-OS PD=96W F=1MHZ
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1 808En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 250 V 13 A 250 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 25 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement MOSVII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 18A 500V 50W 2600pF 0.27
Hoja de datos
61En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 18 A 270 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 45 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement MOSVII Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 19A 450V 50W 2600pF 0.25
Hoja de datos
73En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 450 V 19 A 250 mOhms 50 W MOSVII Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=45W F=1MHZ
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3En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 25 A 70 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 60 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement MOSVII Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 2A 650V 30W 380pF 3.26
Hoja de datos
262En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 2 A 3.26 Ohms - 30 V, 30 V 2.4 V 9 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement MOSVII Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch 600V 2.5A 30w 2.8 Ohm
Hoja de datos
51En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 2.5 A 2.8 Ohms - 30 V, 30 V 2.4 V 9 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement MOSVII Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 3A 650V 35W 540pF 2.25 Ohm
Hoja de datos
145En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 3 A 2.25 Ohms - 30 V, 30 V 2.4 V 11 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement MOSVII Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 3A 500V 60W 280pF 3 Ohm
Hoja de datos
17En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 3 A 3 Ohms - 30 V, 30 V 2.4 V 7 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement MOSVII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 4A 500V 30W 380pF 2.0 Ohm
Hoja de datos
325En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 500 V 4 A 2 Ohms 30 W MOSVII Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 3.7A 600V 80W 540pF 2.0 Ohm
Hoja de datos
56En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 3.7 A 2 Ohms - 30 V, 30 V 4.4 V 11 nC + 150 C 80 W Enhancement MOSVII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 5A 550V 35W 540pF 1.7 Ohm
Hoja de datos
250En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 550 V 5 A 1.7 Ohms 35 W MOSVII Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch FET 650V 2.6s IDSS 10 uA 1.2 Ohm
Hoja de datos
164En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 5 A 1.43 Ohms - 30 V, 30 V 2 V 16 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement MOSVII Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 5A N-CH MOSFET
Hoja de datos
148En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 800 V 5 A 2.4 Ohms - 30 V, 30 V 2.5 V 20 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement MOSVII Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=40W F=1MHZ
Hoja de datos
156En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 900 V 4.5 A 3.1 Ohms - 30 V, 30 V 2.5 V 20 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement MOSVII Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 5A 500V 80W 490pF 1.5 Ohm
Hoja de datos
853En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 5 A 1.3 Ohms - 30 V, 30 V 4.4 V 11 nC - 55 C + 150 C 80 W Enhancement MOSVII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch FET 650V 4.0s IDSS 10 uA .95 Ohm
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149En existencias
200Se espera el 17/4/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 6 A 1.11 Ohms - 30 V, 30 V 2 V 20 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement MOSVII Tube