TK2A65D(STA4,Q,M)
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Fabricante:
Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 2A 650V 30W 380pF 3.26
En existencias: 262
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Existencias:
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Plazo de entrega de fábrica:
-
32 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Precio (CRC)
| Cantidad | Precio unitario |
Precio ext.
|
|---|---|---|
| ₡916 | ₡916 | |
| ₡538 | ₡5 380 | |
| ₡512 | ₡51 200 | |
| ₡379 | ₡189 500 | |
| ₡323 | ₡323 000 | |
| ₡320 | ₡800 000 | |
| ₡302 | ₡1 510 000 |
Hoja de datos
Application Notes
- Impacts of the dv/dt Rate on MOSFETs
- MOSFET Avalanche Ruggedness
- MOSFET Gate Driver Circuit
- MOSFET Parallening (Parasitic Oscillation Between Parallel Power MOSFETs)
- Parasitic Oscillation and Ringing of Power MOSFETs
- Power MOSFET Electrical Characteristics
- Power MOSFET Maximum Ratings
- Power MOSFET Selecting MOSFETs and Consideration for Circuit Design
- Power MOSFET Structure and Characteristics
- Power MOSFET Thermal Design and Attachment of a Thermal Fin
Product Catalogs
- CNHTS:
- 8541290000
- CAHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290065
- JPHTS:
- 8541290100
- TARIC:
- 8542399000
- MXHTS:
- 8542399901
- ECCN:
- EAR99
Costa Rica
