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TK3P50D,RQ(S

Name: Toshiba TK3P50D,RQ(S
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK3P50DRQS
Price: 905 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

757-TK3P50DRQS

Fabricante N.º:

TK3P50D,RQ(S

Fabricante:

Toshiba

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 3A 500V 60W 280pF 3 Ohm

Hoja de datos:

TK3P50D,RQ(S Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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₡-

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₡-

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡905	₡905
	₡696	₡6 960
	₡500	₡50 000
	₡397	₡198 500
	₡366	₡366 000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2000)
	₡326	₡652 000
	₡305	₡1 220 000

† ₡4 100 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Toshiba
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	500 V
Id - Corriente de drenaje continua:	3 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	3 Ohms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.4 V
Qg - Carga de puerta:	7 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	60 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	MOSVII
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Toshiba
Configuración:	Single
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	TK3P50D
Cantidad de empaque de fábrica:	2000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Peso de la unidad:	330 mg

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Application Notes

Product Catalogs

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
TARIC:: 8542399000
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

π-MOS VII MOSFETs

Toshiba π-MOS VII MOSFETs are 10V Gate Drive, single N-channel devices, combining π-MOS technology with a planar process to provide a wide selection of voltage and R_DS(ON) ratings. These high-voltage MOSFETs offer a drain-source voltage range of 250V up to 650V and a drain current range from 2A to 20A. Vishay π-MOS VII MOSFETs are offered in TO-220-3 and TO-252 through-hole packages and compact DPAK-3 and PW-Mold-3 surface mount packages.