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TK4A53D(STA4,Q,M)

Name: Toshiba TK4A53D(STA4,Q,M)
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK4A53DSTA4QM
Price: 1090 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

757-TK4A53DSTA4QM

Fabricante N.º:

TK4A53D(STA4,Q,M)

Fabricante:

Toshiba

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 4A 525V 35W 490pF 1.7 Ohm

Hoja de datos:

TK4A53D(STA4,Q,M) Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡1 090	₡1 090
	₡696	₡6 960
	₡461	₡46 100
	₡377	₡188 500
	₡330	₡330 000
	₡303	₡757 500
	₡276	₡1 380 000
	₡273	₡2 730 000
	₡272	₡6 800 000

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Toshiba
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-220FP-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	525 V
Id - Corriente de drenaje continua:	4 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	1.7 Ohms
Dp - Disipación de potencia :	35 W
Nombre comercial:	MOSVII
Marca:	Toshiba
Configuración:	Single
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	TK4A53D
Cantidad de empaque de fábrica:	50
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Peso de la unidad:	2 g

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Hoja de datos

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
TARIC:: 8542399000
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

π-MOS VII MOSFETs

Toshiba π-MOS VII MOSFETs are 10V Gate Drive, single N-channel devices, combining π-MOS technology with a planar process to provide a wide selection of voltage and R_DS(ON) ratings. These high-voltage MOSFETs offer a drain-source voltage range of 250V up to 650V and a drain current range from 2A to 20A. Vishay π-MOS VII MOSFETs are offered in TO-220-3 and TO-252 through-hole packages and compact DPAK-3 and PW-Mold-3 surface mount packages.