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IMBF170R1K0M1XTMA1

Name: Infineon IMBF170R1K0M1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMBF170R1K0M1XTM
Price: 2755 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-IMBF170R1K0M1XTM

Fabricante N.º:

IMBF170R1K0M1XTMA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

MOSFETs de SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

Hoja de datos:

IMBF170R1K0M1XTMA1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡2 755	₡2 755
	₡1 821	₡18 210
	₡1 369	₡136 900
	₡1 241	₡620 500
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1000)
	₡1 021	₡1 021 000

† ₡4 100 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TO-263-7
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.7 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	5.2 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	1 Ohms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V, + 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.5 V
Qg - Carga de puerta:	5 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	68 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	CoolSiC
Marca:	Infineon Technologies
Tiempo de caída:	22 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	0.42 S
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	11 ns
Serie:	CoolSiC 1700V
Cantidad de empaque de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tiempo de retardo de apagado típico:	20 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	19 ns
Alias de las piezas n.º:	IMBF170R1K0M1 SP002739692
Peso de la unidad:	1,600 g

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

CoolSiC™ MOSFETs

Infineon CoolSiC™ MOSFETs are built on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to allow for both the lowest losses in the application and the highest reliability in operation. The discrete CoolSiC portfolio in TO- and SMD-housings comes in 650V, 1200V, and 1700V voltage classes, with on-resistance ratings from 27mΩ up to 1000mΩ. CoolSiC trench technology enables a flexible parameter set, which is used to implement application-specific features in respective product portfolios. These features include gate-source voltages, avalanche specification, short-circuit capability, or internal body diode rated for hard commutation.

CoolSiC™ 1700V SiC Trench MOSFETs

Infineon CoolSiC™ 1700V SiC Trench MOSFETs feature a revolutionary Silicon Carbide material optimized for fly-back topologies. The SiC Trench MOSFETs offer a 12V/0V gate-source voltage compatible with most fly-back controllers.