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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL Symm.PowerPAIR 3 x 3
SIZ240DT-T1-GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR F 6 x 5
SIZF906DT-T1-GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 30V AEC-Q101 Qualified
SQJ844AEP-T1_GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified
SQJQ904E-T1_GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified
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Rectificadores 100V 8A SlimDPAK Fred
VS-8CVH01HM3/I
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Rectificadores SOT-227 - GEN5 FRED IN PARALLE
VS-U5FX300FA60
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Rectificadores SOT-227 - GEN5 FRED IN PARALLE
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Rectificadores SOT-227 - GEN5 FRED IN PARALLE
VS-U5FX60FA120
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78-VS-U5FX60FA120
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Rectificadores SOT-227 - GEN5 FRED IN PARALLE
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 100mA 50V Dual Complementary
BC847BPDW1T1G
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SWITCHING DEVICE
ECH8661-TL-H
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PCH+PCH 4V DRIVE SERIES
ECH8663R-TL-H
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) MATCHED LO VCE(SAT) SOIC8
NSS40301MDR2G
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) MATCHED LO VCE(SAT) SOIC8
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V S08FL DUAL
NVMFD5C668NLT1G
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863-NVMFD5C668NLT1G
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V S08FL DUAL
1 972 En existencias
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PMP3906AYS-QZ
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V Dual N&P Chnl PowerTrench MOSFET
FDMC8097AC
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512-FDMC8097AC
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V Dual N&P Chnl PowerTrench MOSFET
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3 000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel PowerTrench
FDML7610S
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N.º de artículo de Mouser
512-FDML7610S
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel PowerTrench
3 691 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PowerTrench Power Stage
FDMS3604S
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N.º de artículo de Mouser
512-FDMS3604S
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PowerTrench Power Stage
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₡337,75
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Comp. 60V NP-Chnl
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ZXMC4559DN8TA
Diodes Incorporated
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522-ZXMC4559DN8TA
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Comp. 60V NP-Chnl
3 432 En existencias
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Transistores digitales COMP NPN/PNP 200mW
DCX114YU-7-F
Diodes Incorporated
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N.º de artículo de Mouser
621-DCX114YU-F
Diodes Incorporated
Transistores digitales COMP NPN/PNP 200mW
106 081 En existencias
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₡23,31
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 251V-500V
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DMGD7N45SSD-13
Diodes Incorporated
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N.º de artículo de Mouser
621-DMGD7N45SSD-13
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 251V-500V
5 208 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Ch Dual FET 20Vgs -4.2A 14.3
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DMP4050SSDQ-13
Diodes Incorporated
1:
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N.º de artículo de Mouser
621-DMP4050SSDQ-13
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Ch Dual FET 20Vgs -4.2A 14.3
9 294 En existencias
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₡348,59
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2 500
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Módulos IGBT 1700 V, 1800 A dual IGBT module
FF1800R17IP5
Infineon Technologies
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641-FF1800R17IP5
Infineon Technologies
Módulos IGBT 1700 V, 1800 A dual IGBT module
2 En existencias
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