Dual Semiconductores

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Infineon Technologies Módulos IGBT XHP2 module with TRENCHSTOPIGBT7 and emitter controlled 7 diode and NTC / pre-applied thermalinterface material
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Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch + P-ch MOSFET, 30 V/-30 V, 4 A/-4 A, 0.046 at 4.5V/0.045 at 4.5V, TSOP6F
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onsemi Módulos IGBT 1200V 800A QDUAL3
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48Se espera el 22/5/2026
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APC-E Diodos Schottky de SiC 1200V 20A, TO247-3L, Industrial Grade
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Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL DEPLETION MODE
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Wolfspeed Diodos Schottky de SiC SIC SCHOTTKY DIODE 1200V, 2x20A
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Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Sync Buck NexFET Power Block
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Low Side IntelliFET
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APC-E Diodos Schottky de SiC 1200V 30A, TO247-3L, Industrial Grade
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APC-E Diodos Schottky de SiC 1200V 40A, TO247-3L, Industrial Grade
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onsemi Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN MULTI-CHIP
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL P-CHANNEL SOT-563
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268 740En existencias
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ROHM Semiconductor Diodos Schottky de SiC SiC Schottky Barrier Diode, 1200V, 40A, 2nd Gen
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Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Asymmetric Dual N-Channel Pwr Trench
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Diodes Incorporated Diodos de Conmutación de Señal Baja 85V 150mW
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30 5V-30V,TSOT23,3K
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=1.6A VDSS=30V
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Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
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Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified
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Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Chnl 30-V D-S AEC-Q101 Qualified
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Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch P Ch 100/-100V AEC-Q101 Qualified
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Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 8A 34W AEC-Q101 Qualified
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