Módulos IGBT 1200 V, 600 A dual IGBT module
IFF600B12ME4PB11BPSA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser 726-IFF600B12ME4PB11
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Módulos IGBT 1200 V, 600 A dual IGBT module
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
IPG20N10S4L-22A
Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser 726-IPG20N10S4L-22A
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
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Diodos de Conmutación de Señal Baja 60 Amps 300V
DPG60C300HB
IXYS
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N.º de artículo de Mouser 747-DPG60C300HB
IXYS
Diodos de Conmutación de Señal Baja 60 Amps 300V
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Nch+Pch Power MOSFET
HP8M51TB1
ROHM Semiconductor
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ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Nch+Pch Power MOSFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 4V Drive Nch+Nch Si MOSFET
QS8K11TCR
ROHM Semiconductor
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 4V Drive Nch+Nch Si MOSFET
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Diodos Schottky de SiC AECQ
SCS220AE2HRC11
ROHM Semiconductor
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Diodos Schottky de SiC AECQ
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch+Pch -30V -4.5A MOSFET
SH8J62TB1
ROHM Semiconductor
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ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch+Pch -30V -4.5A MOSFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Dual Nch+Pch, SOP8, Power MOSFET
SH8MB5TB1
ROHM Semiconductor
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ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Dual Nch+Pch, SOP8, Power MOSFET
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Diodos de Conmutación de Señal Baja 100 Volt 200mA 4ns 500mA IFSM
MMBD7000-E3-08
Vishay Semiconductors
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Vishay Semiconductors
Diodos de Conmutación de Señal Baja 100 Volt 200mA 4ns 500mA IFSM
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 8V Vgs SC89-6
SI1036X-T1-GE3
Vishay / Siliconix
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N.º de artículo de Mouser 78-SI1036X-T1-GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 8V Vgs SC89-6
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 60-V PowerPAIR 3 x 3S
SIZ250DT-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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N.º de artículo de Mouser 78-SIZ250DT-T1-GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 60-V PowerPAIR 3 x 3S
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₡693,94
100
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 100V AEC-Q101 Qualified
SQJB70EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 100V AEC-Q101 Qualified
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10
₡540,51
100
₡359,44
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₡224,44
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Rectificadores y diodos Schottky 20A 200V Trench Stky Rectifier
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VB20202G-M3/4W
Vishay Semiconductors
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N.º de artículo de Mouser 78-VB20202G-M3/4W
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Rectificadores y diodos Schottky 20A 200V Trench Stky Rectifier
4 451 En existencias
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₡1 545,09
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₡796,94
100
₡590,93
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Rectificadores 2x5A If; 600V Vr TO-263AC (SMPD)
VS-10CDU06-M3/I
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Rectificadores 2x5A If; 600V Vr TO-263AC (SMPD)
1 820 En existencias
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₡1 311,97
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₡883,68
100
₡650,56
500
₡547,56
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Rectificadores 1200 volt 220 amp
VS-HFA220FA120
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N.º de artículo de Mouser 78-VS-HFA220FA120
Vishay Semiconductors
Rectificadores 1200 volt 220 amp
223 En existencias
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Rectificadores SOT-227 - GEN5 FRED IN PARALLE
VS-U5FX120FA60
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N.º de artículo de Mouser 78-VS-U5FX120FA60
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Rectificadores SOT-227 - GEN5 FRED IN PARALLE
281 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8
SI7212DN-T1-E3
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N.º de artículo de Mouser 781-SI7212DN-T1-E3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8
8 486 En existencias
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₡1 414,98
10
₡910,79
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₡623,46
500
₡585,51
3 000
₡580,09
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Rectificadores 130 Amp 200 Volt
VS-UFB130FA20
Vishay Semiconductors
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N.º de artículo de Mouser 844-VS-UFB130FA20
Vishay Semiconductors
Rectificadores 130 Amp 200 Volt
58 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES
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EFC6601R-TR
onsemi
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N.º de artículo de Mouser 863-EFC6601R-TR
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES
5 081 En existencias
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₡769,84
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₡479,25
100
₡319,86
500
₡249,38
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₡183,78
1 000
₡207,64
2 500
₡196,80
5 000
₡183,78
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NCH+NCH 23A 20V 4.4M OHM
EFC6612R-TF
onsemi
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N.º de artículo de Mouser 863-EFC6612R-TF
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NCH+NCH 23A 20V 4.4M OHM
4 934 En existencias
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₡710,20
10
₡504,73
100
₡346,43
500
₡271,61
1 000
Ver
5 000
₡222,82
1 000
₡238,00
2 500
₡222,82
5 000
₡222,82
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5 000
Detalles
Transistores digitales 100mA 50V BRT NPN
MUN5231DW1T1G
onsemi
1:
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57 611 En existencias
N.º de artículo de Mouser 863-MUN5231DW1T1G
onsemi
Transistores digitales 100mA 50V BRT NPN
57 611 En existencias
1
₡140,96
10
₡85,12
100
₡53,13
500
₡39,03
3 000
₡26,56
24 000
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₡34,70
24 000
₡25,48
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3 000
Detalles
Controladores de puerta con aislamiento galvánico 5 kVrms Isolated Dual Channel 4.5/9 A Gate Driver
360°
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NCP51561DBDWR2G
onsemi
1:
₡2 049,28
892 En existencias
N.º de artículo de Mouser 863-NCP51561DBDWR2G
onsemi
Controladores de puerta con aislamiento galvánico 5 kVrms Isolated Dual Channel 4.5/9 A Gate Driver
892 En existencias
1
₡2 049,28
10
₡1 545,09
25
₡1 387,87
100
₡1 279,44
1 000
₡1 105,96
2 000
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250
₡1 214,39
500
₡1 111,38
2 000
₡1 068,01
5 000
₡1 040,90
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Carrete :1 000
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Módulos IGBT IGBT MODULE T-SERIES STANDARD TYPE DUAL
CM600DY-24T
Mitsubishi Electric
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30 En existencias
N.º de artículo de Mouser 917-CM600DY-24T
Mitsubishi Electric
Módulos IGBT IGBT MODULE T-SERIES STANDARD TYPE DUAL
30 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade dual N-channel 40 V, 5 mOhm typ., 40 A STripFET F7 Power MOSFET
STL76DN4LF7AG
STMicroelectronics
1:
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15 809 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STL76DN4LF7AG
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade dual N-channel 40 V, 5 mOhm typ., 40 A STripFET F7 Power MOSFET
15 809 En existencias
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10
₡802,36
100
₡547,56
500
₡435,34
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₡422,33
3 000
₡394,68
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Carrete :3 000
Detalles
Diodos Schottky de SiC Automotive 650 V, 20 A High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
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STPSC20H065CWY
STMicroelectronics
1:
₡4 152,77
2 070 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STPSC20H065CWY
STMicroelectronics
Diodos Schottky de SiC Automotive 650 V, 20 A High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
2 070 En existencias
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₡2 412,51
100
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