Diodos de Conmutación de Señal Baja SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES
BAV99W_R2_00001
Panjit
1:
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N.º de artículo de Mouser 241-BAV99W_R2_00001
Panjit
Diodos de Conmutación de Señal Baja SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES
22 865 En existencias
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Transistores digitales BRT PNP NPN 100mA -50V
RN4602TE85LF
Toshiba
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N.º de artículo de Mouser 757-RN4602TE85LF
Toshiba
Transistores digitales BRT PNP NPN 100mA -50V
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Módulos IGBT IGBT MODULE T-SERIES NX TYPE DUAL
CM300DX-24T#110G
Mitsubishi Electric
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N.º de artículo de Mouser 917-CM300DX-24T
Mitsubishi Electric
Módulos IGBT IGBT MODULE T-SERIES NX TYPE DUAL
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Rectificadores y diodos Schottky Silicon Schottky Diodes 4V 110mA
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BAT 15-099 E6433
Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser 726-BAT15099E6433
NRND
Infineon Technologies
Rectificadores y diodos Schottky Silicon Schottky Diodes 4V 110mA
7 859 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
IPG20N04S4-12
Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser 726-IPG20N04S4-12
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET
IPG20N04S412AATMA1
Infineon Technologies
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NRND
N.º de artículo de Mouser 726-IPG20N04S412AATM
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-CH NexFET Pwr MOSFET
CSD75207W15
Texas Instruments
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N.º de artículo de Mouser 595-CSD75207W15
Texas Instruments
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-CH NexFET Pwr MOSFET
6 584 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel Nex F ET Pwr MOSFET
CSD86311W1723
Texas Instruments
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N.º de artículo de Mouser 595-CSD86311W1723
Texas Instruments
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel Nex F ET Pwr MOSFET
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Módulos IGBT 1200 V, 600 A common emitter IGBT module
FF600R12KE4EBOSA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser 726-FF600R12KE4EBOSA
Infineon Technologies
Módulos IGBT 1200 V, 600 A common emitter IGBT module
17 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Med Pwr, Sw MOSFET N Chan, 20V, 1.5A
US6K4TR
ROHM Semiconductor
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US6K4TR
N.º de artículo de Mouser 755-US6K4TR
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Med Pwr, Sw MOSFET N Chan, 20V, 1.5A
5 979 En existencias
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Rectificadores y diodos Schottky 40 Volt 200mA Common Anode
BAS40-04-G3-08
Vishay Semiconductors
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14 949 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-BAS40-04-G3-08
Vishay Semiconductors
Rectificadores y diodos Schottky 40 Volt 200mA Common Anode
14 949 En existencias
Embalaje alternativo
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6 000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Ch Enh-Mode M OSFET A 595-TPS1120 A 595-TPS1120DR
TPS1120D
Texas Instruments
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N.º de artículo de Mouser 595-TPS1120D
Texas Instruments
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Ch Enh-Mode M OSFET A 595-TPS1120 A 595-TPS1120DR
724 En existencias
Embalaje alternativo
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525
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Rectificadores Super Fast Recovery Diode (AEC-Q101 Qualified)
RF1001NS2DFHTL
ROHM Semiconductor
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N.º de artículo de Mouser 755-RF1001NS2DFHTL
ROHM Semiconductor
Rectificadores Super Fast Recovery Diode (AEC-Q101 Qualified)
948 En existencias
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1 000
₡416,90
2 000
₡414,74
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Rectificadores Recovery Diode 200V TO-252 6A Io 0.9V Vf
RFN6BM2DFHTL
ROHM Semiconductor
1:
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2 064 En existencias
N.º de artículo de Mouser 755-RFN6BM2DFHTL
ROHM Semiconductor
Rectificadores Recovery Diode 200V TO-252 6A Io 0.9V Vf
2 064 En existencias
1
₡965,00
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5 000
Ver
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₡280,29
5 000
₡237,46
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Rectificadores y diodos Schottky 10A, 120V, SMPD, TRENCH SKY RECT.
V10D120CHM3/I
Vishay Semiconductors
1:
₡1 393,29
1 990 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-V10D120CHM3I
Vishay Semiconductors
Rectificadores y diodos Schottky 10A, 120V, SMPD, TRENCH SKY RECT.
1 990 En existencias
1
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2 000
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4 000
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₡457,02
4 000
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) AF TRANSISTOR
+2 imágenes
BC847SH6327XTSA1
Infineon Technologies
1:
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261 772 En existencias
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser 726-BC847SH6327XTSA1
Fin de vida útil
Infineon Technologies
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) AF TRANSISTOR
261 772 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡173,48
10
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3 000
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Ver
1 000
₡43,37
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9 000
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24 000
₡24,94
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Detalles
Diodos de Conmutación de Señal Baja AF DIODE 100V 0.2A
MMBD 7000 LT1
Infineon Technologies
1:
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141 052 En existencias
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser 726-MMBD7000LT1
Fin de vida útil
Infineon Technologies
Diodos de Conmutación de Señal Baja AF DIODE 100V 0.2A
141 052 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡211,43
10
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₡58,55
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Ver
1 000
₡50,96
6 000
₡37,95
9 000
₡33,61
24 000
₡30,36
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch+Pch 100V Vds 3A 0.135Rds(on) 8.5Qg
SP8M51FRATB
ROHM Semiconductor
1:
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24 098 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser 755-SP8M51FRATB
NRND
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch+Pch 100V Vds 3A 0.135Rds(on) 8.5Qg
24 098 En existencias
1
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100
₡618,04
500
₡512,86
1 000
₡451,06
2 500
₡444,01
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL DFN DFN3030-8 GREEN 3K
DMN2016LFG-7
Diodes Incorporated
1:
₡547,56
6 000 En existencias
N.º de artículo de Mouser 621-DMN2016LFG-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL DFN DFN3030-8 GREEN 3K
6 000 En existencias
1
₡547,56
10
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100
₡214,69
500
₡162,64
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6 000
Ver
1 000
₡144,21
6 000
₡118,19
9 000
₡115,48
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Carrete :3 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS
DMT3009LDT-7
Diodes Incorporated
1:
₡780,68
2 925 En existencias
N.º de artículo de Mouser 621-DMT3009LDT-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS
2 925 En existencias
1
₡780,68
10
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100
₡312,81
500
₡256,43
3 000
₡198,42
6 000
Ver
1 000
₡233,66
6 000
₡184,33
9 000
₡181,07
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3 000
Detalles
Módulos IGBT 650 V, 100 A booster IGBT module
DF100R07W1H5FPB54BPSA2
Infineon Technologies
1:
₡20 498,22
30 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-DFW1H5FPB54BPSA2
Infineon Technologies
Módulos IGBT 650 V, 100 A booster IGBT module
30 En existencias
1
₡20 498,22
10
₡15 705,72
120
₡14 713,61
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
IPG20N04S4-08
Infineon Technologies
1:
₡1 301,13
8 852 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser 726-IPG20N04S4-08
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
8 852 En existencias
1
₡1 301,13
10
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₡569,24
500
₡451,60
1 000
Ver
5 000
₡380,04
1 000
₡407,15
2 500
₡400,10
5 000
₡380,04
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Carrete :5 000
Detalles
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Silicon AF TRANSISTOR ARRAY
+2 imágenes
BC 817UPN E6327
Infineon Technologies
1:
₡580,09
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Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser 726-BC817UPNE6327
Fin de vida útil
Infineon Technologies
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Silicon AF TRANSISTOR ARRAY
14 460 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡580,09
10
₡400,10
100
₡253,18
500
₡156,68
3 000
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6 000
Ver
1 000
₡117,10
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₡77,53
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₡70,48
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Carrete :3 000
Detalles
Diodos de Conmutación de Señal Baja HiPerFRED
DPG20C400PC
IXYS
1:
₡3 778,70
1 055 En existencias
N.º de artículo de Mouser 747-DPG20C400PC
IXYS
Diodos de Conmutación de Señal Baja HiPerFRED
1 055 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡3 778,70
10
₡2 531,78
100
₡2 033,02
500
₡1 805,32
800
₡1 599,31
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :800
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2P-CH 20V 1.5A TSMT6
QS6J1TR
ROHM Semiconductor
1:
₡542,14
5 938 En existencias
N.º de artículo del Fabricante
QS6J1TR
N.º de artículo de Mouser 755-QS6J1TR
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2P-CH 20V 1.5A TSMT6
5 938 En existencias
1
₡542,14
10
₡337,75
100
₡220,11
500
₡169,69
3 000
₡129,03
6 000
Ver
1 000
₡153,42
6 000
₡124,15
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3 000
Detalles
