Rectificadores y diodos Schottky 10A 100V TMBS FlatPAK 5x6
V10K100DU-M3/H
Vishay Semiconductors
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Vishay Semiconductors
Rectificadores y diodos Schottky 10A 100V TMBS FlatPAK 5x6
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Silicon AF TRANSISTOR ARRAY
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BC 817UPN E6327
Infineon Technologies
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Infineon Technologies
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Silicon AF TRANSISTOR ARRAY
14 460 En existencias
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Rectificadores y diodos Schottky Silicon Schottky Diodes 4V 110mA
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BAT 15-099 E6433
Infineon Technologies
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726-BAT15099E6433
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Infineon Technologies
Rectificadores y diodos Schottky Silicon Schottky Diodes 4V 110mA
7 859 En existencias
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Diodos Schottky de SiC Pwr Diode Disc-Schottky SOT-227B miniblc
DCG130X1200NA
Littelfuse
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747-DCG130X1200NA
Littelfuse
Diodos Schottky de SiC Pwr Diode Disc-Schottky SOT-227B miniblc
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT363 NPCH 20V .7A
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SI1553CDL-T1-BE3
Vishay / Siliconix
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Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT363 NPCH 20V .7A
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual 30V Vds PowerPAIR 6x5F
SIZF920DT-T1-GE3
Vishay / Siliconix
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Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual 30V Vds PowerPAIR 6x5F
7 382 En existencias
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Diodos de Conmutación de Señal Baja HiPerFRED
DPG20C400PC
IXYS
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747-DPG20C400PC
IXYS
Diodos de Conmutación de Señal Baja HiPerFRED
1 025 En existencias
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Módulos IGBT 4500 V, 1200 A single switch IGBT module
FZ1200R45HL4B8BPSA1
Infineon Technologies
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Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
726-FZ1200R45HL4B8BP
Nuevo producto
Infineon Technologies
Módulos IGBT 4500 V, 1200 A single switch IGBT module
3 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NCH+NCH 2.5V DRIVE S
EFC6611R-TF
onsemi
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Pedido especial de fábrica
N.º de artículo de Mouser
863-EFC6611R-TF
Pedido especial de fábrica
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NCH+NCH 2.5V DRIVE S
4 167 En existencias
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5 000
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Módulos de Diodos Discrete Semiconductor Modules 400V 200A
DBA200YA40
SanRex
1:
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20 En existencias
40 Se espera el 17/11/2026
N.º de artículo de Mouser
197-DBA200YA40
SanRex
Módulos de Diodos Discrete Semiconductor Modules 400V 200A
20 En existencias
40 Se espera el 17/11/2026
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CH MOSFET 20V
DMN2028UFDH-7
Diodes Incorporated
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N.º de artículo de Mouser
621-DMN2028UFDH-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CH MOSFET 20V
1 970 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT563 T&R 3K
DMP2900UV-7
Diodes Incorporated
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Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
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621-DMP2900UV-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT563 T&R 3K
Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
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₡43,20
24 000
₡40,60
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V
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DMP32D9UDA-7B
Diodes Incorporated
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7 157 En existencias
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621-DMP32D9UDA-7B
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V
7 157 En existencias
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10 000
Detalles
IGBTs 1700 V, 300 A dual IGBT module
FF300R17ME4PB11BPSA1
Infineon Technologies
1:
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1 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-FF300R17ME4PB11B
Infineon Technologies
IGBTs 1700 V, 300 A dual IGBT module
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Transistores digitales SMV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=300mW F=1MHz
RN1509(TE85L,F)
Toshiba
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5 790 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-RN1509TE85LF
Toshiba
Transistores digitales SMV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=300mW F=1MHz
5 790 En existencias
1
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₡29,15
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Carrete :
3 000
Transistores digitales NPN x 2 BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=22kOhm, Q2BSR=22kOhm, Q2BER=22kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A
RN1703,LF
Toshiba
1:
₡166,55
8 309 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-RN1703LF
Toshiba
Transistores digitales NPN x 2 BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=22kOhm, Q2BSR=22kOhm, Q2BER=22kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A
8 309 En existencias
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24 000
₡19,26
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3 000
Detalles
Transistores digitales ESV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz
RN2703JE(TE85L,F)
Toshiba
1:
₡208,19
3 910 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-RN2703JETE85LF
Toshiba
Transistores digitales ESV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz
3 910 En existencias
1
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₡59,33
4 000
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8 000
Ver
1 000
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2 000
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24 000
₡28,11
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4 000
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Sm Sig FET 0.1A 20V 2-in-1
SSM5N16FUTE85LF
Toshiba
1:
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7 671 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-SSM5N16FUTE85LF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Sm Sig FET 0.1A 20V 2-in-1
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24 000
₡34,87
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3 000
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) The factory is currently not accepting orders for this product.
BCM846BSH-QX
Nexperia
1:
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N.º de artículo de Mouser
771-BCM846BSH-QX
Nexperia
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) The factory is currently not accepting orders for this product.
4 112 En existencias
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₡85,88
3 000
₡75,99
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Detalles
Transistores digitales 500mA 50V Digital NPN
+2 imágenes
IMH20TR1G
onsemi
1:
₡338,30
4 550 En existencias
N.º de artículo de Mouser
863-IMH20TR1G
onsemi
Transistores digitales 500mA 50V Digital NPN
4 550 En existencias
1
₡338,30
10
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₡50,49
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Carrete :
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Detalles
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP
NSTB1005DXV5T1G
onsemi
1:
₡275,85
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N.º de artículo de Mouser
863-NSTB1005DXV5T1G
onsemi
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP
3 469 En existencias
1
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₡39,03
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4 000
Detalles
GaN FETs GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 30 Watt
CGH60030D-GP4
MACOM
10:
₡70 429,38
10 En existencias
N.º de artículo de Mouser
941-CGH60030D
MACOM
GaN FETs GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 30 Watt
10 En existencias
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Rectificadores Power Diode Discretes-FRED TO-263D2
IXYS DSEC16-12AS-TRL
DSEC16-12AS-TRL
IXYS
1:
₡3 539,16
1 790 En existencias
N.º de artículo de Mouser
747-DSEC16-12AS-TRL
IXYS
Rectificadores Power Diode Discretes-FRED TO-263D2
1 790 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡3 539,16
10
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100
₡1 904,90
500
₡1 691,51
800
₡1 493,74
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
800
Módulos de Diodos Discrete Semiconductor Modules 2200V 200A
DD200KB220
SanRex
1:
₡58 307,74
10 En existencias
N.º de artículo de Mouser
197-DD200KB220
SanRex
Módulos de Diodos Discrete Semiconductor Modules 2200V 200A
10 En existencias
1
₡58 307,74
10
₡48 278,37
100
₡39 508,53
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dl 30V P-Chnl UMOS
+2 imágenes
ZXMP3A17DN8TA
Diodes Incorporated
1:
₡1 233,50
694 En existencias
2 500 En pedido
N.º de artículo de Mouser
522-ZXMP3A17DN8TA
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dl 30V P-Chnl UMOS
694 En existencias
2 500 En pedido
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Existencias:
694 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
500 Se espera el 28/8/2026
1 000 Se espera el 12/10/2026
1 000 Se espera el 10/2/2027
Plazo de entrega de fábrica:
40 Semanas
1
₡1 233,50
10
₡785,90
100
₡530,87
500
₡382,02
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
500
Detalles