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Resultados: 5 040
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS
Vishay Semiconductors Rectificadores y diodos Schottky 10A 100V TMBS FlatPAK 5x6 4 214En existencias
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Infineon Technologies Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Silicon AF TRANSISTOR ARRAY 14 460En existencias
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: 3 000


Infineon Technologies Rectificadores y diodos Schottky Silicon Schottky Diodes 4V 110mA 7 859En existencias
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Littelfuse Diodos Schottky de SiC Pwr Diode Disc-Schottky SOT-227B miniblc 89En existencias
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Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT363 NPCH 20V .7A 99 129En existencias
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: 3 000

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual 30V Vds PowerPAIR 6x5F 7 382En existencias
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: 3 000

IXYS Diodos de Conmutación de Señal Baja HiPerFRED 1 025En existencias
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: 800

Infineon Technologies Módulos IGBT 4500 V, 1200 A single switch IGBT module 3En existencias
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NCH+NCH 2.5V DRIVE S 4 167En existencias
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SanRex Módulos de Diodos Discrete Semiconductor Modules 400V 200A 20En existencias
40Se espera el 17/11/2026
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CH MOSFET 20V 1 970En existencias
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT563 T&R 3K Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V 7 157En existencias
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Infineon Technologies IGBTs 1700 V, 300 A dual IGBT module 1En existencias
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Toshiba Transistores digitales SMV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=300mW F=1MHz 5 790En existencias
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Toshiba Transistores digitales NPN x 2 BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=22kOhm, Q2BSR=22kOhm, Q2BER=22kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A 8 309En existencias
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Toshiba Transistores digitales ESV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz 3 910En existencias
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Sm Sig FET 0.1A 20V 2-in-1 7 671En existencias
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Nexperia Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) The factory is currently not accepting orders for this product. 4 112En existencias
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: 3 000


onsemi Transistores digitales 500mA 50V Digital NPN 4 550En existencias
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onsemi Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP 3 469En existencias
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: 4 000

MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 30 Watt 10En existencias
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IXYS DSEC16-12AS-TRL
IXYS Rectificadores Power Diode Discretes-FRED TO-263D2 1 790En existencias
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: 800
SanRex Módulos de Diodos Discrete Semiconductor Modules 2200V 200A 10En existencias
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dl 30V P-Chnl UMOS 694En existencias
2 500En pedido
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