Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
DMNH6035SPDW-13
Diodes Incorporated
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V P-Ch Enh Mode 8Vgs 915pF 10.7nC
DMP1046UFDB-13
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V P-Ch Enh Mode 8Vgs 915pF 10.7nC
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Rectificadores y diodos Schottky 220 Amps 80V
DSS2X111-008A
IXYS
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Rectificadores y diodos Schottky 220 Amps 80V
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Transistores digitales NPN+PNP, SOT-563, Dual Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
EMD38T2R
ROHM Semiconductor
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ROHM Semiconductor
Transistores digitales NPN+PNP, SOT-563, Dual Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSMT8 2NCH 60V 5.5A
QH8KC6TCR
ROHM Semiconductor
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSMT8 2NCH 60V 5.5A
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Diodos Schottky de SiC AECQ
SCS210KE2HRC11
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Diodos Schottky de SiC AECQ
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Diodos Schottky de SiC SiC Schottky Barrier Diode, 1200V, 20A, 2nd Gen
SCS220KE2GC11
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Diodos Schottky de SiC SiC Schottky Barrier Diode, 1200V, 20A, 2nd Gen
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch+Pch -30V -7A MOSFET
SH8J65TB1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch+Pch -30V -7A MOSFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch+Pch 45V/-45V 4.5A/-3.5A; MOSFET
SH8M24TB1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch+Pch 45V/-45V 4.5A/-3.5A; MOSFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Nch+Pch Power MOSFET
SH8MA3TB1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Nch+Pch Power MOSFET
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Transistores digitales Dual Digital Transistor (Bias Resistor Built-in), NPN+NPN, SOT-363
UMH11NFHATN
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755-UMH11NFHATN
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Transistores digitales Dual Digital Transistor (Bias Resistor Built-in), NPN+NPN, SOT-363
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Diodos de Conmutación de Señal Baja The factory is currently not accepting orders for this product.
BAS31,235
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771-BAS31235
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Diodos de Conmutación de Señal Baja The factory is currently not accepting orders for this product.
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V (S1-S2) Cmn Drn PowerPAK 1212-8SCD
SISF00DN-T1-GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 8A 4W AEC-Q101 Qualified
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SQ4940AEY-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual 60V Vds Asymtrc AEC-Q101 Qualified
SQJ262EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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78-SQJ262EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
SQJQ960EL-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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78-SQJQ960EL-T1_GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
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Rectificadores y diodos Schottky 30A 200V Trench Stky Rectifier
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VB30202C-M3/4W
Vishay Semiconductors
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5 597 En existencias
N.º de artículo de Mouser
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Vishay Semiconductors
Rectificadores y diodos Schottky 30A 200V Trench Stky Rectifier
5 597 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS
NVMFD5C446NLWFT1G
onsemi
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863-NVMFD5C446NLWFT
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS
2 177 En existencias
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₡1 327,19
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Diodos de Conmutación de Señal Baja High Conductance Low Leakage
MMBD1503A-D87Z
onsemi
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87 858 En existencias
N.º de artículo de Mouser
512-MMBD1503AD87Z
onsemi
Diodos de Conmutación de Señal Baja High Conductance Low Leakage
87 858 En existencias
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Detalles
Diodos de Conmutación de Señal Baja 150MW 85V
BAS116V-7
Diodes Incorporated
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N.º de artículo de Mouser
621-BAS116V-7
Diodes Incorporated
Diodos de Conmutación de Señal Baja 150MW 85V
87 778 En existencias
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6 000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R 3K
DMC1028UVT-7
Diodes Incorporated
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N.º de artículo de Mouser
621-DMC1028UVT-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R 3K
32 850 En existencias
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₡74,95
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vdss 6V VGSS Complementary Pair
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DMG1016UDW-7
Diodes Incorporated
1:
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N.º de artículo de Mouser
621-DMG1016UDW-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vdss 6V VGSS Complementary Pair
78 372 En existencias
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Detalles
Rectificadores y diodos Schottky Super Barrier Rectif
SBR15U100CTLQ-13
Diodes Incorporated
1:
₡900,41
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N.º de artículo de Mouser
621-SBR15U100CTLQ-13
Diodes Incorporated
Rectificadores y diodos Schottky Super Barrier Rectif
5 010 En existencias
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₡277,41
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Min.: 1
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Carrete :
2 500
Módulos IGBT IGBT Module 1200A 1700V
DD1200S17H4_B2
Infineon Technologies
1:
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N.º de artículo de Mouser
641-DD1200S17H4_B2
Infineon Technologies
Módulos IGBT IGBT Module 1200A 1700V
4 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH
BSL316C H6327
Infineon Technologies
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45 494 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSL316CH6327
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH
45 494 En existencias
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₡100,45
9 000
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₡80,15
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3 000
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