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C4MS036120K1

Name: Wolfspeed C4MS036120K1
Brand: Wolfspeed
SKU: 941-C4MS036120K1
Price: 4408 CRC
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

941-C4MS036120K1

Fabricante N.º:

C4MS036120K1

Fabricante:

Wolfspeed

Descripción:

MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 36mohm, 1200V, TO-247-4-LP, Industrial

Ciclo de vida:

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Hoja de datos:

C4MS036120K1 Hoja de datos (PDF)

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	₡3 927	₡3 534 300
	₡3 335	₡4 502 250

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Wolfspeed
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	60 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	36 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V, + 23 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.6 V
Qg - Carga de puerta:	88 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	272 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	Wolfspeed
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	4 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	20 S
Producto:	SiC MOSFET
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	3 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tipo:	Silicon Carbide Power MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:	29 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	12 ns

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Hoja de datos

C4MS036120K1 Hoja de datos (PDF)

ECCN:: EAR99

1200V C4MS Discrete SiC MOSFETs

Wolfspeed 1200V C4MS Discrete Silicon Carbide (SiC) MOSFETs deliver unparalleled performance in hard-switched applications. The C4MS family utilizes a fast and soft body diode that enables fast switching with minimal overshoot and ringing, thereby expanding the usable design space for engineers to tune and optimize the performance in the application. The C4MS family provides improved E_on, E_RR, and E_off losses compared to the C3M family of devices, while maintaining a low R_DS(on) temperature coefficient. This balanced approach provides maximum performance and efficiency across a wide range of both hard-switched and soft-switched topologies.