Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

Volver a resultados de la búsqueda

¿Vé algún error?

E4MS036120K

Name: Wolfspeed E4MS036120K
Brand: Wolfspeed
SKU: 941-E4MS036120K
Price: 4640 CRC
Availability: OutOfStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

941-E4MS036120K

Fabricante N.º:

E4MS036120K

Fabricante:

Wolfspeed

Descripción:

MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 36mohm, 1200V, TO-247-4, Automotive, Gen4

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Lo nuevo de este fabricante.

Hoja de datos:

E4MS036120K Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre Wolfspeed E4MS036120K

Disponibilidad

Existencias:: No en existencias

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: Solicitar cotización de entrega

Introducir cantidad:

Mínimo: 450 Múltiples: 450

Precio unitario:

₡-

Precio ext.:

₡-

Est. Tarifa:

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡4 640	₡2 088 000
	₡4 130	₡3 717 000
	₡3 509	₡4 737 150

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Wolfspeed
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	55 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	47 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V, + 23 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.6 V
Qg - Carga de puerta:	88 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	211 W
Modo canal:	Enhancement
Calificación:	AEC-Q101
Marca:	Wolfspeed
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	4 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	20 S
Producto:	SiC MOSFET
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	3 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo de transistor:	1 N-Channe
Tipo:	Silicon Carbide Power MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:	29 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	12 ns

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

E4MS036120K Hoja de datos (PDF)

ECCN:: EAR99

1200V E4MS Discrete SiC MOSFETs

Wolfspeed 1200V E4MS Discrete Silicon Carbide (SiC) MOSFETs deliver unparalleled performance in onboard automotive applications. The E4MS family utilizes a fast and soft body diode that enables fast switching with minimal overshoot and ringing, expanding the usable design space for engineers to tune and optimize the performance in the application. The E4MS family provides improved E_on, E_RR, and E_off losses compared to the E3M family of devices, while maintaining a low R_DS(on) temperature coefficient. This balanced approach provides maximum performance and efficiency across a wide range of onboard topologies.