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IMBG65R083M1HXTMA1

Name: Infineon IMBG65R083M1HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMBG65R083M1HXTM
Price: 3706 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-IMBG65R083M1HXTM

Fabricante N.º:

IMBG65R083M1HXTMA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

Hoja de datos:

IMBG65R083M1HXTMA1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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₡-

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₡-

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡3 706	₡3 706
	₡2 349	₡23 490
	₡1 943	₡194 300
	₡1 931	₡965 500
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1000)
	₡1 572	₡1 572 000
25 000	Presupuesto

† ₡4 100 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	650 V
Id - Corriente de drenaje continua:	28 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	111 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 5 V, + 23 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	5.7 V
Qg - Carga de puerta:	44 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	126 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	CoolSiC
Marca:	Infineon Technologies
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Producto:	MOSFETs
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Serie:	CoolSiC 650V
Cantidad de empaque de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Alias de las piezas n.º:	IMBG65R083M1H SP005539181

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USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

CoolSiC™ MOSFETs 650V

Infineon Technologies CoolSiC™ MOSFETs 650V combines the physical strength of silicon carbide with features amplifying device performance, reliability, and ease of use. With its state-of-the-art trench semiconductor process, the CoolSiC™ MOSFET delivers the lowest losses in the application and the highest reliability in operation. CoolSiC is the perfect fit for use in high-temperature and harsh environment applications.

650V CoolSiC™ M1 Trench Power MOSFETs

Infineon Technologies 650V CoolSiC™ M1 Trench Power MOSFETs combine the strong physical characteristics of Silicon Carbide with unique features that increase the device's performance, robustness, and ease of use. The CoolSiC M1 MOSFETs are built on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to deliver the lowest application losses and the highest reliability in operation. Suitable for high temperatures and harsh operations, these devices enable the simplified and cost-effective deployment of the highest system efficiency.