MWT-PH11F

CML Micro
938-MWT-PH11F
MWT-PH11F

Fabricante:

Descripción:
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.
Más información
Conozca más sobre CML Micro MWT-PH11F

En existencias: 90

Existencias:
90 Se puede enviar inmediatamente
Las cantidades superiores a 90 estarán sujetas a requisitos mínimos de pedido.
Mínimo: 10   Múltiples: 10
Precio unitario:
₡-
Precio ext.:
₡-
Est. Tarifa:

Precio (CRC)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
₡69 269 ₡692 690
₡65 760 ₡1 972 800
₡65 755 ₡6 575 500
250 Presupuesto

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
CML Micro
Categoría de producto: Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
RoHS:  
GaAs
440 mA to 800 mA
8 V
12 GHz
9 dB
32 dBm
+ 150 C
Die
Bulk
Marca: CML Micro
Tipo de producto: RF MOSFET Transistors
Serie: MWT
Cantidad de empaque de fábrica: 10
Subcategoría: MOSFETs
Nombre comercial: MWT-PH11F
Tipo: RF Power MOSFET
Peso de la unidad: 0,140 mg
Productos encontrados:
Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación
Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.
Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

Other

USHTS:
8541210040
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

GaAs FET & pHEMT Devices

MicroWave Technology GaAs FET and pHEMT Devices are ultra-linear, high-dynamic range, and low-phase noise devices that include commercial, industrial, military, and space-grade variants. The GaAs process employed by MicroWave Technology is approved for space applications with proven reliability. These devices come with standard and custom device specifications with high-rel and space-rel screening options availability. The GaAs FET and pHEMT devices are RoHS (lead-free) compliant and offer 100% wafer bond pull, die shear, wafer DC burn-in, and bake tests in evaluation per MIL-PRF-38534. These devices are typically suitable for oscillators, narrow-band, wideband applications, space, and military applications.

Se ha producido un error inesperado.


¿Tiene alguna pregunta? Visite el Centro de ayuda.
Si tiene preguntas sobre un pedido específico, inicie sesión en su cuenta.

Si tiene más problemas, comuníquese con nosotros al 800-346-6873 o envíe un correo electrónico a help@mouser.com.