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NTBL060N065SC1

Name: onsemi NTBL060N065SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NTBL060N065SC1
Price: 4976 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NTBL060N065SC1

Fabricante N.º:

NTBL060N065SC1

Fabricante:

onsemi

Descripción:

MOSFETs de SiC M2 650V SIC MOSFET 60MOHM

Ciclo de vida:

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Hoja de datos:

NTBL060N065SC1 Hoja de datos

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	₡4 976	₡4 976
	₡3 648	₡36 480
	₡3 016	₡301 600
	₡3 004	₡1 502 000
	₡2 964	₡2 964 000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2000)
	₡2 500	₡5 000 000

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SO-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	650 V
Id - Corriente de drenaje continua:	46 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	70 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 8 V, + 22.6 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.3 V
Qg - Carga de puerta:	74 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 170 C
Dp - Disipación de potencia :	170 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	EliteSiC
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	11 ns
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	14 ns
Serie:	NTBL060N065SC1
Cantidad de empaque de fábrica:	2000
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tiempo de retardo de apagado típico:	24 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	11 ns

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NTBL060N065SC1 Hoja de datos

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

650V EliteSiC (Silicon Carbide) MOSFETs

onsemi 650V EliteSiC (Silicon Carbide) MOSFETs use a technology that provides superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. In addition, the low ON resistance and compact chip size ensure low capacitance and gate charge. Consequently, system benefits include the highest efficiency, faster operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size. The onsemi TOLL package offers improved thermal performance and excellent switching performance thanks to Kelvin Source configuration and lower parasitic source inductance. TOLL offers Moisture Sensitivity Level 1 (MSL 1).