Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 35

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds -/+20V Vgs AEC-Q101 Qualified

SQD40131EL_GE3
Vishay / Siliconix
1: ₡1 085
4 007En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQD40131EL_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQD40131EL_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds -/+20V Vgs AEC-Q101 Qualified

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Cinta cortada

₡1 085

₡702

₡471

₡374

Envase tipo carrete

₡315

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Mult.: 1

Carrete: 2 000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

40 V

50 A

11.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

76 nC

- 55 C

+ 175 C

62 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 50A 136W AEC-Q101 Qualified

SQD50P06-15L_GE3
Vishay / Siliconix
1: ₡2 256
4 568En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQD50P06-15L_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQD50P06-15L_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 50A 136W AEC-Q101 Qualified

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4 568En existencias

Cinta cortada

₡2 256

₡1 485

₡1 044

₡928

Envase tipo carrete

₡806

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Carrete: 2 000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

60 V

50 A

13.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

150 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified

SQJ409EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: ₡1 166
19 283En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ409EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ409EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified

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Cinta cortada

₡1 166

₡760

₡510

₡405

Envase tipo carrete

₡329

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

P-Channel

1 Channel

40 V

60 A

7 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

170 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -80V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK SO-8L

SQJ481EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: ₡887
13 417En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ481EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ481EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -80V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK SO-8L

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Cinta cortada

₡887

₡560

₡373

₡293

Envase tipo carrete

₡234

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Carrete: 3 000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

P-Channel

1 Channel

80 V

16 A

80 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

50 nC

- 55 C

+ 175 C

45 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds; +/-20V Vgs TO-263; -100A Id

SQM40061EL_GE3
Vishay / Siliconix
1: ₡1 340
6 673En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQM40061EL_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQM40061EL_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds; +/-20V Vgs TO-263; -100A Id

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6 673En existencias

Cinta cortada

₡1 340

₡963

₡661

₡501

Envase tipo carrete

₡499

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Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

P-Channel

1 Channel

40 V

100 A

5.1 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

185 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds; +/-8V Vgs PowerPAK SC-70-6L

SQA401EEJ-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: ₡522
2 999En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQA401EEJ-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQA401EEJ-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds; +/-8V Vgs PowerPAK SC-70-6L

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2 999En existencias

Cinta cortada

₡522

₡324

₡211

₡162

Envase tipo carrete

₡125

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Mult.: 1

Carrete: 3 000

SMD/SMT

SC-70-6

P-Channel

1 Channel

20 V

2.68 A

113 mOhms

- 8 V, 8 V

1.5 V

5.3 nC

- 55 C

+ 175 C

13.6 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds; +/-20V Vgs TO-252; -50A Id

SQD40081EL_GE3
Vishay / Siliconix
1: ₡986
474En existencias
4 000Se espera el 26/2/2026

N.º de artículo del Fabricante
SQD40081EL_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQD40081EL_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds; +/-20V Vgs TO-252; -50A Id

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474En existencias

4 000Se espera el 26/2/2026

Cinta cortada

₡986

₡708

₡486

₡378

Envase tipo carrete

₡318

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

40 V

50 A

8.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

210 nC

- 55 C

+ 175 C

71 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -80Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ479EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: ₡1 050
5 329En existencias
39 000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SQJ479EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ479EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -80Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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₡667

₡447

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₡278

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

P-Channel

1 Channel

80 V

32 A

33 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

90 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ403BEEP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: ₡951
5En existencias

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SQJ403BEEP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ403BEEP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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₡742

₡464

₡423

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₡349

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

P-Channel

1 Channel

30 V

30 A

7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

164 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V PowerPAK SC-70 AEC-Q101 Qualified

SQA401EJ-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: ₡522
5 997Se espera el 6/7/2026

N.º de artículo del Fabricante
SQA401EJ-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQA401EJ-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V PowerPAK SC-70 AEC-Q101 Qualified

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₡522

₡324

₡211

₡162

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₡125

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SMD/SMT

SC-70-6

P-Channel

1 Channel

20 V

3.75 A

160 mOhms

- 12 V, 12 V

1 V

3.4 nC

- 55 C

+ 175 C

13.6 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

1.6 A
2.68 A
2.8 A
3.75 A
4.7 A
5.3 A
6.9 A
12 A
15 A
16 A
20 A
25 A
30 A
32 A
36 A
50 A
52 A
55 A
60 A
75 A

2.5 mOhms
4.4 mOhms
4.8 mOhms
5.1 mOhms
6.4 mOhms
7 mOhms
7.1 mOhms
8.1 mOhms
8.5 mOhms
9.2 mOhms
11.5 mOhms
13 mOhms
13.5 mOhms
14 mOhms
15.5 mOhms
18 mOhms
20 mOhms
25 mOhms
33 mOhms
48 mOhms

3.4 nC
5.3 nC
5.4 nC
7.5 nC
8 nC
9 nC
12.5 nC
15 nC
15.3 nC
27 nC
29 nC
50 nC
65 nC
73 nC
76 nC
80 nC
90 nC
95 nC
100 nC
101 nC