Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Zener-Protected SuperMESH3 Power MOSFETs

STMicroelectronics Zener-Protected SuperMESH3™ Power MOSFETs are created through increased fine-tuning of STMicroelectronic's strip-based PowerMESH™ layout, combined with optimization of the vertical structure. In addition to significantly reducing ON-resistance, special attention has been taken to ensure these MOSFETs offer dynamic performance with a large avalanche capability. STMicroelectronics Zener-Protected SuperMESH3 Power MOSFETs are offered in voltages up to 1200V. Applications include switch-mode low-power supplies (SMPS), DC-DC converters, switching, and offline power supplies.

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Resultados: 40

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 525 V 6.3 A DPAK STD7N52K3 STMicroelectronics 1: ₡1 181,46 3 759En existencias	N.º de artículo del Fabricante STD7N52K3 N.º de artículo de Mouser 511-STD7N52K3	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 525 V 6.3 A DPAK Obtenga más información sobre STMicroelectronics stmsuperMESH3	Hoja de datos	3 759En existencias	Cinta cortada ₡1 181,46 ₡749,47 ₡504,85 ₡409,09 Envase tipo carrete ₡342,47 Ver ₡366,93 ₡329,45 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	525 V	6 A	850 mOhms	30 V	3 V	33 nC	- 55 C	+ 150 C	90 W	Enhancement	MDmesh	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V SuperMESH3 Zener-Protected 10A STW13N95K3 STMicroelectronics 1: ₡4 835,12 1 100En existencias	N.º de artículo del Fabricante STW13N95K3 N.º de artículo de Mouser 511-STW13N95K3	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V SuperMESH3 Zener-Protected 10A Obtenga más información sobre STMicroelectronics stmsuperMESH3	Hoja de datos	1 100En existencias	₡4 835,12 ₡3 299,75 ₡2 722,03 ₡2 295,25	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	950 V	10 A	680 mOhms	30 V	4 V	51 nC	- 55 C	+ 150 C	190 W	Enhancement	SuperMESH	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 7.2 Amp STW7N95K3 STMicroelectronics 1: ₡3 856,65 571En existencias	N.º de artículo del Fabricante STW7N95K3 N.º de artículo de Mouser 511-STW7N95K3	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 7.2 Amp Obtenga más información sobre STMicroelectronics stmsuperMESH3	Hoja de datos	571En existencias	₡3 856,65 ₡2 019,41 ₡1 852,86 ₡1 707,13	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	950 V	7.2 A	1.35 Ohms	30 V	3 V	34 nC	- 55 C	+ 150 C	150 W	Enhancement	SuperMESH	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 3 Ohm 2.2A SuperMESH 3 STD2N62K3 STMicroelectronics 1: ₡1 160,64 2 749En existencias	N.º de artículo del Fabricante STD2N62K3 N.º de artículo de Mouser 511-STD2N62K3	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 3 Ohm 2.2A SuperMESH 3 Obtenga más información sobre STMicroelectronics stmsuperMESH3	Hoja de datos	2 749En existencias	Cinta cortada ₡1 160,64 ₡562,10 ₡502,25 ₡399,72 ₡372,13 Envase tipo carrete ₡334,14 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	620 V	2.2 A	3.6 Ohms	30 V	3 V	15 nC	- 55 C	+ 150 C	45 W	Enhancement	MDmesh	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 620V, 2.7A SuperMESH Mosfet STD3N62K3 STMicroelectronics 1: ₡863,97 7 655En existencias	N.º de artículo del Fabricante STD3N62K3 N.º de artículo de Mouser 511-STD3N62K3	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 620V, 2.7A SuperMESH Mosfet Obtenga más información sobre STMicroelectronics stmsuperMESH3	Hoja de datos	7 655En existencias	Cinta cortada ₡863,97 ₡409,61 ₡315,40 ₡259,71 Envase tipo carrete ₡227,96 Ver ₡242,02 ₡223,28 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	620 V	2.7 A	2.5 Ohms	30 V	3 V	13 nC	- 55 C	+ 150 C	45 W	Enhancement	MDmesh	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 950 VDSS <3.5 RDS 4A ID 90W Pw STD5N95K3 STMicroelectronics 1: ₡1 753,97 6 491En existencias	N.º de artículo del Fabricante STD5N95K3 N.º de artículo de Mouser 511-STD5N95K3	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 950 VDSS <3.5 RDS 4A ID 90W Pw Obtenga más información sobre STMicroelectronics stmsuperMESH3	Hoja de datos	6 491En existencias	Cinta cortada ₡1 753,97 ₡1 061,75 ₡910,81 ₡796,31 ₡780,70 Envase tipo carrete ₡749,47 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	950 V	4 A	3 Ohms	30 V	3 V	19 nC	- 55 C	+ 150 C	90 W	Enhancement	SuperMESH	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 1.28 Ohm SuperMESH3 4.3A STD5N62K3 STMicroelectronics 1: ₡988,88 1 691En existencias	N.º de artículo del Fabricante STD5N62K3 N.º de artículo de Mouser 511-STD5N62K3	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 1.28 Ohm SuperMESH3 4.3A Obtenga más información sobre STMicroelectronics stmsuperMESH3	Hoja de datos	1 691En existencias	Cinta cortada ₡988,88 ₡471,54 ₡421,58 ₡333,10 Envase tipo carrete ₡268,56 Ver ₡306,55 ₡262,84 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	620 V	4.2 A	1.6 Ohms	30 V	3 V	26 nC	- 55 C	+ 150 C	70 W	Enhancement	MDmesh	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 0.68 Ohm 10A SuperMESH3 STF13N95K3 STMicroelectronics 1: ₡4 205,36 956En existencias	N.º de artículo del Fabricante STF13N95K3 N.º de artículo de Mouser 511-STF13N95K3	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 0.68 Ohm 10A SuperMESH3 Obtenga más información sobre STMicroelectronics stmsuperMESH3	Hoja de datos	956En existencias	₡4 205,36 ₡2 274,43 ₡2 087,07 ₡1 915,31 ₡1 816,42	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	950 V	10 A	850 mOhms	30 V	3 V	51 nC	- 55 C	+ 150 C	40 W	Enhancement	SuperMESH	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 620V-2.2ohms 2.7A STU3N62K3 STMicroelectronics 1: ₡1 103,39 2 988En existencias	N.º de artículo del Fabricante STU3N62K3 N.º de artículo de Mouser 511-STU3N62K3	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 620V-2.2ohms 2.7A Obtenga más información sobre STMicroelectronics stmsuperMESH3	Hoja de datos	2 988En existencias	₡1 103,39 ₡511,62 ₡465,82 ₡382,02 Ver ₡342,47 ₡341,95 ₡316,96	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-251-3	N-Channel	1 Channel	620 V	2.7 A	2.5 Ohms	30 V	3 V	13 nC	- 55 C	+ 150 C	45 W	Enhancement	MDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V SuperMESH3 Zener-Protected 10A STP13N95K3 STMicroelectronics 1: ₡4 512,44 364En existencias	N.º de artículo del Fabricante STP13N95K3 N.º de artículo de Mouser 511-STP13N95K3	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V SuperMESH3 Zener-Protected 10A Obtenga más información sobre STMicroelectronics stmsuperMESH3	Hoja de datos	364En existencias	₡4 512,44 ₡2 493,03 ₡2 295,25 ₡2 035,02	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	950 V	10 A	680 mOhms	30 V	4 V	51 nC	- 55 C	+ 150 C	190 W	Enhancement	SuperMESH	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 1.7 Ohm 3.8A SuperMESH 3 STF4N62K3 STMicroelectronics 1: ₡1 639,47 963En existencias	N.º de artículo del Fabricante STF4N62K3 N.º de artículo de Mouser 511-STF4N62K3	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 1.7 Ohm 3.8A SuperMESH 3 Obtenga más información sobre STMicroelectronics stmsuperMESH3	Hoja de datos	963En existencias	₡1 639,47 ₡1 066,95 ₡733,86 ₡614,15 Ver ₡567,31 ₡541,28	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	620 V	3.8 A	2 Ohms	30 V	3 V	22 nC	- 55 C	+ 150 C	25 W	Enhancement	SuperMESH	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 3 Ohm 2.2A SuperMESH3 STF2N62K3 STMicroelectronics 1: ₡1 306,37 1 741En existencias	N.º de artículo del Fabricante STF2N62K3 N.º de artículo de Mouser 511-STF2N62K3	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 3 Ohm 2.2A SuperMESH3 Obtenga más información sobre STMicroelectronics stmsuperMESH3	Hoja de datos	1 741En existencias	₡1 306,37 ₡827,54 ₡562,10 ₡451,76 Ver ₡404,40 ₡386,71 ₡384,10 ₡368,49 Presupuesto	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	620 V	2.2 A	3.6 Ohms	30 V	3 V	15 nC	- 55 C	+ 150 C	20 W	Enhancement	MDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 620 V 8.4 A TO-220 TO-22 STF10N62K3 STMicroelectronics 1: ₡1 504,15 976En existencias	N.º de artículo del Fabricante STF10N62K3 N.º de artículo de Mouser 511-STF10N62K3	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 620 V 8.4 A TO-220 TO-22 Obtenga más información sobre STMicroelectronics stmsuperMESH3	Hoja de datos	976En existencias	₡1 504,15 ₡968,07 ₡660,99 ₡562,10 Ver ₡476,75 ₡466,34 ₡448,64	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	620 V	8.4 A	680 mOhms	30 V	3 V	42 nC	- 55 C	+ 150 C	30 W	Enhancement	SuperMESH	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 1000 Volt 3.5A Zener SuperMESH STP5NK100Z STMicroelectronics 1: ₡2 992,68 2 856En existencias	N.º de artículo del Fabricante STP5NK100Z N.º de artículo de Mouser 511-STP5NK100Z	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 1000 Volt 3.5A Zener SuperMESH Obtenga más información sobre STMicroelectronics stmsuperMESH3	Hoja de datos	2 856En existencias	₡2 992,68 ₡1 795,61 ₡1 384,44 ₡1 238,71 ₡1 145,02	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	1 kV	3.5 A	3.7 Ohms	30 V	3 V	42 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	SuperMESH	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 620V-1.1ohms 5.5A STU6N62K3 STMicroelectronics 1: ₡1 545,78 2 220En existencias	N.º de artículo del Fabricante STU6N62K3 N.º de artículo de Mouser 511-STU6N62K3	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 620V-1.1ohms 5.5A Obtenga más información sobre STMicroelectronics stmsuperMESH3	Hoja de datos	2 220En existencias	₡1 545,78 ₡739,06 ₡666,20 ₡556,90 Ver ₡530,87 ₡520,47 ₡487,68 Presupuesto	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-251-3	N-Channel	1 Channel	620 V	5.5 A	1.28 Ohms	30 V	3 V	34 nC	- 55 C	+ 150 C	90 W	Enhancement	SuperMESH	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1200 V, 1.65 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package STW8N120K5 STMicroelectronics 1: ₡4 970,44 496En existencias	N.º de artículo del Fabricante STW8N120K5 N.º de artículo de Mouser 511-STW8N120K5	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1200 V, 1.65 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stmsuperMESH3	Hoja de datos	496En existencias	₡4 970,44 ₡2 742,85 ₡2 529,46 ₡2 300,46	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	1.2 kV	6 A	2 Ohms	30 V	3 V	13.7 nC	- 55 C	+ 150 C	130 W	Enhancement	MDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 525 V 4.4 A SuperMESH3 STD5N52K3 STMicroelectronics 1: ₡1 145,02 1 246En existencias	N.º de artículo del Fabricante STD5N52K3 N.º de artículo de Mouser 511-STD5N52K3	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 525 V 4.4 A SuperMESH3 Obtenga más información sobre STMicroelectronics stmsuperMESH3	Hoja de datos	1 246En existencias	Cinta cortada ₡1 145,02 ₡593,33 ₡471,54 ₡374,21 Envase tipo carrete ₡287,82 Ver ₡357,04 ₡285,22 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	525 V	4.4 A	1.2 Ohms	30 V	3 V	17 nC	- 55 C	+ 150 C	70 W	Enhancement	MDmesh	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 525 V MDMesh STD6N52K3 STMicroelectronics 1: ₡1 119,00 330En existencias	N.º de artículo del Fabricante STD6N52K3 N.º de artículo de Mouser 511-STD6N52K3	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 525 V MDMesh Obtenga más información sobre STMicroelectronics stmsuperMESH3	Hoja de datos	330En existencias	Cinta cortada ₡1 119,00 ₡588,13 ₡461,13 ₡356,00 ₡344,03 Envase tipo carrete ₡283,13 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	525 V	5 A	1 Ohms	30 V	3 V	26 nC	- 55 C	+ 150 C	70 W	Enhancement	MDmesh	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 620V-2.2ohms 2.7A STF3N62K3 STMicroelectronics 1: ₡884,79 995En existencias	N.º de artículo del Fabricante STF3N62K3 N.º de artículo de Mouser 511-STF3N62K3	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 620V-2.2ohms 2.7A Obtenga más información sobre STMicroelectronics stmsuperMESH3	Hoja de datos	995En existencias	₡884,79 ₡420,02 ₡374,21 ₡294,58 Ver ₡263,88 ₡240,46 ₡231,61 ₡225,88	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	620 V	2.7 A	2.5 Ohms	30 V	3 V	13 nC	- 55 C	+ 150 C	45 W	Enhancement	MDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 525V 2.5A 2.1 Ohm SuperMESH3 STP4N52K3 STMicroelectronics 1: ₡1 061,75 503En existencias	N.º de artículo del Fabricante STP4N52K3 N.º de artículo de Mouser 511-STP4N52K3	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 525V 2.5A 2.1 Ohm SuperMESH3 Obtenga más información sobre STMicroelectronics stmsuperMESH3	Hoja de datos	503En existencias	₡1 061,75 ₡546,49 ₡443,44 ₡350,27 Ver ₡316,44 ₡286,26 ₡253,99 ₡245,66 ₡215,99	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	525 V	2.5 A	2.1 Ohms	30 V	3.75 V	11 nC			20 W		MDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 7.2 Amp STP7N95K3 STMicroelectronics 1: ₡2 336,89 143En existencias	N.º de artículo del Fabricante STP7N95K3 N.º de artículo de Mouser 511-STP7N95K3	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 7.2 Amp Obtenga más información sobre STMicroelectronics stmsuperMESH3	Hoja de datos	143En existencias	₡2 336,89 ₡1 197,07 ₡1 186,66 ₡994,09 ₡869,18	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	950 V	7.2 A	1.35 Ohms	30 V	3 V	34 nC	- 55 C	+ 150 C	150 W	Enhancement	SuperMESH	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 1.7 Ohm 3.8A SuperMESH 3 STU4N62K3 STMicroelectronics 1: ₡1 212,68 1 891En existencias	N.º de artículo del Fabricante STU4N62K3 N.º de artículo de Mouser 511-STU4N62K3	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 1.7 Ohm 3.8A SuperMESH 3 Obtenga más información sobre STMicroelectronics stmsuperMESH3	Hoja de datos	1 891En existencias	₡1 212,68 ₡660,99 ₡546,49 ₡441,88 Ver ₡396,07 ₡384,10 ₡377,86 ₡365,89 Presupuesto	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-251-3	N-Channel	1 Channel	620 V	3.8 A	2 Ohms	30 V	3 V	22 nC	- 55 C	+ 150 C	70 W	Enhancement	SuperMESH	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 1000 Volt 3.5 A Zener SuperMESH STW5NK100Z STMicroelectronics 1: ₡3 096,77 8En existencias 600Se espera el 12/2/2027	N.º de artículo del Fabricante STW5NK100Z N.º de artículo de Mouser 511-STW5NK100Z	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 1000 Volt 3.5 A Zener SuperMESH Obtenga más información sobre STMicroelectronics stmsuperMESH3	Hoja de datos	8En existencias 600Se espera el 12/2/2027	₡3 096,77 ₡2 029,82 ₡1 493,74 ₡1 332,39	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	1 kV	3.5 A	2.7 Ohms	30 V	3 V	42 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	SuperMESH	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 1000 Volt 3.5A Zener SuperMESH STF5NK100Z STMicroelectronics 1: ₡3 086,36 8 996En pedido	N.º de artículo del Fabricante STF5NK100Z N.º de artículo de Mouser 511-STF5NK100Z	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 1000 Volt 3.5A Zener SuperMESH Obtenga más información sobre STMicroelectronics stmsuperMESH3	Hoja de datos	8 996En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: STF5NK100Z Existencias: 0 En pedido: 3 996 Se espera el 8/10/2027 5 000 Se espera el 5/11/2027 Plazo de entrega de fábrica: 34 Semanas	₡3 086,36 ₡1 618,65 ₡1 478,12 ₡1 264,73	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	1 kV	3.5 A	3.7 Ohms	30 V	3 V	42 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	SuperMESH	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 1.8 ohm 3.8 A SuperMESH3 STD4N62K3 STMicroelectronics 1: ₡1 446,89 26En existencias	N.º de artículo del Fabricante STD4N62K3 N.º de artículo de Mouser 511-STD4N62K3	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 1.8 ohm 3.8 A SuperMESH3 Obtenga más información sobre STMicroelectronics stmsuperMESH3	Hoja de datos	26En existencias	Cinta cortada ₡1 446,89 ₡770,29 ₡640,17 ₡519,42 Envase tipo carrete ₡464,78 Ver ₡482,47 ₡455,93 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	620 V	3.8 A	1.95 Ohms	30 V	4.5 V	14 nC	- 55 C	+ 150 C	70 W	Enhancement	MDmesh	Reel, Cut Tape, MouseReel