Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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Dp - Disipación de potencia

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQM70060EL_GE3
Vishay / Siliconix
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13 052En existencias

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SQM70060EL_GE3

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78-SQM70060EL_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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Cinta cortada

₡1 676

₡1 166

₡893

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₡638

₡632

Presupuesto

MouseReel Disponible

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1 Channel

100 V

75 A

4.6 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

100 nC

- 55 C

+ 175 C

166 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 95A Id AEC-Q101 Qualified

SQM90142E_GE3
Vishay Semiconductors
1: ₡2 268
23 015En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQM90142E_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQM90142E_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 95A Id AEC-Q101 Qualified

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23 015En existencias

₡2 268

₡1 491

₡1 044

₡1 009

₡760

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

200 V

95 A

15.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

55 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQS140ELNW-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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2 881En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQS140ELNW-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQS140ELNW

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

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2 881En existencias

Cinta cortada

₡969

₡615

₡410

₡323

Envase tipo carrete

₡259

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3 000

SMD/SMT

PowerPAK 1212-8

N-Channel

1 Channel

40 V

153 A

3.45 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

53 nC

- 55 C

+ 175 C

119 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds; +/-8V Vgs SOT-23; 4A Id

SQ2364EES-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: ₡539
44 484En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ2364EES-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ2364EES-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds; +/-8V Vgs SOT-23; 4A Id

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44 484En existencias

Cinta cortada

₡539

₡336

₡219

₡168

Envase tipo carrete

₡131

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MouseReel Disponible

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Carrete: 3 000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

60 V

2 A

240 mOhms

- 8 V, 8 V

460 mV

2.5 nC

- 55 C

+ 175 C

3 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ3418EV-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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8 465En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ3418EV-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
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Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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8 465En existencias

Cinta cortada

₡615

₡379

₡248

₡195

Envase tipo carrete

₡150

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MouseReel Disponible

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Carrete: 3 000

SMD/SMT

TSOP-6

N-Channel

1 Channel

40 V

8 A

26 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

12.7 nC

- 55 C

+ 175 C

5 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 50A 71W AEC-Q101 Qualified

SQD50N04-5m6_T4GE3
Vishay Semiconductors
1: ₡1 282
2 234En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQD50N04-5m6_T4GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQD50N04-5M6T4GE

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 50A 71W AEC-Q101 Qualified

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2 234En existencias

Cinta cortada

₡1 282

₡824

₡557

₡444

₡419

Envase tipo carrete

₡349

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2 500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

50 A

4.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

85 nC

- 55 C

+ 175 C

71 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified

SQJ454EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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6 571En existencias

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SQJ454EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ454EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified

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Cinta cortada

₡980

₡655

₡450

₡364

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₡300

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MouseReel Disponible

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

200 V

13 A

145 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

56 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 60A Id AEC-Q101 Qualified

SQJA02EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: ₡1 160
3 008En existencias

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SQJA02EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJA02EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 60A Id AEC-Q101 Qualified

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Cinta cortada

₡1 160

₡742

₡501

₡398

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₡339

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Min.: 1
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Carrete: 3 000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

60 V

60 A

4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

80 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 46A Id AEC-Q101 Qualified

SQJA84EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQJA84EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJA84EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 46A Id AEC-Q101 Qualified

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Cinta cortada

₡1 015

₡644

₡432

₡341

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₡274

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Min.: 1
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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

80 V

46 A

10.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

35 nC

- 55 C

+ 175 C

55 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 30A Id AEC-Q101 Qualified

SQJA86EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: ₡922
9 649En existencias

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SQJA86EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJA86EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 30A Id AEC-Q101 Qualified

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Cinta cortada

₡922

₡586

₡388

₡306

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₡234

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

80 V

30 A

15.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

32 nC

- 55 C

+ 175 C

48 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 30A Id AEC-Q101 Qualified

SQJA96EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: ₡922
4 542En existencias

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SQJA96EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJA96EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 30A Id AEC-Q101 Qualified

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Cinta cortada

₡922

₡586

₡389

₡306

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₡244

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

80 V

30 A

17.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

25 nC

- 55 C

+ 175 C

48 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40V PowerPAK 1212-8W

SQS484CENW-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: ₡690
8 008En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQS484CENW-T1_GE3

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78-SQS484CENW-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40V PowerPAK 1212-8W

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Cinta cortada

₡690

₡446

₡299

₡233

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₡184

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SMD/SMT

PowerPAK-1212-8W-8

N-Channel

1 Channel

40 V

16 A

9.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

27 nC

- 55 C

+ 175 C

62.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOSFET 60V 31 mohm @ 10V

SUD23N06-31-GE3
Vishay Semiconductors
1: ₡864
4 671En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUD23N06-31-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SUD23N06-31-GE3

Vishay Semiconductors

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₡546

₡364

₡285

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₡229

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Mult.: 1

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

21.4 A

31 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

11 nC

- 55 C

+ 150 C

31.25 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

SQA310CEJW-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: ₡383
5 789En existencias

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SQA310CEJW-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQA310CEJW

Vishay / Siliconix

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Cinta cortada

₡383

₡251

₡166

₡127

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₡102

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Mult.: 1

Carrete: 3 000

SMD/SMT

PowerPAK SC-70W-6

N-Channel

1 Channel

30 V

9 A

32 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

7.9 nC

- 55 C

+ 175 C

13.6 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ2398ES-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: ₡580
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SQ2398ES-T1_GE3

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78-SQ2398ES-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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₡580

₡361

₡235

₡182

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₡142

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Mult.: 1

Carrete: 3 000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

100 V

1.6 A

300 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

2.3 nC

- 55 C

+ 175 C

2 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQD70140EL_GE3
Vishay / Siliconix
1: ₡1 015
6 419En existencias

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SQD70140EL_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQD70140EL_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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₡1 015

₡650

₡433

₡342

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₡288

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Mult.: 1

Carrete: 2 000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

30 A

12 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

40 nC

- 55 C

+ 175 C

71 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 32A 27watt AEC-Q101 Qualified

SQJ402EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: ₡1 334
19 458En existencias

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SQJ402EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ402EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 32A 27watt AEC-Q101 Qualified

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₡1 334

₡853

₡580

₡486

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₡396

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Mult.: 1

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

100 V

32 A

11 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 32A 83W AEC-Q101 Qualified

SQJ412EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: ₡1 705
2 770En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ412EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ412EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

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₡1 189

₡829

₡702

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₡570

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

40 V

32 A

3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

120 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 75V AEC-Q101 Qualified

SQJ486EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: ₡1 015
3 490En existencias

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SQJ486EP-T1_GE3

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78-SQJ486EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 75V AEC-Q101 Qualified

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Cinta cortada

₡1 015

₡644

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

75 V

30 A

22 mOhms

- 20 V, 20 V

1.1 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

56 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds -/+20V Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJA20EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: ₡1 131
5 205En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJA20EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJA20EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds -/+20V Vgs AEC-Q101 Qualified

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₡748

₡503

₡400

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₡324

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

200 V

22.5 A

50 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

17.6 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L

SQJA42EP-T1_GE3
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20 A

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- 20 V, 20 V

1.3 V

33 nC

- 55 C

+ 175 C

27 W

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12.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

18 nC

- 55 C

+ 175 C

45 W

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N-Channel

1 Channel

100 V

37 A

15.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

20 nC

- 55 C

+ 175 C

55 W

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N-Channel

1 Channel

40 V

160 A

900 uOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

220 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

120 A

2.8 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

330 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

440 mA
1.6 A
1.7 A
2 A
2.25 A
5.63 A
7 A
8 A
9 A
10 A
11.5 A
12 A
13 A
14 A
14.7 A
15 A
16 A
18 A
19 A
20 A

840 uOhms
870 uOhms
900 uOhms
1.2 mOhms
1.21 mOhms
1.3 mOhms
1.4 mOhms
1.5 mOhms
1.6 mOhms
1.9 mOhms
2 mOhms
2.25 mOhms
2.4 mOhms
2.45 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.8 mOhms
3 mOhms
3.1 mOhms
3.2 mOhms

2.3 nC
2.5 nC
4 nC
4.1 nC
4.6 nC
4.7 nC
5.2 nC
5.5 nC
6 nC
7.6 nC
7.9 nC
7.95 nC
9.7 nC
10.6 nC
11 nC
12.4 nC
12.7 nC
13 nC
14 nC
15 nC

430 mW
2 W
3 W
3.3 W
3.6 W
5 W
6 W
6.8 W
7.1 W
13.6 W
27 W
31.25 W
37 W
39 W
45 W
46 W
48 W
55 W
56 W
62 W