Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility
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726-IAUZN04S7N049ATM
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 A, 40 V Automotive Power MOSFET with OptiMOS -7 Technology
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726-IAUZN04S7L046ATM
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 A, 40 V Automotive Power MOSFET with OptiMOS -7 Technology
10 840 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 V, N-Ch, 2.46 m?, Automotive Power MOSFET, SSO8 HB (5x6), OptiMOS-7
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726-IAUCN04S7N024HAT
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 V, N-Ch, 2.46 m?, Automotive Power MOSFET, SSO8 HB (5x6), OptiMOS-7
4 970 Se espera el 12/11/2026
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10
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726-IAUZN04S7L030ATM
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
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Si
SMD/SMT
PG-TDSON-8
N-Channel
1 Channel
40 V
100 A
3.05 mOhms
16 V
1.8 V
18 nC
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+ 175 C
58 W
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
IAUZN04S7N020ATMA2
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726-IAUZN04S7N020AT2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
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5 000 Se espera el 18/6/2026
10 000 Se espera el 4/3/2027
5 000 Se espera el 18/3/2027
Plazo de entrega de fábrica:
26 Semanas
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