CFD7 CoolMOS™ MOSFETs

Infineon Technologies CFD7 CoolMOS™ MOSFETs are ideal for resonant high power topologies and feature high voltage superjunction MOSFET technology. The MOSFETs have an integrated fast body diode and completes the CoolMOS 7 series. Typical high power switch-mode power supply (SMPS) applications include server, telecom, and EV charging stations.

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
Hoja de datos
358En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6 A 237 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 18 nC - 55 C + 150 C 24 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
Hoja de datos
412En existencias
1 000Se espera el 5/3/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 230 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 23 nC - 40 C + 150 C 63 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
490En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3 000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 22 A 115 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 42 nC - 40 C + 150 C 124 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
59En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3 000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 95 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 53 nC - 40 C + 150 C 171 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
25En existencias
500Se espera el 24/12/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 145 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 31 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
178En existencias
240Se espera el 16/2/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 77 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 183 nC - 55 C + 150 C 320 W Enhancement Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
298En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 125 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 36 nC - 55 C + 150 C 92 W Enhancement Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
Hoja de datos
215En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 115 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 41 nC - 55 C + 150 C 114 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
152En existencias
1 700Se espera el 23/4/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 700

Si SMD/SMT HDSOP-10-1 N-Channel 1 Channel 600 V 19 A 170 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 23 nC - 55 C + 150 C 137 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
73En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 145 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 31 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
15En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 145 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 31 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
38En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 125 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 36 nC - 55 C + 150 C 92 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
358En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 700

Si SMD/SMT HDSOP-10-1 N-Channel 1 Channel 600 V 27 A 125 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 31 nC - 55 C + 150 C 176 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
Hoja de datos
277En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3 000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 650 V 14 A 200 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 23 nC - 40 C + 150 C 81 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
4 000Se espera el 27/8/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 67 A 35 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 109 nC - 55 C + 150 C 351 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
2 999Se espera el 18/6/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3 000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 95 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 51 nC - 40 C + 150 C 147 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
2 990Se espera el 20/8/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3 000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 160 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 31 nC - 40 C + 150 C 95 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
Plazo de entrega 20 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 750

Si SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 650 V 68 A 35 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 108 nC - 55 C + 150 C 367 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 750
Mult.: 750
Carrete: 750

Si HDSOP-22 600 V Reel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 1 700
Mult.: 1 700
Carrete: 1 700

Si SMD/SMT HDSOP-10 N-Channel 1 Channel 600 V 61 A 45 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 79 nC - 55 C + 150 C 379 W Enhancement Reel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 15 Semanas
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 700

Si SMD/SMT HDSOP-10 N-Channel 1 Channel 650 V 40 A 75 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 51 nC - 55 C + 150 C 266 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas
Min.: 750
Mult.: 750
Carrete: 750

Si SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 650 V 112 A 20 mOhms - 20 V, 30 V 4.5 V 186 nC - 55 C + 150 C 543 W Enhancement Reel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas
Min.: 750
Mult.: 750
Carrete: 750

Si - 20 V, 20 V CoolMOS Reel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 39 Semanas
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Carrete: 3 000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 650 V 21 A 130 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 36 nC - 40 C + 150 C 127 W Enhancement Reel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
Plazo de entrega 19 Semanas
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 21 A 125 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 8 nC - 55 C + 150 C 127 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel