Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IQE065N10NM5CGSCATMA1
Infineon Technologies
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4 378En existencias

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IQE065N10NM5CGSCATMA1

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₡1 870,37

₡1 225,23

₡851,16

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₡693,94

Envase tipo carrete

₡688,51

Min.: 1
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: 6 000

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WHTFN-9

N-Channel

1 Channel

100 V

13 A

6.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

43 nC

- 55 C

+ 175 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IST026N10NM5AUMA1
Infineon Technologies
1: ₡2 347,45
1 478En existencias

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726-IST026N10NM5AUMA

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Cinta cortada

₡2 347,45

₡1 566,78

₡1 116,80

₡1 019,22

₡948,74

Envase tipo carrete

₡824,05

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

100 V

248 A

2.6 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

89 nC

- 55 C

+ 175 C

313 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

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IQE065N10NM5CGATMA1
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Cinta cortada

₡1 799,90

₡1 160,17

₡824,05

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Envase tipo carrete

₡601,77

Min.: 1
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SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

100 V

85 A

6.5 mOhms

- 20 V, 20 V

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100 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IST019N08NM5AUMA1
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Cinta cortada

₡2 336,61

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₡1 100,54

₡1 008,38

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Envase tipo carrete

₡818,63

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SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

80 V

290 A

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- 20 V, 20 V

3.8 V

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313 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

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IQE046N08LM5ATMA1
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₡1 978,80

₡1 246,92

₡899,95

₡731,89

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Envase tipo carrete

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1 Channel

80 V

99 A

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- 20 V, 20 V

2.3 V

38 nC

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100 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

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IQD016N08NM5CGATMA1
Infineon Technologies
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2 995En existencias

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Cinta cortada

₡2 304,08

₡1 604,73

₡1 387,87

₡1 339,08

Envase tipo carrete

₡1 295,71

Min.: 1
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: 5 000

SMD/SMT

TTFN-9

N-Channel

1 Channel

80 V

323 A

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- 20 V, 20 V

3.8 V

106 nC

- 55 C

+ 175 C

333 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

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IQD020N10NM5CGATMA1
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IQD020N10NM5CGATMA1

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Cinta cortada

₡2 276,98

₡1 588,46

₡1 371,61

₡1 322,82

₡1 284,87

Envase tipo carrete

₡1 279,44

Min.: 1
Mult.: 1

: 5 000

SMD/SMT

TTFN-9

N-Channel

1 Channel

100 V

273 A

2.05 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

107 nC

- 55 C

+ 175 C

333 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IQE046N08LM5CGATMA1
Infineon Technologies
1: ₡1 978,80
2 798En existencias

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IQE046N08LM5CGATMA1

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726-IQE046N08LM5CGAT

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₡1 978,80

₡1 284,87

₡905,37

₡737,31

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Envase tipo carrete

₡683,09

Min.: 1
Mult.: 1

: 5 000

SMD/SMT

TTFN-9

N-Channel

1 Channel

80 V

99 A

4.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

38 nC

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100 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IQE050N08NM5CGSCATMA1
Infineon Technologies
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1 309En existencias

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IQE050N08NM5CGSCATMA1

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726-IQE050N08NM5CGSC

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Cinta cortada

₡2 022,17

₡1 322,82

₡921,63

₡753,57

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Envase tipo carrete

₡699,36

Min.: 1
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: 6 000

SMD/SMT

WHTFN-9

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1 Channel

80 V

16 A

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- 20 V, 20 V

3.8 V

44 nC

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Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IQE050N08NM5SCATMA1
Infineon Technologies
1: ₡2 081,81
3 255En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQE050N08NM5SCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE050N08NM5SCAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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3 255En existencias

Cinta cortada

₡2 081,81

₡1 360,76

₡954,16

₡780,68

₡748,15

Envase tipo carrete

₡726,46

Min.: 1
Mult.: 1

: 6 000

SMD/SMT

WHSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

16 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

44 nC

- 55 C

+ 175 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

ISC025N08NM5LF2ATMA1
Infineon Technologies
1: ₡2 455,88
2 032En existencias
5 000Se espera el 28/5/2026

N.º de artículo del Fabricante
ISC025N08NM5LF2ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC025N08NM5LF2A

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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2 032En existencias

5 000Se espera el 28/5/2026

Cinta cortada

₡2 455,88

₡1 626,41

₡1 154,75

₡1 024,64

Ver

Envase tipo carrete

₡959,58

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5 000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

198 A

2.55 mOhms

- 20 V, 20 V

3.9 V

- 55 C

+ 175 C

217 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 power MOSFET 100 V in a TO-220 package

IPP023N10N5XKSA1
Infineon Technologies
1: ₡3 138,98
475En existencias
500Se espera el 1/6/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPP023N10N5XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP023N10N5XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 power MOSFET 100 V in a TO-220 package

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475En existencias

500Se espera el 1/6/2026

₡3 138,98

₡1 642,68

₡1 496,30

₡1 263,18

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

120 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

168 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

OptiMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPP083N10N5XKSA1
Infineon Technologies
1: ₡1 480,04
444En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP083N10N5XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP083N10N5XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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Hoja de datos

444En existencias

₡1 480,04

₡726,46

₡655,99

₡524,25

₡455,40

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

44 A

8.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

36 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPTC011N08NM5ATMA1
Infineon Technologies
1: ₡3 485,94
54En existencias
5 400Se espera el 24/12/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPTC011N08NM5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPTC011N08NM5ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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54En existencias

5 400Se espera el 24/12/2026

Cinta cortada

₡3 485,94

₡2 282,40

₡1 686,05

₡1 555,93

₡1 452,93

Envase tipo carrete

₡1 452,93

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 800

SMD/SMT

HDSOP-16

N-Channel

1 Channel

80 V

408 A

1.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

223 nC

- 55 C

+ 175 C

3.8 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPT013N08NM5LFATMA1
Infineon Technologies
1: ₡4 261,20
2 467En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT013N08NM5LFATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT013N08NM5LFAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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Hoja de datos

2 467En existencias

Cinta cortada

₡4 261,20

₡2 905,86

₡2 201,08

₡2 146,86

₡2 108,91

Envase tipo carrete

₡2 005,91

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

80 V

333 A

1.3 mOhms

- 20 V, 20 V

4.1 V

158 nC

- 55 C

+ 150 C

278 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPP034N08N5XKSA1
Infineon Technologies
1: ₡2 005,91
615En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP034N08N5XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP034N08N5XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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Hoja de datos

615En existencias

₡2 005,91

₡1 013,80

₡916,21

₡791,52

₡693,94

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

80 V

120 A

3.4 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

69 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IQE050N08NM5ATMA1
Infineon Technologies
1: ₡1 870,37
266En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQE050N08NM5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE050N08NM5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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Hoja de datos

266En existencias

Cinta cortada

₡1 870,37

₡1 214,39

₡862,00

₡699,36

₡688,51

Envase tipo carrete

₡639,72

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5 000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

80 V

101 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

35 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IQE065N10NM5SCATMA1
Infineon Technologies
1: ₡2 049,28
104En existencias
6 000Se espera el 10/12/2026

N.º de artículo del Fabricante
IQE065N10NM5SCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE065N10NM5SCAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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104En existencias

6 000Se espera el 10/12/2026

Cinta cortada

₡2 049,28

₡1 333,66

₡932,48

₡775,26

Ver

Envase tipo carrete

₡688,51

Min.: 1
Mult.: 1

: 6 000

SMD/SMT

WHSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

13 A

6.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

43 nC

- 55 C

+ 175 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IQE050N08NM5CGATMA1
Infineon Technologies
1: ₡1 778,21
102En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQE050N08NM5CGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE050N08NM5CGAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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Hoja de datos

102En existencias

Cinta cortada

₡1 778,21

₡1 160,17

₡807,78

₡677,67

Ver

Envase tipo carrete

₡618,04

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5 000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

80 V

101 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

35 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

ISG0616N10NM5HSCATMA1
Infineon Technologies
1: ₡2 824,54
9 000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
ISG0616N10NM5HSCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISG0616N10NM5HSC

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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Hoja de datos

9 000En pedido

Cinta cortada

₡2 824,54

₡2 049,28

₡1 469,19

₡1 431,24

₡1 355,34

Envase tipo carrete

₡1 339,08

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

TFN-10

N-Channel

2 Channel

100 V

139 A

4 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

52 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IQE046N08LM5CGSCATMA1
Infineon Technologies
1: ₡2 461,30
12 000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IQE046N08LM5CGSCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE046N08LM5CGSC

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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: 6 000

SMD/SMT

WHSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

99 A

- 20 V, 20 V

2.3 V

- 55 C

+ 175 C

Enhancement

OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPTC014N10NM5ATMA1
Infineon Technologies
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3 594Se espera el 2/7/2026

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IPTC014N10NM5ATMA1

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726-IPTC014N10NM5ATM

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 800

SMD/SMT

HDSOP-16

N-Channel

1 Channel

100 V

365 A

1.4 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

211 nC

- 55 C

+ 175 C

3.8 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

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IQE046N08LM5SCATMA1
Infineon Technologies
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5 979Se espera el 11/6/2026

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IQE046N08LM5SCATMA1

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726-IQE046N08LM5SCAT

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: 6 000

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WHSON-8

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1 Channel

80 V

99 A

- 20 V, 20 V

2.3 V

- 55 C

+ 175 C

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

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IQE065N10NM5ATMA1
Infineon Technologies
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10 000Se espera el 11/6/2026

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726-IQE065N10NM5ATMA

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SMD/SMT

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100 V

85 A

6.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

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IPP027N08N5XKSA1
Infineon Technologies
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IPP027N08N5XKSA1

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726-IPP027N08N5XKSA1

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Through Hole

TO-220-3

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80 V

120 A

2.7 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

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