Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 28

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V IQE046N08LM5SCATMA1 Infineon Technologies 1: ₡2 144,32 5 979En existencias	N.º de artículo del Fabricante IQE046N08LM5SCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE046N08LM5SCAT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	5 979En existencias	Cinta cortada ₡2 144,32 ₡1 087,77 ₡988,88 ₡822,34 ₡775,49 Envase tipo carrete ₡775,49	Min.: 1 Mult.: 1 : 6 000	Si	SMD/SMT	WHSON-8	N-Channel	1 Channel	80 V	99 A		20 V	2.3 V		- 55 C	+ 175 C		Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V IQE050N08NM5ATMA1 Infineon Technologies 1: ₡2 118,29 4 266En existencias	N.º de artículo del Fabricante IQE050N08NM5ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE050N08NM5ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	4 266En existencias	Cinta cortada ₡2 118,29 ₡1 077,36 ₡973,27 ₡843,15 Envase tipo carrete ₡728,65 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5 000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	80 V	101 A	5 mOhms	20 V	3.8 V	35 nC	- 55 C	+ 175 C	100 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V BSC033N08NS5SCATMA1 Infineon Technologies 1: ₡2 258,82 4 000En existencias	N.º de artículo del Fabricante BSC033N08NS5SCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-S33N08NS5SCATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V	Hoja de datos	4 000En existencias	Cinta cortada ₡2 258,82 ₡1 155,43 ₡1 046,14 ₡879,59 ₡848,36 Envase tipo carrete ₡822,34 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 4 000	Si	SMD/SMT	WSON-8	N-Channel	1 Channel	80 V	144 A	3.3 mOhms	20 V	2.2 V	53 nC	- 55 C	+ 175 C	3 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V IST026N10NM5AUMA1 Infineon Technologies 1: ₡3 023,90 1 401En existencias	N.º de artículo del Fabricante IST026N10NM5AUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IST026N10NM5AUMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	1 401En existencias	Cinta cortada ₡3 023,90 ₡1 587,42 ₡1 446,89 ₡1 306,37 ₡1 233,50 Envase tipo carrete ₡1 233,50	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	100 V	248 A	2.6 mOhms	20 V	3.8 V	89 nC	- 55 C	+ 175 C	313 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V IQE046N08LM5CGATMA1 Infineon Technologies 1: ₡1 977,77 2 738En existencias	N.º de artículo del Fabricante IQE046N08LM5CGATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE046N08LM5CGAT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	2 738En existencias	Cinta cortada ₡1 977,77 ₡999,29 ₡900,41 ₡739,06 ₡692,22 Envase tipo carrete ₡692,22	Min.: 1 Mult.: 1 : 5 000	Si	SMD/SMT	TTFN-9	N-Channel	1 Channel	80 V	99 A	4.6 mOhms	20 V	2.3 V	38 nC	- 55 C	+ 175 C	100 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V IQE065N10NM5CGSCATMA1 Infineon Technologies 1: ₡2 175,55 4 318En existencias	N.º de artículo del Fabricante IQE065N10NM5CGSCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE065N10NM5CGSC	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	4 318En existencias	Cinta cortada ₡2 175,55 ₡1 108,59 ₡1 004,50 ₡837,95 ₡791,11 Envase tipo carrete ₡791,11	Min.: 1 Mult.: 1 : 6 000	Si	SMD/SMT	WHTFN-9	N-Channel	1 Channel	100 V	13 A	6.5 mOhms	20 V	3.8 V	43 nC	- 55 C	+ 175 C	2.5 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V IQE065N10NM5CGATMA1 Infineon Technologies 1: ₡1 977,77 5 095En existencias	N.º de artículo del Fabricante IQE065N10NM5CGATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE065N10NM5CGAT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	5 095En existencias	Cinta cortada ₡1 977,77 ₡1 290,75 ₡942,04 ₡791,11 Ver Envase tipo carrete ₡687,01 ₡733,86 ₡687,01 ₡687,01	Min.: 1 Mult.: 1 : 5 000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	100 V	85 A	6.5 mOhms	20 V	3.8 V	34 nC	- 55 C	+ 175 C	100 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 power MOSFET 100 V in a TO-220 package IPP023N10N5XKSA1 Infineon Technologies 1: ₡3 882,67 1 337En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPP023N10N5XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPP023N10N5XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 power MOSFET 100 V in a TO-220 package Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	1 337En existencias	₡3 882,67 ₡2 597,12 ₡2 087,07 ₡1 852,86 ₡1 644,67	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	100 V	120 A	2.3 mOhms	20 V	3.8 V	168 nC	- 55 C	+ 175 C	375 W	Enhancement	OptiMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V IQD020N10NM5CGATMA1 Infineon Technologies 1: ₡3 315,36 2 543En existencias	N.º de artículo del Fabricante IQD020N10NM5CGATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQD020N10NM5CGAT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	2 543En existencias	Cinta cortada ₡3 315,36 ₡1 753,97 ₡1 603,03 ₡1 478,12 ₡1 431,28 Envase tipo carrete ₡1 379,23	Min.: 1 Mult.: 1 : 5 000	Si	SMD/SMT	TTFN-9	N-Channel	1 Channel	100 V	273 A	2.05 mOhms	20 V	3.8 V	107 nC	- 55 C	+ 175 C	333 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V ISC025N08NM5LF2ATMA1 Infineon Technologies 1: ₡2 274,43 7 378En existencias	N.º de artículo del Fabricante ISC025N08NM5LF2ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC025N08NM5LF2A	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	7 378En existencias	Cinta cortada ₡2 274,43 ₡1 165,84 ₡1 056,54 ₡890,00 Envase tipo carrete ₡890,00 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1 000 : 5 000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	80 V	198 A	2.55 mOhms	20 V	3.9 V		- 55 C	+ 175 C	217 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V IPT013N08NM5LFATMA1 Infineon Technologies 1: ₡5 136,99 2 744En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPT013N08NM5LFATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPT013N08NM5LFAT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	2 744En existencias	Cinta cortada ₡5 136,99 ₡2 831,33 ₡2 638,76 ₡2 493,03 Envase tipo carrete ₡2 493,03 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	80 V	333 A	1.3 mOhms	20 V	4.1 V	158 nC	- 55 C	+ 150 C	278 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V Infineon Technologies IPP023N08N5XKSA1 IPP023N08N5XKSA1 Infineon Technologies 1: ₡3 174,84 500En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPP023N08N5XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPP023N08N5XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	500En existencias	₡3 174,84 ₡1 665,49 ₡1 519,76 ₡1 254,32 ₡1 217,89	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	80 V	120 A	2.3 mOhms	20 V	3.8 V	133 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement		Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V Infineon Technologies IPP034N08N5XKSA1 IPP034N08N5XKSA1 Infineon Technologies 1: ₡2 014,20 615En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPP034N08N5XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPP034N08N5XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	615En existencias	₡2 014,20 ₡1 020,11 ₡921,22 ₡811,93 ₡707,83	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	80 V	120 A	3.4 mOhms	20 V	3.8 V	69 nC	- 55 C	+ 175 C	167 W	Enhancement		Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V IPTC011N08NM5ATMA1 Infineon Technologies 1: ₡3 887,88 51En existencias 12 600Se espera el 15/7/2027	N.º de artículo del Fabricante IPTC011N08NM5ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPTC011N08NM5ATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	51En existencias 12 600Se espera el 15/7/2027	Cinta cortada ₡3 887,88 ₡2 545,08 ₡1 873,68 ₡1 665,49 ₡1 472,92 Envase tipo carrete ₡1 472,92	Min.: 1 Mult.: 1 : 1 800	Si	SMD/SMT	HDSOP-16	N-Channel	1 Channel	80 V	408 A	1.1 mOhms	20 V	3.8 V	223 nC	- 55 C	+ 175 C	3.8 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V IQE050N08NM5CGSCATMA1 Infineon Technologies 1: ₡2 159,93 455En existencias 6 000Se espera el 28/1/2027	N.º de artículo del Fabricante IQE050N08NM5CGSCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE050N08NM5CGSC	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	455En existencias 6 000Se espera el 28/1/2027	Cinta cortada ₡2 159,93 ₡1 415,67 ₡1 056,54 ₡884,79 Ver Envase tipo carrete ₡765,08 ₡822,34 ₡765,08 ₡765,08	Min.: 1 Mult.: 1 : 6 000	Si	SMD/SMT	WHTFN-9	N-Channel	1 Channel	80 V	16 A	5 mOhms	20 V	3.8 V	44 nC	- 55 C	+ 175 C	2.5 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V IQE065N10NM5SCATMA1 Infineon Technologies 1: ₡2 144,32 5En existencias 6 000Se espera el 28/1/2027	N.º de artículo del Fabricante IQE065N10NM5SCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE065N10NM5SCAT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	5En existencias 6 000Se espera el 28/1/2027	Cinta cortada ₡2 144,32 ₡1 269,94 ₡994,09 ₡827,54 ₡796,31 Envase tipo carrete ₡739,06	Min.: 1 Mult.: 1 : 6 000	Si	SMD/SMT	WHSON-8	N-Channel	1 Channel	100 V	13 A	6.5 mOhms	20 V	3.8 V	43 nC	- 55 C	+ 175 C	2.5 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V IQE050N08NM5CGATMA1 Infineon Technologies 1: ₡2 029,82 92En existencias	N.º de artículo del Fabricante IQE050N08NM5CGATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE050N08NM5CGAT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	92En existencias	Cinta cortada ₡2 029,82 ₡1 035,73 ₡926,43 ₡759,88 Ver Envase tipo carrete ₡671,40 ₡733,86 ₡707,83 ₡671,40 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5 000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	80 V	101 A	5 mOhms	20 V	3.8 V	35 nC	- 55 C	+ 175 C	100 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V IPTC014N10NM5ATMA1 Infineon Technologies 1: ₡3 627,64 10 784En pedido	N.º de artículo del Fabricante IPTC014N10NM5ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPTC014N10NM5ATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	10 784En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IPTC014N10NM5ATMA1 Existencias: 0 En pedido: 1 784 Se espera el 25/2/2027 9 000 Se espera el 4/11/2027 Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	Cinta cortada ₡3 627,64 ₡2 425,37 ₡1 951,75 ₡1 733,15 ₡1 535,37 Envase tipo carrete ₡1 535,37 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1 800	Si	SMD/SMT	HDSOP-16	N-Channel	1 Channel	100 V	365 A	1.4 mOhms	20 V	3.8 V	211 nC	- 55 C	+ 175 C	3.8 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V ISG0616N10NM5HSCATMA1 Infineon Technologies 1: ₡3 539,16 11 751En pedido	N.º de artículo del Fabricante ISG0616N10NM5HSCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISG0616N10NM5HSC	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	11 751En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: ISG0616N10NM5HSCATMA1 Existencias: 0 En pedido: 5 751 Se espera el 11/3/2027 6 000 Se espera el 25/3/2027 Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	Cinta cortada ₡3 539,16 ₡1 884,08 ₡1 722,74 ₡1 608,24 Envase tipo carrete ₡1 504,15 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3 000	Si	SMD/SMT	TFN-10	N-Channel	2 Channel	100 V	139 A	4 mOhms	20 V	3.8 V	52 nC	- 55 C	+ 175 C	167 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V IQE046N08LM5ATMA1 Infineon Technologies 1: ₡2 201,57 10 000Se espera el 25/2/2027	N.º de artículo del Fabricante IQE046N08LM5ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-E046N08LM5ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	10 000Se espera el 25/2/2027	Cinta cortada ₡2 201,57 ₡1 124,21 ₡916,02 ₡796,31 Ver Envase tipo carrete ₡744,27 ₡770,29 ₡754,67 ₡744,27	Min.: 1 Mult.: 1 : 5 000	Si	SMD/SMT	TSON-8	N-Channel	1 Channel	80 V	99 A	4.6 mOhms	20 V	2.3 V	38 nC	- 55 C	+ 175 C	100 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V IQD016N08NM5CGATMA1 Infineon Technologies 1: ₡3 128,00 4 870Se espera el 5/8/2027	N.º de artículo del Fabricante IQD016N08NM5CGATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQD016N08NM5CGAT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	4 870Se espera el 5/8/2027	Cinta cortada ₡3 128,00 ₡1 795,61 ₡1 509,35 ₡1 405,26 Ver Envase tipo carrete ₡1 275,14 ₡1 384,44 ₡1 374,03 ₡1 275,14	Min.: 1 Mult.: 1 : 5 000	Si	SMD/SMT	TTFN-9	N-Channel	1 Channel	80 V	323 A	1.57 mOhms	20 V	3.8 V	106 nC	- 55 C	+ 175 C	333 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V IQE046N08LM5CGSCATMA1 Infineon Technologies 1: ₡2 362,91 6 000Se espera el 11/2/2027	N.º de artículo del Fabricante IQE046N08LM5CGSCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE046N08LM5CGSC	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	6 000Se espera el 11/2/2027	Cinta cortada ₡2 362,91 ₡1 212,68 ₡1 103,39 ₡936,84 Ver Envase tipo carrete ₡874,38 ₡931,63 ₡905,61 ₡874,38 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 6 000	Si	SMD/SMT	WHSON-8	N-Channel	1 Channel	80 V	99 A		20 V	2.3 V		- 55 C	+ 175 C		Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V IQE065N10NM5ATMA1 Infineon Technologies 1: ₡1 936,13 10 000Se espera el 26/11/2026	N.º de artículo del Fabricante IQE065N10NM5ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE065N10NM5ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	10 000Se espera el 26/11/2026	Cinta cortada ₡1 936,13 ₡988,88 ₡879,59 ₡728,65 Ver Envase tipo carrete ₡634,97 ₡697,42 ₡650,58 ₡634,97	Min.: 1 Mult.: 1 : 5 000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	100 V	85 A	6.5 mOhms	20 V	3.8 V	34 nC	- 55 C	+ 175 C	100 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V IPP083N10N5XKSA1 Infineon Technologies 1: ₡1 712,33 499Se espera el 10/12/2026	N.º de artículo del Fabricante IPP083N10N5XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPP083N10N5XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	499Se espera el 10/12/2026	₡1 712,33 ₡853,56 ₡770,29 ₡619,35 ₡593,33	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	100 V	44 A	8.3 mOhms	20 V	3.8 V	30 nC	- 55 C	+ 175 C	36 W	Enhancement		Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V IQE050N08NM5SCATMA1 Infineon Technologies 6 000: ₡739,06 Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas	N.º de artículo del Fabricante IQE050N08NM5SCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE050N08NM5SCAT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas	Envase tipo carrete ₡739,06	Min.: 6 000 Mult.: 6 000 : 6 000	Si	SMD/SMT	WHSON-8	N-Channel	1 Channel	80 V	16 A	5 mOhms	20 V	3.8 V	44 nC	- 55 C	+ 175 C	2.5 W	Enhancement		Reel