Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) de potencia de pequeña señal

Infineon Small Signal Power MOSFETs are available in 7 industry-standard package types ranging from the largest SOT-223 down to the smallest SOT-363 measuring 2.1mm x 2mm x 0.9mm. These are offered in single, dual and complementary configurations. They are available in N-Channel, P-Channel or Complementary (both P-Channel and N-Channel within the same package) versions to meet a variety of design requirements. Typical applications for these devices include battery protection, LED lighting, low voltage drives, and DC/DC converters. Each of these Small Signal Power MOSFETs are also qualified to Automotive AEC Q101.
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Resultados: 55
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH
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67 632En existencias
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Min.: 1
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: 3 000

Si SMD/SMT TSOP-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 30 V 2 A, 2.3 A 44 mOhms, 62 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V, 1.6 V 650 pC, 1.2 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH
Hoja de datos
11 203En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT TSOP-6 P-Channel 1 Channel 20 V 4.7 A 94 mOhms - 12 V, 12 V 900 mV 12.4 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS
Hoja de datos
29 115En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 600 V 21 mA 500 Ohms - 20 V, 20 V 2.6 V 650 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement Reel, Cut Tape

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N and P-Ch 20V 950mA -530mA SOT-363-6
Hoja de datos
138 043En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 20 V 530 mA, 950 mA 266 mOhms, 745 mOhms - 12 V, 12 V 700 mV, 1.2 V 340 pC, 400 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -20V -1.5A SOT-23-3
Hoja de datos
25 333En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 1.5 A 105 mOhms - 12 V, 12 V 1.2 V 3.6 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -20V -390mA SOT-323-3
Hoja de datos
25 491En existencias
30 000Se espera el 3/9/2026
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-323-3 P-Channel 1 Channel 20 V 390 mA 700 mOhms - 12 V, 12 V 1.2 V 500 pC - 55 C + 150 C 250 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3
Hoja de datos
16 320En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 30 V 1.5 A 107 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 2.9 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 1.1A SOT-223-3
Hoja de datos
23 169En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel 1 Channel 100 V 1.2 A 329 mOhms - 20 V, 20 V 1.4 V 4.5 nC - 55 C + 150 C 1.8 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 3.2A SOT-89-3
Hoja de datos
9 450En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT SOT-89-3 N-Channel 1 Channel 60 V 3.2 A 60 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 3.7 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch DPAK-2
Hoja de datos
65 691En existencias
138 000En pedido
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-363-6 P-Channel 2 Channel 20 V 390 mA 1.2 Ohms - 12 V, 12 V 600 mV 500 pC - 55 C + 150 C 250 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH
Hoja de datos
50 980En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT TSOP-6 P-Channel 1 Channel 20 V 6 A 43 mOhms - 12 V, 12 V 1.2 V 13.3 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH
Hoja de datos
36 991En existencias
24 000Se espera el 24/9/2026
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Min.: 1
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: 3 000

Si SMD/SMT TSOP-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 20 V 1.5 A, 1.5 A 108 mOhms, 173 mOhms - 12 V, 12 V 900 mV, 950 mV 73 pC, 3 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH
Hoja de datos
41 090En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT TSOP-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 30 V 1.4 A, 1.5 A 113 mOhms, 119 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V, 1.6 V 600 pC, 2.4 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 120mA SOT-223-3
Hoja de datos
10 917En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 4 000

Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel 1 Channel 600 V 120 mA 25 Ohms - 20 V, 20 V 1.9 V 4.4 nC - 55 C + 150 C 1.8 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 1.8A SOT-223-3
Hoja de datos
11 724En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel 1 Channel 60 V 1.8 A 220 mOhms - 20 V, 20 V 800 mV 14 nC - 55 C + 150 C 1.8 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 400V 170mA SOT-223-3
Hoja de datos
14 802En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel 1 Channel 400 V 170 mA 14.3 Ohms - 20 V, 20 V 1.9 V 4.54 nC - 55 C + 150 C 1.8 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 190mA SOT-23-3
Hoja de datos
33 588En existencias
27 000Se espera el 10/9/2026
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 100 V 190 mA 2.406 Ohms - 20 V, 20 V 1.3 V 600 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -20V -630mA SOT-323-3
Hoja de datos
35 515En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-323-3 P-Channel 1 Channel 20 V 630 mA 550 mOhms - 12 V, 12 V 1.2 V 1 nC - 55 C + 150 C 300 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 1.5A SOT-323-3
Hoja de datos
117 834En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 20 V 1.5 A 106 mOhms - 12 V, 12 V 950 mV 800 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 2.3A SOT-23-3
Hoja de datos
50 357En existencias
3 000Se espera el 18/3/2027
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 2.3 A 57 mOhms - 20 V, 20 V 1.6 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 1.4A SOT-323-3
Hoja de datos
59 835En existencias
168 000En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 20 V 1.4 A 107 mOhms - 8 V, 8 V 550 mV 600 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+N-CH
Hoja de datos
2 983En existencias
3 000Se espera el 28/1/2027
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT TSOP-6 N-Channel 1 Channel 20 V 7.5 A 26 mOhms - 12 V, 12 V 950 mV 5.8 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH
Hoja de datos
4 048En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT TSOP-6 P-Channel 1 Channel 30 V 5.5 A 52 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 23.4 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 1.8A SOT-223-3
Hoja de datos
1 535En existencias
6 000En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel 1 Channel 100 V 1.8 A 177 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 6.2 nC - 55 C + 150 C 1.8 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 300mA SOT-363-6
Hoja de datos
1 849En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 2 Channel 60 V 300 mA 1.6 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V 600 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel