Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) de potencia de pequeña señal

Infineon Small Signal Power MOSFETs are available in 7 industry-standard package types ranging from the largest SOT-223 down to the smallest SOT-363 measuring 2.1mm x 2mm x 0.9mm. These are offered in single, dual and complementary configurations. They are available in N-Channel, P-Channel or Complementary (both P-Channel and N-Channel within the same package) versions to meet a variety of design requirements. Typical applications for these devices include battery protection, LED lighting, low voltage drives, and DC/DC converters. Each of these Small Signal Power MOSFETs are also qualified to Automotive AEC Q101.
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 1.5A SOT-323-3
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2 959En existencias
84 000En pedido
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Min.: 1
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Carrete: 3 000

Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 20 V 1.5 A 106 mOhms - 12 V, 12 V 950 mV 800 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -20V -390mA SOT-323-3
Hoja de datos
454En existencias
60 000En pedido
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3 000

Si SMD/SMT SOT-323-3 P-Channel 1 Channel 20 V 390 mA 700 mOhms - 12 V, 12 V 1.2 V 500 pC - 55 C + 150 C 250 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 3.2A SOT-89-3
Hoja de datos
5 848En existencias
3 000En pedido
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Min.: 1
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Carrete: 1 000

Si SMD/SMT SOT-89-3 N-Channel 1 Channel 60 V 3.2 A 60 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 3.7 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55V 540mA SOT-23-3
Hoja de datos
10 435En existencias
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Min.: 1
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Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 55 V 540 mA 346 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 1.7 nC - 55 C + 150 C 360 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 230mA SOT-323-3
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2 549En existencias
15 000En pedido
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Min.: 1
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Carrete: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 230 mA 2.3 Ohms - 20 V, 20 V 1.8 V 1 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 1.4A SOT-323-3
Hoja de datos
3 301En existencias
60 000En pedido
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Min.: 1
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Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 20 V 1.4 A 107 mOhms - 8 V, 8 V 550 mV 600 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 21mA SOT-23-3
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49En existencias
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Min.: 1
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Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 600 V 21 mA 310 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 650 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 1.4A SOT-23-3
Hoja de datos
15 476En existencias
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Min.: 1
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Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 1.4 A 119 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 600 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -60V -330mA SOT-23-3
Hoja de datos
10 213En existencias
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Min.: 1
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Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 60 V 330 mA 1.4 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 2.38 nC - 55 C + 150 C 360 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 3.7A SOT-23-3
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5 786En existencias
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Min.: 1
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Si SMD/SMT SC-59-3 N-Channel 1 Channel 20 V 3.7 A 23 mOhms - 8 V, 8 V 750 mV 4.7 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 240V 100mA SOT-23-3
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13 912En existencias
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Min.: 1
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Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 240 V 110 mA 7.7 Ohms - 20 V, 20 V 1.4 V 2.1 nC - 55 C + 150 C 360 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 2.3A SOT-23-3
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7 823En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 20 V 2.3 A 41 mOhms - 8 V, 8 V 550 mV 1.7 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 280mA SOT-323-3
Hoja de datos
494 849En pedido
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Min.: 1
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Carrete: 3 000

Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 60 V 280 mA 2.1 Ohms - 20 V, 20 V 1 V 1 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 2.3A SOT-23-3
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26 886Se espera el 3/4/2026
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Min.: 1
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Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 2.3 A 57 mOhms - 20 V, 20 V 1.6 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -60V -170mA SOT-23-3
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124 790Se espera el 23/2/2026
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Min.: 1
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Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 60 V 170 mA 5.8 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 1 nC - 55 C + 150 C 360 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH
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23 960En pedido
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Si SMD/SMT TSOP-6 P-Channel 1 Channel 20 V 6 A 43 mOhms - 12 V, 12 V 1.2 V 13.3 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH
Hoja de datos
23 844En pedido
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Min.: 1
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Si SMD/SMT TSOP-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 20 V 1.5 A, 1.5 A 108 mOhms, 173 mOhms - 12 V, 12 V 950 mV, 900 mV 73 pC, 3 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS
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26 028En pedido
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Carrete: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 600 V 21 mA 500 Ohms - 20 V, 20 V 2.6 V 650 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement Reel, Cut Tape

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V -2A SOT-23-3
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16 899En pedido
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Carrete: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 30 V 2 A 62 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 5 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 2.3A SOT-23-3
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Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 2.3 A 57 mOhms - 20 V, 20 V 1.6 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel